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最新专利技术
  • 基于光激发电驱动活性氧通道的体外免疫检测方法
    基于光激发电驱动活性氧通道的体外免疫检测方法_重庆大学_202510329566.7
    本发明属于生物工程技术领域，具体涉及一种基于光激发电驱动活性氧通道的体外免疫检测方法。本发明提供的方法为检测生物样本中的靶标蛋白，包括制备含有光敏剂的供体珠复合物和含有多酚的受体珠复合物，将所述供体珠复合物与所述受体珠复合物放入待测生物样本...
    2025-07-04
  • 图高速缓冲存储器
    图高速缓冲存储器_慧与发展有限责任合伙企业_202410967785.3
    一种用于高效地存储图结构的图高速缓冲存储器。图高速缓冲存储器可以用于计算系统中以加速通过图神经网络对图的处理，并且与计算系统的通用存储器不同。图的节点的嵌入存储在计算系统的存储器中，而图的结构存储在图高速缓冲存储器中。图高速缓冲存储器可以包...
    2025-07-04
  • 一种基于近场通信的支付方法、装置、设备及介质
    一种基于近场通信的支付方法、装置、设备及介质_支付宝(杭州)信息技术有限公司_202510138062.7
    本说明书实施例公开了一种基于近场通信的支付方法、装置、设备及介质。方案包括：具有近场通信功能的移动终端发出用于触发NFC标签的电磁信号；获取响应于所述电磁信号的NFC标签的标签信息；所述标签信息包含支付链接信息；基于所述支付链接信息，显示支...
    2025-07-04
  • 电池组和电池组的装配方法
    电池组和电池组的装配方法_株式会社LG新能源_202480004449.7
    本技术的示例性实施例提供一种电池组。电池组包括下框架，该下框架包括底板、与底板的第一侧部连接的第一侧板以及与底板的第二侧部连接的第二侧板；以及第一电池组件和第二电池组件，第一电池组件和第二电池组件位于底板上，第一电池组件和第二电池组件中的每...
    2025-07-04
  • 写入驱动器和包括其的半导体存储器装置
    写入驱动器和包括其的半导体存储器装置_三星电子株式会社_202410958587.0
    公开了一种写入驱动器和包括其的半导体存储器装置。所述用于对半导体存储器装置执行写入操作的写入驱动器包括：第一上拉电路、第二上拉电路和下拉电路。第一上拉电路连接到输出端子，并基于电源电压和第一上拉控制信号对输出端子进行上拉。第二上拉电路连接到...
    2025-07-04
  • 一种纺织布的锯齿横切式断布工艺
    一种纺织布的锯齿横切式断布工艺_瑞法诺(苏州)机械科技有限公司_202510215442.6
    本发明公开了纺织布的锯齿横切式断布工艺，包括如下步骤：S1、位置调整；S2、吹扫断布。本发明一方面基于并排、对齐、错位布局以形成齿尖位于同一直线上的锯齿随着布料同步运动中实施穿透断布，且不受布料宽幅限制，切口整齐品质高，废料头少；另一方面基...
    2025-07-04
  • 一种信号处理方法、通信节点、存储介质及程序产品
    一种信号处理方法、通信节点、存储介质及程序产品_中兴通讯股份有限公司_202410951484.1
    本申请提供一种信号处理方法、通信节点、存储介质及程序产品，该方法包括：第一通信节点接收参考信息响应消息，参考信息响应消息中包括第一参考信息，第一参考信息用于辅助第一通信节点在感知信号处理过程中进行干扰消除，第一通信节点接收到参考信息响应消息...
    2025-07-04
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202410949311.6
    提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括基底和在基底中的像素分离结构，像素分离结构将图像传感器的像素彼此分离。像素包括沿着第一方向彼此间隔开的第一像素和第二像素。像素分离结构包括：第一含硅图案，当在平面图中观看时围绕第一像素和第二像素中的每...
    2025-07-04
  • 清洁机器人及其污物排除方法
    清洁机器人及其污物排除方法_苏州爱普电器有限公司_202410944519.9
    本申请涉及一种清洁机器人及其污物排除方法，清洁机器人包括能够在地面上移动的本体、可移除地安装在所述本体上的污物收纳容器以及装接在所述本体上的机械手，污物排除方法包括：在接收到污物处理指令后控制所述的清洁机器人执行至少一次标准污物处理操作；其...
    2025-07-04
  • 真空吸尘器、基站以及真空吸尘系统
    真空吸尘器、基站以及真空吸尘系统_苏州爱普电器有限公司_202410933699.0
    本申请涉及真空吸尘器、基站以及真空吸尘系统，真空吸尘器包括：壳体，限定第一、第二空气入口和排气口；抽吸马达，具有吸气端和排气端；集尘杯，设有集尘室、进气口和出气口；第一空气吸入流路，始于第一空气入口，途经集尘室，并达到吸气端；第一空气吸入流...
    2025-07-04
  • 真空吸尘器及其自洁方法
    真空吸尘器及其自洁方法_苏州爱普电器有限公司_202410933700.X
    本申请涉及一种真空吸尘器及其自洁方法，该真空吸尘器包括：机体，设有分别与外界空气连通的第一空气入口、第二空气入口和排气口；集尘杯，支撑在机体上并且包括位于内部的集尘室、进气口和被构造为可选择地关闭和打开的尘盖；以及抽吸电机，安装在机体上并且...
    2025-07-04
  • 替换型尘杯内胆和真空吸尘器
    替换型尘杯内胆和真空吸尘器_苏州爱普电器有限公司_202410936195.4
    本申请涉及一种替换型尘杯内胆和真空吸尘器，替换型尘杯内胆被构造为能够安装在真空吸尘器的尘杯集尘室使用，尘杯内胆包括：壳体，由非透气材料制成，壳体上设有在尘杯内胆安装于集尘室时与集尘室的切向进气口相交接的开口；和过滤芯，由透气材料制成，过滤芯...
    2025-07-04
  • 温度监控系统、无线取电温度传感模块与无线取电装置
    温度监控系统、无线取电温度传感模块与无线取电装置_盟立自动化股份有限公司_202410933340.3
    本发明公开一种温度监控系统、无线取电温度传感模块与无线取电装置。温度监控系统用以监测配置于一轨道的一馈电线的温度。温度监控系统包含多个无线取电温度传感模块与链结多个无线取电温度传感模块的一控制装置。多个无线取电温度传感模块分别对应于轨道的多...
    2025-07-04
  • 一种信号发送方法、通信节点及存储介质
    一种信号发送方法、通信节点及存储介质_中兴通讯股份有限公司_202410936606.X
    本申请公开了一种信号发送方法、通信节点及存储介质。该方法包括：确定传输资源集合，其中，所述传输资源集合包括P个传输资源，所述传输资源包括频域资源和/或码域资源；发送第一信号，其中，所述第一信号包括R个识别码I D，所述传输资源集合用于R个I...
    2025-07-04
  • GLP-1R受体激动多肽化合物及其用途
    GLP-1R受体激动多肽化合物及其用途_中国药科大学_202510028334.8
    本发明公开了GLP‑1R受体激动多肽化合物及其用途，属于多肽医药领域，所述GLP‑1R多肽化合物的氨基酸序列为：H‑X1‑EGTFTSDVSSYLEGQ‑X2‑X3‑B
    2025-07-04
  • ALD阀的正常工作测试装置及其方法
    ALD阀的正常工作测试装置及其方法_株式会社迪艾斯亿科技_202410920952.9
    本发明涉及一种ALD阀的正常工作测试装置及其方法。根据本发明的一实施例的电子装置可以包括存储器(memory)和与所述存储器连接的处理器(processor)，所述处理器向与控制ALD阀的工作的致动器连接而控制流体的供应的第一阀门发送表示将...
    2025-07-04
  • 针对场景媒体的IMS元数据管理促进
    针对场景媒体的IMS元数据管理促进_腾讯美国有限责任公司_202480004534.3
    本公开的实施例涉及一种确定用于对沉浸式媒体流中的特定媒体或媒体部分进行标注的元数据集合是否与该元数据集合描述的媒体或媒体部分一致的方法、设备、系统和非易失性计算机可读介质。该方法还可以包括：响应于确定已经对沉浸式媒体码流中的沉浸式媒体发生了...
    2025-07-04
  • 电池模组和包括该电池模组的电池组
    电池模组和包括该电池模组的电池组_三星SDI株式会社_202410911549.X
    本发明涉及电池模组和包括该电池模组的电池组，该电池模组包括：电池单体；侧板，面对电池单体的侧表面并且包括沿电池单体的宽度方向凸出的凸出部分；单体端子，从电池单体朝向侧板凸出；汇流条座，结合到侧板并且设置在侧板和电池单体之间；以及汇流条，由汇...
    2025-07-04
  • 由废塑料制备热解油的方法
    由废塑料制备热解油的方法_株式会社LG化学_202480004525.4
    本发明提供了一种由废塑料制备热解油的方法，所述方法包括：(S1)将废塑料原料进料至第一反应器，进行初级热解，并将热解产生的上部气态流通过第一反应器的上部排出；(S2)将第一反应器的上部气态流进料到一个或多个蒸馏塔中，根据沸点分离上部气态流，...
    2025-07-04
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202410905913.1
    本公开涉及半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一导电类型外延层，在基底的第一表面上并且包括第一沟槽；栅电极，在第一沟槽内部；栅极绝缘层，在第一导电类型外延层与栅电极之间；源电极，在第一导电类型外延层上；第二导电类型掺杂阱区和第一导电类型...
    2025-07-04
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