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  • 本发明公开了一种军工词汇挖掘方法、装置、设备及存储介质,具体公开了:对待识别军工语料进行分词,获得多个初始词,根据目标军工词典对应的规则库分别对多个初始词进行识别,并根据识别结果从多个初始词中筛选出符合规则库中各规则的候选词,获取各候选词的...
  • 本公开涉及测试技术领域,公开了基于测试用例的代码生成方法、装置、设备及存储介质。其中,该方法包括:获取目标测试用例;基于目标测试用例的代码描述信息,生成目标测试用例的提示信息;基于提示信息,生成目标测试用例对应的目标功能代码。通过实施本公开...
  • 本发明提供了一种数据质量诊断方法、数据修复方法及数据处理系统,其中数据质量诊断方法包括提供多个数据节点,每个数据节点包括节点属性,其中节点属性包括预设信息、数据节点提取位置、物理连接关系和数据加工过程中的一项或多项;根据每个数据节点的节点属...
  • 本发明提供了一种抗压缩母粒及其制备方法和一种低压缩形变发泡材料及其制备方法,所述抗压缩母粒是以具有碳碳双键的TPU为基体,高回弹橡胶为改性剂,酚醛类树脂为引发剂,经熔融接枝反应制得。将所述的抗压缩母粒加入发泡材料配方中,得到发泡材料性能优异...
  • 本发明公开了一种IBC桶用高密度聚乙烯树脂及其制备方法,所述的树脂含有以下重量份的原料:乙烯己烯共聚聚乙烯基础树脂100份、光稳定剂0.08~0.25份、主抗氧剂0.05~0.15份和辅助抗氧剂0.03~0.12份;各物料经过混合器混匀后,...
  • 本发明公开了一种大中空容器和托盘用高密度聚乙烯树脂及其制备方法,所述的树脂包括以下重量份的原料:100重量份乙烯己烯共聚聚乙烯基础树脂、0.06~0.15重量份主抗氧剂和0.05~0.11重量份辅助抗氧剂;各组分经过混合器混匀后,经挤压机加...
  • 根据本发明实施方式的太阳能电池制造设备包括:第一分配器,用于将导电粘合剂涂敷到太阳能电池的第一侧;翻转部件,翻转太阳能电池;第二分配器,用于将导电粘合剂涂敷到太阳能电池的第二侧;第一传送器,将太阳能电池(其第一侧通过第一分配器涂敷)运输到翻...
  • 本申请提供了一种电容器、存储单元、存储阵列、存储器和电子设备。其中,电容器包括:第一电极,第一电极包括第一子电极和第二子电极,第二子电极环绕第一子电极且与第一子电极的侧面连接;第二电极,第二电极环绕第一电极,且与第一子电极朝向所述第二子电极...
  • 本发明提供一种磁存储单元制备方法,所述方法包括:提供一衬底,所述衬底包括磁存储单元底电极;在所述底电极上制备磁隧道结叠层,并获取所述磁隧道结叠层的一个以上的实际参数;将所述实际参数与对应的第一预设参数进行比较,确定比较结果;依据所述比较结果...
  • 本申请提供一种显示面板和显示装置,该显示面板通过使任意两条时钟信号线中,一条时钟信号线和一重复单元内对应的所有通孔的重叠面积与另一条时钟信号线和一重复单元内对应的所有通孔的重叠面积相等,且任一时钟信号线与一重复单元内通孔的重叠面积等于时钟信...
  • 本申请公开了一种光电器件及其制备方法及显示装置,光电器件包括层叠的阳极、活性层以及阴极,所述活性层的材料包括自组装材料。本申请技术方案提供的光电器件,采用包含自组装材料的活性层,有助于提高器件的电流效率。
  • 本申请公开一种发光器件、发光器件的制备方法以及电子设备,在所述发光器件中,发光层的材料包含具有核壳结构的量子点,通过调控量子点中核体的平均粒径和壳层的厚度能够提高空穴注入水平与电子注入水平之间的匹配度,促进载流子传输平衡,从而提升发光器件的...
  • 本申请公开一种发光器件、发光器件的制备方法以及电子设备,在所述发光器件中,发光层的材料包含具有核壳结构的量子点,通过调控量子点中核体的平均粒径和壳层的厚度能够提高空穴注入水平与电子注入水平之间的匹配度,促进载流子传输平衡,从而提升发光器件的...
  • 本发明提供一种存储结构及其制备方法,存储结构包括:自下而上依次堆叠的衬底、金属互连层、存储阵列和顶部金属层;存储阵列包括:工作存储子阵列和dummy存储子阵列,工作存储子阵列用于存储数据,dummy存储子阵列包围工作存储子阵列;工作存储子阵...
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列结构,半导体结构包括基底;位于基底上的写晶体管以及读晶体管,写晶体管包括第一栅极、环绕第一栅极的第一半导体层、沿第一方向延伸的写位线以及沿第二方向延伸的写字线,写位线与第一...
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供一种存储结构及其制造方法,结构包括:存储晶体管、位线和电容,多个存储晶体管在沿第一方向间隔排列,存储晶体管包括沿第二方向相对设置的第一侧和第二侧;位线包括沿第一方向上交替连接的第一部分和第二部分,第一部分位于...
  • 一种半导体器件、存储器及其制造方法、电子设备,属于半导体器件的设计与制造领域,所述半导体器件包括:衬底和设置在所述衬底上的至少一个存储单元,所述存储单元包括:读取晶体管,包括第一栅电极、第二栅电极和第一半导体层;所述第一栅电极与读字线连接;...
  • 本公开涉及一种存储器及其制造方法、电子设备。该存储器的制造方法,包括以下步骤:对沿垂直衬底方向形成交替层叠的多层隔离材料层和多层导电材料层进行一次刻蚀工艺,形成具有相同图案的多层隔离图案层和多层导电图案层;导电图案层包括沿第一方向延伸的位线...
  • 本发明揭示一种金属层填缝结构,包括一金属基板、以及一介电材料,该金属基板包括至少一镂空的准分割单元、以及完整包围该准分割单元的沟渠,该介电材料填入于该沟渠的全部或部分区域内以强化并支撑该金属基板上的该准分割单元。
  • 本申请提供一种电路板,其包括电路基板、黑化层和黑色油墨层。电路基板包括基层和设置于基层表面的导电线路层,导电线路层包括导电图案和连接垫,导电图案和连接垫之间具有间隙。黑化层包覆导电图案显露于基层外的表面。黑色油墨层覆盖导电线路层背离基层的表...
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