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龙图腾网恭喜上海维安电子股份有限公司申请的专利一种高输出电流产品的中测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109739294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910172925.7，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权一种高输出电流产品的中测电路是由宋苗;姚和平;支知渊;闫苗苗设计研发完成，并于2019-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高输出电流产品的中测电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高输出电流产品的中测电路，其包含VEN与VIN比较模块、电流比较模块、电流采样模块。其中电流采样模块用于将输出电流通过电流镜像作用转换成较小的电流值，通过电流比较模块和基准电流的比较，反馈回电流采样模块，输出恒定的电流值，VEN与VIN比较模块用于给出中测指示信号，使得输出电流降低至原来的一定比例进行中测。本方案可以在不影响实际输出高电流的情况下将中测时的输出电流降低，以适应中测时探针可承受的持续工作电流范围进行测试，相比于传统保护方案具有更优越的性能。

本发明授权一种高输出电流产品的中测电路在权利要求书中公布了：1.一种高输出电流产品的中测电路,其特征在于,包括VEN与VIN比较模块、电流比较模块、电流采样模块；其中VEN与VIN比较模块用于给出中测指示信号，控制电流比较模块用于比较的采样电流使用实际输出电流还是较小的输出电流；电流比较模块用于将电流采样模块产生的采样电流与基准电流进行比较，输出反馈给功率管，控制输出电流处于恒定状态；电流采样模块用于将输出电流通过电流镜像作用转换成较小的电流值，用于和基准电流的比较；其中，VEN与VIN比较模块，由第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1、第一缓冲器BUF1组成；第一PMOS管PM1的栅连接第一NMOS管NM1的栅，并同时接到电源IN上，第一PMOS管PM1的源连接使能输入EN，第一NMOS管NM1的源接地，第一PMOS管PM1的漏连接第一NMOS管NM1的漏，并同时连接第一缓冲器BUF1的输入端，第一缓冲器BUF1的输出端Y1连接电流比较模块中第三NMOS管NM3的栅，第一缓冲器BUF1的输出端Y1用来控制电流比较模块用于比较的采样电流使用实际限流值大小和中测限流值大小；电流比较模块，由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5组成；第二PMOS管PM2栅连接外部基准模块的输出基准电压，此时IdPM2为基准电流，第二PMOS管PM2的源接电源，漏接第二NMOS管NM2的漏；第三PMOS管PM3的源接电源；第二NMOS管NM2的源接地，栅与第四NMOS管NM4的栅，第五NMOS管NM5的栅和漏相连，并连接电流采样模块提供的采样电流，镜像至第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5，此处采样电流与IdPM2为基准电流比较，比较后结果输出连接到第三PMOS管PM3的栅，用来控制VdPM3的大小并输出Y2反馈至电流采样模块；第三NMOS管NM3的栅连接VEN与VIN比较模块第一缓冲器BUF1的输出端，接收VEN与VIN比较模块给出的指示，漏与第二PMOS管PM2的漏、第二NMOS管NM2的漏、第三PMOS管PM3的漏相连，选择与基准电流IdPM2比较的采样电流为IdNM2还是IdNM2与IdNM4的和，通过调整第四NMOS管NM4宽长比与第二NMOS管NM2宽长比的比例，就可以调整输出电流的值，第四NMOS管NM4宽长比与第二NMOS管NM2宽长比的比例为3；第三NMOS管NM3的源连接第四NMOS管NM4的漏，第四NMOS管NM4的源和第五NMOS管NM5的源接地。

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