Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
信息存储应用技术
  • 一种可编程输入缓冲器电路、数据处理方法、芯片
    一种可编程输入缓冲器电路、数据处理方法、芯片_深圳云豹智能有限公司_202311577932.8
    本申请涉及一种可编程输入缓冲器电路、数据处理方法、芯片，包括：数据输入模块，用于接收外设输入的数据，并将外设输入的数据存储至缓冲模块；指令解码模块，用于接收指令流水线发出的指令，并根据预设的解码表对指令进行解析得到解码信息；相对读地址模块，...
    2025-05-30
  • 一种数据读取电路
    一种数据读取电路_浙江力积存储科技有限公司_202411435924.4
    本申请提供一种数据读取电路，包括：数据转换电路，包括第一并联转串联电路以及命令控制电路，第一并联转串联电路与存储阵列连接，读取存储阵列并行数据；命令控制电路基于读命令的控制，生成触发时序不同的控制信号至第一并联转串联电路，对存储阵并行数据进...
    2025-05-30
  • 存储器系统及其操作方法、电子设备、存储介质
    存储器系统及其操作方法、电子设备、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202311607895.0
    本公开实施例提供了一种存储器系统及其操作方法、电子设备、存储介质；其中，存储器系统包括：非易失性存储器装置，包括多个存储单元，所述多个存储单元中包括目标存储单元；以及存储器控制器，与所述非易失性存储器装置耦接，且被配置为：当所述目标存储单元...
    2025-05-30
  • 一种基于极性加固技术的SRAM存储电路
    一种基于极性加固技术的SRAM存储电路_安徽大学_202210081246.0
    本发明公开了一种基于极性加固技术的SRAM存储电路，包括四个PMOS晶体管和十个NMOS晶体管，PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合；NMOS晶体管N3、N4、N5、N6作为下拉管，NMOS晶体管N5和N6交...
    2025-05-30
  • 带有无比写入端口的计算存储器单元及处理阵列装置
    带有无比写入端口的计算存储器单元及处理阵列装置_GSI技术有限公司_202110166435.3
    一种计算存储器单元和处理阵列具有无比写入端口，使得到所述存储器单元的写入不需要克服PMOS晶体管的驱动强度，所述PMOS晶体管是所述存储器单元的存储单元的部分。所述计算存储器单元还可具有带隔离电路的第二读取端口。
    2025-05-30
  • 用于多库和多泵刷新操作的设备和方法
    用于多库和多泵刷新操作的设备和方法_美光科技公司_201980081451.3
    本公开的实施例涉及用于在存储器库处本地生成刷新地址的设备和方法。所述存储器库可包含库逻辑电路或与所述库逻辑电路相关联，所述库逻辑电路锁存来自用于刷新操作的第一泵的全局行地址总线的初始刷新地址。然后，所述库逻辑电路更新所接收的锁存的刷新地址，...
    2025-05-30
  • 一种冗余电路、冗余地址访问电路及访问方法
    一种冗余电路、冗余地址访问电路及访问方法_浙江力积存储科技有限公司_202411768323.5
    本发明提供一种冗余电路、冗余地址访问电路及访问方法，冗余电路包括熔断使能产生模块和地址熔断模块；熔断使能产生模块基于输入地址，产生熔断使能信号并输入地址熔断模块，地址熔断模块包括多个单元；熔断使能产生模块被配置为：在输入地址不属于特征地址时...
    2025-05-30
  • 盘装置以及电子设备
    盘装置以及电子设备_株式会社东芝_202110869353.5
    本发明的实施方式涉及盘装置以及电子设备。盘装置具备壳体、盘状的记录介质、磁头、内部无线通信装置以及内部部件。壳体在内部设置有收纳空间。记录介质收纳于收纳空间，并具有记录层。磁头收纳于收纳空间，构成为相对于上述记录介质读写信息。上述内部无线通...
    2025-05-30
  • 磁性隧道结器件
    磁性隧道结器件_国际商业机器公司_202380072821.3
    本发明的实施例提供一种磁性隧道结(MTJ)结构。该MTJ结构包括MTJ堆叠，该MTJ堆叠包括参考层上的隧道势垒层及隧道势垒层上的自由层，其中自由层包括多个子自由层，多个子自由层为彼此平行地放置在所述隧道势垒层上的多个铁磁条，多个铁磁条具有连...
    2025-05-30
  • 一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路
    一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路_安徽大学_202210081249.4
    本发明公开了一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路，包括六个NMOS晶体管和八个PMOS晶体管，六个NMOS晶体管依次记为N1～N6，八个PMOS晶体管依次记为P1～P8，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合，PMOS晶体管P1、P...
    2025-05-30
  • 存储器控制器
    存储器控制器_华邦电子股份有限公司_202010673537.X
    本发明提供一种存储器控制器。存储器控制器适用于伪静态随机存取存储器。存储器控制器包括模式寄存器、模式寄存器写入控制器以及延迟控制器。模式寄存器用以依据写入指示信号以产生延迟控制信号。模式寄存器写入控制器用以在模式寄存器写入动作中产生写入指示...
    2025-05-30
  • 操作存储器装置的方法
    操作存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411068945.7
    本文提供了一种操作存储器装置的方法。该操作存储器装置的方法可包括以下步骤：对与第一选择线对应的第一插塞的第一沟道和与第二选择线对应的第二插塞的第二沟道进行预充电；将编程使能电压和编程禁止电压中的一个施加到第一沟道；将编程使能电压和编程禁止电...
    2025-05-30
  • 固态存储器的数据读取方法和装置、存储介质及电子设备
    固态存储器的数据读取方法和装置、存储介质及电子设备_山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司_202510051541.5
    本申请实施例提供了一种固态存储器的数据读取和装置、存储介质及电子设备，其中，该固态存储器的数据读取方法包括：获取携带有数据属性信息的数据读取指令；其中，数据读取指令用于从固态存储器的存储单元中读取与数据属性信息匹配的匹配数据；基于设定的初始...
    2025-05-30
  • DRAM的刷新周期检测方法、装置、设备和计算机可读介质
    DRAM的刷新周期检测方法、装置、设备和计算机可读介质_北京超弦存储器研究院_202411972360.8
    本发明提供了一种DRAM的刷新周期检测方法、装置、设备、计算机可读介质和程序产品，该方法包括分配预设容量的缓冲区用于刷新周期检测；将测试数据遍历到缓冲区后，在初始刷新周期内持续读取数据；记录每次刷新周期以及检查读取的数据是否完整；响应于刷新...
    2025-05-30
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统以及感测电路
    存储器装置及其操作方法、存储器系统以及感测电路_长江存储科技有限责任公司_202311607822.1
    本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统以及感测电路。其中，存储器装置包括：存储器单元阵列；第一感测电路，通过第一数据线对耦合至存储器单元阵列；第二感测电路，通过第二数据线对耦合至第一数据线对；隔离电路，位于第一数据线对和第二...
    2025-05-30
  • 一种超级电容中转站
    一种超级电容中转站_河北康保广恒新能源有限公司_202421627522.X
    本实用新型公开了一种超级电容中转站，涉及超级电容技术领域，该超级电容中转站，通过设置散热组件一和散热组件二，活塞、活塞杆、配重块以及滑杆、弹性件构成的动力组件能够在三轮车行驶在颠簸路面时发生同频震动，动力组件能够利用纵向方向上的同频震动达到...
    2025-05-30
  • 执行刷新操作的存储器件及其操作方法
    执行刷新操作的存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202411566518.1
    一种存储器件，包括：多个核管芯，其中，多个核管芯中的每个核管芯包括多个通道区域，所述多个通道区域包括多个存储体阵列，并且其中，多个核管芯堆叠在竖直方向上；以及逻辑管芯，在多个核管芯下方，其中，逻辑管芯包括存储器控制器和至少一个温度传感器，且...
    2025-05-30
  • 延迟锁定回路电路
    延迟锁定回路电路_福建省晋华集成电路有限公司_202111465058.X
    本发明公开了延迟锁定回路电路，包含一延迟电路，一第一相位检测器，一第二相位检测器以及一计数控制电路，延迟电路用以延迟一参考时钟信号以输出一延迟时钟信号；第一相位检测器用以产生一相位差信号；第二相位检测器用以产生一判断信号；计数控制电路依据相...
    2025-05-30
  • 控制电路和存储器
    控制电路和存储器_长鑫存储技术有限公司_202110610985.X
    本申请实施例提供一种控制电路和存储器，控制电路包括：外部数据线，用于接收原始数据和原始ECC校验码；第一校验模块，用于在数据传输发生错误，根据原始ECC校验码进行检错和/或纠错，并输出纠正后的数据和纠正后的ECC校验码；比较模块，用于逐位检...
    2025-05-30
  • 一种碳化钛薄膜材料、制备方法及锌离子混合电容器
    一种碳化钛薄膜材料、制备方法及锌离子混合电容器_湖南大学_202510047626.6
    本发明涉及一种碳化钛薄膜材料、制备方法及锌离子混合电容器，所述碳化钛薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：将碳化钛纳米片和铵盐的水溶液混合后，超声处理，再固液分离，取上层液体获得插层的碳化钛纳米胶体；向所述插层的碳化钛纳米胶体中加入水溶性盐，反...
    2025-05-30
首页 上一页 1 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证