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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本申请公开一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器,该方法将经过大气解理和预处理的激光器芯片堆叠放置到进样腔进行第一热处理,随后在生长腔依次进行第二热处理、注入还原性气体冲击和进行第三热处理,并注入含氟离子源气体对GaAs基底表面进行表...
  • 一种基于水冷与磁约束的空心阴极细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了现有方法受限于空心阴极端口局部温度过高,导致的空心阴极靶变形失效的问题。装置:水冷与磁约束结合。方法:自辉光清洗细长管筒件内壁;空心阴...
  • 一种用于实现颜色效果的TiO2CrAlCr夹层复合膜及制备方法,该夹层复合膜包括由内自外顺序堆叠的二氧化钛层(TiO2层)、第一层铬层(Cr层)、铝层(Al层)和第二层铬层(Cr层)。所得复合膜具...
  • 本发明涉及一种分批型衬底处理装置,所述分批型衬底处理装置用于防止因工艺气体在气体入口端口的内圆周表面上的冷凝而引起的粉末形成,所述分批型衬底处理装置包括:反应管,用于提供处理空间,在所述处理空间中容置有多个衬底;环状的凸缘部,具有设置在其中...
  • 本发明属于原子层沉积技术领域,涉及一种等离子体原子层沉积设备,包括:反应气体输入组件,用于输入反应气体;反应试剂输入组件,用于输入反应试剂;等离子气体生成组件,用于利用所述反应气体生成等离子气体;所述等离子气体生成组件与所述反应气体输入组件...
  • 本发明公开了一种高折射率增透防蓝光镜片及其加工工艺,其包括:固化后的树脂基片,树脂基片表面通过溶胶凝胶工艺成型出加硬层;镀制于树脂基片表面的低反混合膜层,低反混合膜层由内至外依次包括氧化锆膜层、二氧化硅膜层、氧化钛膜层、二氧化硅膜层、氧化钛...
  • 本发明属于半导体材料的技术领域,公开了一种改性氮化硅薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的改性氮化硅薄膜的制备方法包括采用热原子层沉积向所述反应室中依次引入硅前驱体和金属掺杂碳点进行化学吸附后,再采用氮源等离子气体进行反应以最终得到改性氮化硅...
  • 本实用新型涉及镀膜加工技术领域,且公开了一种翻板机构及镀膜设备,包括安装座,安装座的顶部后端固定安装有限位滑块,安装座的内壁设置有自动夹持同步翻板机构,自动夹持同步翻板机构包括有第一伺服电机,且第一伺服电机的左侧壁面与安装座的右侧壁面固定连...
  • 本发明公开了一种用于路灯灯杆生产的镀锌机构,包括镀锌池,所述镀锌池的一侧表面固定安装有固定框,所述固定框的一侧表面固定安装有气缸一,所述气缸一的活塞杆端固定安装有升降板,所述升降板的一侧表面固定安装有轴座,所述轴座的一侧表面转动有转轴一,所...
  • 本申请公开一种预热装置及光伏材料加工设备,预热装置包括真空腔体、两个加热组件和两个喷淋组件。真空腔体设有容纳腔,容纳腔包括沿真空腔体的厚度方向设置的第一侧和第二侧。两个加热组件相对设置于第一侧和第二侧,加热组件用于对第一侧和第二侧的片状材料...
  • 提供一种用于在衬底上沉积蒸镀材料的系统。所述衬底具有中心轴线。所述系统包含蒸镀真空室、至少一个喷嘴组合件及阴影掩模。所述喷嘴组合件具有三点式多个点蒸镀源,其经安置成邻近于所述衬底的中心轴线且在离所述衬底某一距离处,借此所述喷嘴组合件提供蒸镀...
  • 本公开涉及一种CrAlN涂层及其制备方法,该包括以下步骤:S1.在镀膜室内通入N2,启动Cr靶,在基片上沉积CrN过渡层;S2.继续通入N2,关闭Cr靶启动Cr50Al
  • 本发明涉及真空镀膜技术领域,尤其是指一种自动上下伞的双面光学镀膜设备,包括机体、均设置于机体的真空镀膜机构、上下料机构以及公转模组,公转模组用于驱动伞具进行转动,真空镀膜机构用于对公转模组上的伞具内产品进行真空镀膜,上下料机构用于对公转模组...
  • 本申请提供一种升降机构及预热装置,预热装置包括预热舱,预热舱用于加热片状材料,预热舱包括沿竖直方向设置的预热位置和传输位置,预热位置为片状材料加热时在预热舱内的位置,传输位置用于对接与预热舱连通的反应舱,升降机构设置于预热舱内,升降机构包括...
  • 本发明提供了一种在涂布辊上为条状柔性电介质基材涂金属层的方法及装置,在该涂层期间,将该基材沿着该基材的纵向方向引导到该涂布辊上。对该基材进行充电,以提高该基材在该涂层期间在该涂布辊上的附着力。为该基材涂第一金属层,其中沿着该基材的该纵向方向...
  • 本发明公开一种工艺气体喷嘴及半导体工艺腔室,所公开的工艺气体喷嘴包括喷嘴主体(21)、第一凸起(22)和环状部(23),所述喷嘴主体(21)具有第一端(213)和第二端(214),所述环状部(23)环绕所述第二端(214)设置,所述第一凸起...
  • 本公开涉及一种CrAlTiSiN涂层及其制备方法,该包括以下步骤:S1.在镀膜室内通入N2,启动Cr靶,在基片上沉积CrN过渡层;S2.继续通入N2,关闭Cr靶,启动Cr50...
  • 本发明公开了一种GH4169材料离子注入表面改性的方法,包括如下步骤:对GH4169材料进行表面抛光及清洗;将GH4169材料放入离子注入设备真空腔体内进行抽真空;对GH4169材料进行加热;对GH4169材料依次循环进行非金属离子注入和金...
  • 本发明提出了一种耐腐蚀低摩擦的CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜及其制备方法。其组成元素为Co、Cr、Ni、Ti和C。采用平面射频磁控溅射在基体和单晶硅片(100)上制备CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜,靶材选择CoCrNi合金靶、T...
  • 本发明属于疏水薄膜制备方法技术领域,具体涉及一种高含量氧化钛疏水薄膜的制备方法。本发明采用多弧离子镀制备TiO2工艺,首先利用电压击穿产生辉光等离子体,在真空室壁与金属工件间生成一个加速电场,带电粒子在电场加速下高速撞...
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