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最新专利技术
  • 一种外延片及其制作方法、发光芯片
    一种外延片及其制作方法、发光芯片_重庆康佳光电科技有限公司_202311705859.8
    本申请涉及一种外延片及其制作方法、发光芯片，外延片包括衬底；设于所述衬底上的成核层；以及设于所述成核层上的三维过渡层，所述三维过渡层包括至少一个三维过渡子层，所述三维过渡子层包括依次周期性层叠的第一晶向结晶层、第一切换层、第一保持层；所述第...
    2025-06-21
  • 一种IBC电池及其制备方法
    一种IBC电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202311706995.9
    本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例通过在原硅区域形成含硼硅涂层并进行激光掺杂处理，即可以对该原硅区域进行高浓度硼掺杂而形成p型掺杂区，避免了采用传统管式硼源的掺杂方式带来的副作用，提升了电池的转换效率。
    2025-06-21
  • 一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备
    一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备_华为技术有限公司_202311704685.3
    一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备，该MOSFET芯片包括栅极焊盘、至少两条栅极总线和至少两个原胞区域，至少两个原胞区域中的每个原胞区域包括至少一个原胞单元。至少两条栅极总线中的每条栅极总线与至少两个原胞区域中不同的原胞区域连接，...
    2025-06-21
  • 集成电路及其制备方法、电子设备
    集成电路及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202311708187.6
    本申请提供一种集成电路及其制备方法、电子设备，涉及电子技术领域，可解决集成电路中电子元件实现欧姆接触的金属硅化物的电阻阻值随尺寸减小而增大的问题。该集成电路包括：基底、电子元件、连接部、二氧化硅层；电子元件设于基底上，并包括接触部，接触部的...
    2025-06-21
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311698686.1
    本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底上的沟道结构，沟道结构包括依次形成于衬底上的沟道层和势垒层，沟道结构包括栅极区域，以及位于栅极区域两侧的源极区域与漏极区域；位于源极区域和漏极区域内的第一凹槽，第一凹槽至...
    2025-06-21
  • 一种分离栅半导体器件的制作方法
    一种分离栅半导体器件的制作方法_润西微电子(重庆)有限公司_202311708160.7
    本发明提供一种分离栅半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供一具有背封层的晶圆，背封层包括依次叠加的内层多晶硅层、中层氧化层与外层多晶硅层；从晶圆正面形成沟槽；形成牺牲氧化层于沟槽内壁，并采用湿法蚀刻去除牺牲氧化层；形成沟槽栅结构于沟槽中，...
    2025-06-21
  • 一种刻蚀SiC PiN沟槽终端结构的方法
    一种刻蚀SiC PiN沟槽终端结构的方法_北京智慧能源研究院_202311697600.3
    本发明提供了一种半导体器件终端结构的刻蚀方法，先在SiC晶圆表面沉积两层厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通过调整刻蚀工艺参数刻蚀SiC晶圆，主要是向反应腔室内通入SF6、O2作为刻蚀气体同...
    2025-06-21
  • 基于生成式预训练GPT模型的标注优化方法及装置
    基于生成式预训练GPT模型的标注优化方法及装置_青岛海尔科技有限公司_202311703394.2
    本申请公开了一种基于生成式预训练GPT模型的标注优化方法及装置，涉及人工智能技术领域，其中，该方法包括：使用标注好的第一文本数据训练具有N个预设类别的初始分类模型(GPT模型)得到中间分类模型；将待标注的第二文本数据输入中间分类模型得到中间...
    2025-06-21
  • 有害语料挖掘方法、装置、电子设备以及存储介质
    有害语料挖掘方法、装置、电子设备以及存储介质_深圳云天励飞技术股份有限公司_202311705754.2
    本发明实施例提供一种有害语料挖掘方法，该方法包括：S1、获取第一有害语料种子样本以及语料数据集；S2、基于第一有害语料种子样本在语料数据集中进行文本相似度检索，得到潜在有害语料样本集；S3、通过预设的语义特征分类模型对潜在有害语料样本集中各...
    2025-06-21
  • 数据查询方法、装置、电子设备及存储介质
    数据查询方法、装置、电子设备及存储介质_北京罗克维尔斯科技有限公司_202311707999.9
    本公开提供了一种数据查询方法、装置、电子设备及存储介质。其中，该方法包括：获取问题语句；根据预先建立的生成式模型对问题语句中的图谱信息进行识别，并将识别的图谱信息按照预设格式进行组合，得到结构化文本表示的图谱信息；图谱信息至少包括实体信息和...
    2025-06-21
  • 一种基于约束聚焦的定向灰盒模糊测试方法
    一种基于约束聚焦的定向灰盒模糊测试方法_国家计算机网络与信息安全管理中心_202311707825.2
    本发明涉及一种基于约束聚焦的定向灰盒模糊测试方法，属于网络安全技术领域。本发明能够减少数据流分析所需跟踪的信息，通过约束过滤和聚焦减少数据流信息。在定向灰盒模糊测试中通过约束过滤和聚焦降低了数据流分析的开销，简化了数据流跟踪过程，并避免了人...
    2025-06-21
  • 铜衬修复装置
    铜衬修复装置_中国石油管道局工程有限公司_202311707429.X
    本申请公开了一种铜衬修复装置，属于管道焊接技术领域。所述装置包括：底座、动力件、转动件、夹紧机构、刀具调节机构和铣削机构；所述转动件可转动地设置在所述底座上，所述刀具调节机构固定在所述底座上，所述动力件设置在所述底座的一侧；所述夹紧机构固定...
    2025-06-21
  • 戴尔根霉菌Rhizopus delemar的新用途
    戴尔根霉菌Rhizopus delemar的新用途_广东江门中医药职业学院_202510286866.1
    本发明涉及戴尔根霉菌Rhizopus delemar在中药枳实饮片炮制方法中的应用，属于药物炮制领域。本发明炮制方法明确了发酵菌株，避免了发酵过程空气中杂菌的干扰，确保了枳实饮片的安全性。同时优化和确定了发酵蒸制枳实关键工艺参数，确保了枳实...
    2025-06-21
  • 二苯乙烯苷、丹参酮ⅡA组合脂质体及其制备方法
    二苯乙烯苷、丹参酮ⅡA组合脂质体及其制备方法_深圳海王医药科技研究院有限公司_202311702075.X
    本发明涉及一种用于阿尔兹海默病治疗和改善学习记忆能力障碍的脑靶向载二苯乙烯苷和丹参酮ⅡA组合脂质体及制备方法，该组合物包含修饰因子Angiopep‑2和脂质体载体以及二苯乙烯苷、丹参酮ⅡA。利用Angiopep‑2作为靶头，采用薄膜分散与硫...
    2025-06-21
  • 一种背照式图像传感器及其电学隔离结构的形成方法
    一种背照式图像传感器及其电学隔离结构的形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202311714616.0
    本发明提供一种背照式图像传感器，包括：电学隔离结构，其包括从衬底的正面延伸至背面的深沟槽隔离结构和形成于所述衬底的正面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述深沟槽隔离结构上方并与其相连。还提供一种背照式图像传感器的电学隔离结构的形成方...
    2025-06-21
  • 半导体元件的形成方法和半导体元件
    半导体元件的形成方法和半导体元件_成都紫光半导体科技有限公司_202311717333.1
    本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件，其中的方法包括：步骤S10，提供具有平坦顶面的衬底(10)，所述衬底(10)顶面形成有栅极区域(20)；步骤S20，在所述栅极区域(20)的顶面形成氮化硅层(30)；步骤S30，蚀刻所述氮化硅...
    2025-06-21
  • 一种用于车辆的集成式高压DCDC变换器及高压直流电转换方法、一种车辆
    一种用于车辆的集成式高压DCDC变换器及高压直流电转换方法、一种车辆_上海海拉电子有限公司_202311711767.0
    本发明提供了一种用于车辆的集成式高压DCDC变换器，包括第一电路和第二电路；其中，所述第一电路包括依次串联的EMI滤波电路、逆变电路、隔离电路、整流电路、第一滤波电路，所述EMI滤波电路与高压直流电源相连，所述第一滤波电路与第一低压直流电源...
    2025-06-21
  • 垂直式功率半导体器件及其制造方法
    垂直式功率半导体器件及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202311713529.3
    本公开涉及一种垂直式功率半导体器件及其制造方法。所述器件包括：衬底，具有彼此相对的二表面；衬底的第一表面上且彼此相邻的第一栅极结构和第二栅极结构；第一介电层，覆盖第一栅极结构、第二栅极结构和衬底的第一表面，第一介电层在第一栅极结构和第二栅极...
    2025-06-21
  • 半导体元件的形成方法和半导体元件
    半导体元件的形成方法和半导体元件_成都紫光半导体科技有限公司_202311717327.6
    本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件，其中的方法包括：步骤S10，提供硅衬底，并在硅衬底的顶面上形成堆叠结构；步骤S20，通过STI刻蚀工艺依次刻蚀堆叠结构和硅衬底，以形成沿水平方向间隔设置的用作隔离区域的第一沟槽；步骤S40，通...
    2025-06-21
  • 一种半导体外延结构形成方法及半导体器件
    一种半导体外延结构形成方法及半导体器件_株洲中车时代半导体有限公司_202311711551.4
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体外延结构形成方法及半导体器件，半导体外延结构形成方法包括以下步骤：在衬底的背面进行光刻、刻蚀，形成光刻标记；在衬底的正面外延第一层第一型掺杂外延层，在第一层第一型掺杂外延层的表面旋涂光刻胶；或...
    2025-06-21
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