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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111788696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980015985.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由畑勇气;枥林克明;菅尾惇平;山崎舜平设计研发完成，并于2019-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。

本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一氧化物及所述第一氧化物上的第二氧化物；以覆盖所述第一氧化物及所述第二氧化物的方式形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上以与所述第二氧化物重叠的方式形成第一伪栅极；以所述第一伪栅极为掩模对所述第二氧化物添加第一掺杂剂，从而在所述第二氧化物中形成不与所述第一伪栅极重叠的一对第一区域，所述一对第一区域具有第一电阻和第一载流子密度；去除所述第一伪栅极的一部分来形成第二伪栅极，并使所述第二氧化物的一部分从所述第二伪栅极露出；以所述第二伪栅极为掩模对所述第二氧化物添加第二掺杂剂，从而在所述第二氧化物中形成不与所述第二伪栅极和所述一对第一区域重叠的一对第二区域，所述一对第二区域具有第二电阻和第二载流子密度；以覆盖所述第一绝缘膜及所述第二伪栅极的方式形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；直到使所述第二伪栅极的顶部露出为止去除所述第二绝缘膜的一部分及所述第三绝缘膜的一部分；去除所述第二伪栅极、所述第二绝缘膜的一部分及所述第一绝缘膜的一部分来形成开口；以嵌入在所述开口中的方式依次形成第三氧化物、第四绝缘膜及导电膜；以及直到使所述第三绝缘膜的顶部露出为止去除所述第三氧化物的一部分、所述第四绝缘膜的一部分及所述导电膜的一部分，所述第二电阻高于所述第一电阻，所述第一电阻和所述第二电阻低于所述第二氧化物中形成沟道的第三区域的第三电阻，所述第三区域不与所述一对第一区域和所述一对第二区域重叠，所述第二载流子密度低于所述第一载流子密度，并且，所述第一载流子密度和所述第二载流子密度高于所述第三区域的第三载流子密度。

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