恭喜应用材料公司刘鑫获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于通过PECVD进行Si间隙填充的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112335032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980023731.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于通过PECVD进行Si间隙填充的方法是由刘鑫;F·王;程睿;A·B·玛里克;R·J·维瑟设计研发完成，并于2019-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于通过PECVD进行Si间隙填充的方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层，并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积去除循环工艺，直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的，因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。
本发明授权用于通过PECVD进行Si间隙填充的方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括：将设置在工艺腔室中的基板加热到在150摄氏度至650摄氏度的范围内的温度；使含硅的前驱物流动到所述工艺腔室中；在所述基板中形成的特征的底部上沉积第一非晶硅层，并在所述基板的表面上沉积第二非晶硅层，所述特征的每个侧壁的第一部分与所述第一非晶硅层接触，并且每个侧壁的第二部分是暴露的；以及去除所述第二非晶硅层；其中通过等离子体增强化学气相沉积工艺来沉积所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层，并且其中所述等离子体增强化学气相沉积工艺的等离子体功率密度在0.14Wcm2至2.83Wcm2的范围内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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