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最新专利技术
  • 一种基于约束聚焦的定向灰盒模糊测试方法
    一种基于约束聚焦的定向灰盒模糊测试方法_国家计算机网络与信息安全管理中心_202311707825.2
    本发明涉及一种基于约束聚焦的定向灰盒模糊测试方法，属于网络安全技术领域。本发明能够减少数据流分析所需跟踪的信息，通过约束过滤和聚焦减少数据流信息。在定向灰盒模糊测试中通过约束过滤和聚焦降低了数据流分析的开销，简化了数据流跟踪过程，并避免了人...
    2025-06-24
  • 数据查询方法、装置、电子设备及存储介质
    数据查询方法、装置、电子设备及存储介质_北京罗克维尔斯科技有限公司_202311707999.9
    本公开提供了一种数据查询方法、装置、电子设备及存储介质。其中，该方法包括：获取问题语句；根据预先建立的生成式模型对问题语句中的图谱信息进行识别，并将识别的图谱信息按照预设格式进行组合，得到结构化文本表示的图谱信息；图谱信息至少包括实体信息和...
    2025-06-24
  • 有害语料挖掘方法、装置、电子设备以及存储介质
    有害语料挖掘方法、装置、电子设备以及存储介质_深圳云天励飞技术股份有限公司_202311705754.2
    本发明实施例提供一种有害语料挖掘方法，该方法包括：S1、获取第一有害语料种子样本以及语料数据集；S2、基于第一有害语料种子样本在语料数据集中进行文本相似度检索，得到潜在有害语料样本集；S3、通过预设的语义特征分类模型对潜在有害语料样本集中各...
    2025-06-24
  • 基于生成式预训练GPT模型的标注优化方法及装置
    基于生成式预训练GPT模型的标注优化方法及装置_青岛海尔科技有限公司_202311703394.2
    本申请公开了一种基于生成式预训练GPT模型的标注优化方法及装置，涉及人工智能技术领域，其中，该方法包括：使用标注好的第一文本数据训练具有N个预设类别的初始分类模型(GPT模型)得到中间分类模型；将待标注的第二文本数据输入中间分类模型得到中间...
    2025-06-24
  • 一种刻蚀SiC PiN沟槽终端结构的方法
    一种刻蚀SiC PiN沟槽终端结构的方法_北京智慧能源研究院_202311697600.3
    本发明提供了一种半导体器件终端结构的刻蚀方法，先在SiC晶圆表面沉积两层厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通过调整刻蚀工艺参数刻蚀SiC晶圆，主要是向反应腔室内通入SF6、O2作为刻蚀气体同...
    2025-06-24
  • 一种分离栅半导体器件的制作方法
    一种分离栅半导体器件的制作方法_润西微电子(重庆)有限公司_202311708160.7
    本发明提供一种分离栅半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供一具有背封层的晶圆，背封层包括依次叠加的内层多晶硅层、中层氧化层与外层多晶硅层；从晶圆正面形成沟槽；形成牺牲氧化层于沟槽内壁，并采用湿法蚀刻去除牺牲氧化层；形成沟槽栅结构于沟槽中，...
    2025-06-24
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311698686.1
    本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底上的沟道结构，沟道结构包括依次形成于衬底上的沟道层和势垒层，沟道结构包括栅极区域，以及位于栅极区域两侧的源极区域与漏极区域；位于源极区域和漏极区域内的第一凹槽，第一凹槽至...
    2025-06-24
  • 集成电路及其制备方法、电子设备
    集成电路及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202311708187.6
    本申请提供一种集成电路及其制备方法、电子设备，涉及电子技术领域，可解决集成电路中电子元件实现欧姆接触的金属硅化物的电阻阻值随尺寸减小而增大的问题。该集成电路包括：基底、电子元件、连接部、二氧化硅层；电子元件设于基底上，并包括接触部，接触部的...
    2025-06-24
  • 一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备
    一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备_华为技术有限公司_202311704685.3
    一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备，该MOSFET芯片包括栅极焊盘、至少两条栅极总线和至少两个原胞区域，至少两个原胞区域中的每个原胞区域包括至少一个原胞单元。至少两条栅极总线中的每条栅极总线与至少两个原胞区域中不同的原胞区域连接，...
    2025-06-24
  • 一种IBC电池及其制备方法
    一种IBC电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202311706995.9
    本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例通过在原硅区域形成含硼硅涂层并进行激光掺杂处理，即可以对该原硅区域进行高浓度硼掺杂而形成p型掺杂区，避免了采用传统管式硼源的掺杂方式带来的副作用，提升了电池的转换效率。
    2025-06-24
  • 一种外延片及其制作方法、发光芯片
    一种外延片及其制作方法、发光芯片_重庆康佳光电科技有限公司_202311705859.8
    本申请涉及一种外延片及其制作方法、发光芯片，外延片包括衬底；设于所述衬底上的成核层；以及设于所述成核层上的三维过渡层，所述三维过渡层包括至少一个三维过渡子层，所述三维过渡子层包括依次周期性层叠的第一晶向结晶层、第一切换层、第一保持层；所述第...
    2025-06-24
  • 显示芯片的制作方法、显示芯片及基底结构
    显示芯片的制作方法、显示芯片及基底结构_北京字跳网络技术有限公司_202311707585.6
    本申请公开了一种显示芯片的制作方法、显示芯片及基底结构，属于半导体技术领域。所述方法包括：形成基底结构；所述基底结构包括衬底，以及位于所述衬底一侧的二维材料层；在所述二维材料层背离所述衬底的一侧形成像素单元，所述像素单元包括依次设置在所述二...
    2025-06-24
  • 显示芯片及制作方法
    显示芯片及制作方法_北京字跳网络技术有限公司_202311707988.0
    本申请公开了一种显示芯片及制作方法，属于半导体技术领域。所述显示芯片包括：像素单元，所述像素单元包括依次设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层；其中，在...
    2025-06-24
  • 一种发光模组的制作方法、发光模组和显示装置
    一种发光模组的制作方法、发光模组和显示装置_重庆康佳光电科技有限公司_202311705942.5
    本申请涉及一种发光模组的制作方法、发光模组和显示装置。发光模组的制作方法包括提供电路基板和发光器件，发光器件包括发光芯片以及将发光芯片封装的封装层；将发光器件设于电路基板上；软化封装层，以使封装层流至电路基板上；以及固化封装层以将电路基板和...
    2025-06-24
  • 一种基于上下文的问答处理方法和装置
    一种基于上下文的问答处理方法和装置_北京深势科技有限公司_202311695051.6
    本发明实施例涉及一种基于上下文的问答处理方法和装置，所述方法包括：接收上下文文本、问题文本和答案优选数量作为对应的第一上下文、第一问题和第一优选数量；将第一上下文和第一问题输入问答模型，由问答模型根据第一上下文对第一问题的答案进行预测得到对...
    2025-06-24
  • 一种检索增强生成模型的处理方法和装置
    一种检索增强生成模型的处理方法和装置_北京深势科技有限公司_202311694436.0
    本发明实施例涉及一种检索增强生成模型的处理方法和装置，所述方法包括：检索增强生成模型接收用户输入的第一文本；基于预设的文本切割规则对第一文本进行切割得到对应的第一文本片段序列X{xi}；根据各个第一文本片段x...
    2025-06-24
  • 信息发送方法、装置、设备、计算机可读介质和程序产品
    信息发送方法、装置、设备、计算机可读介质和程序产品_北京京东乾石科技有限公司_202311695128.X
    本公开的实施例公开了信息发送方法、装置、设备、计算机可读介质和程序产品。该方法的一具体实施方式包括：获取针对目标预约对象的预约结果；响应于确定该预约结果表征与该目标预约对象已互相沟通，获取针对该目标预约对象的沟通数据；对该沟通数据进行数据指...
    2025-06-24
  • 一种肖特基二极管以及制备方法
    一种肖特基二极管以及制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311696544.1
    本发明公开了一种肖特基二极管以及制备方法，该肖特基二极管包括：衬底；异质结构，异质结构包括整面异质结和多个条形异质结，整面异质结位于衬底上，多个条形异质结位于整面异质结远离衬底的表面，且相邻两个条形异质结间隔排布；阳极位于整面异质结远离衬底...
    2025-06-24
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202311686032.7
    提供一种电子装置。电子装置包括基板、第一绝缘层、半导体氧化物层、第二绝缘层与门极电极。第一绝缘层设置于基板上。半导体氧化物层设置于第一绝缘层上，且具有第一部分以及相邻第一部分的第二部分。第二绝缘层设置于半导体氧化物层上。栅极电极设置于基板上...
    2025-06-24
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202311695075.1
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；位于衬底一侧的N型漂移层；位于N型漂移层远离衬底一侧的P型基区；位于P型基区中的N型源区和P型源区；位于N型源区和P型源区之间的栅极沟槽；位于栅极沟槽底部和侧壁的栅极介质层，填充栅极沟...
    2025-06-24
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