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最新专利技术
  • 传输线、振子、移相器、馈电网络、天线和通信设备
    传输线、振子、移相器、馈电网络、天线和通信设备_华为技术有限公司_202311689902.6
    本申请提供了一种传输线、振子、移相器、馈电网络、天线和通信设备。该传输线包括：第一内芯，包括第一主体面，所述第一主体面与所述第一内芯的厚度方向相垂直；地板，包括贯穿所述地板厚度的第一槽孔，其中所述第一槽孔的内壁与所述第一主体面耦合形成电容。...
    2025-07-05
  • 一种耐撕裂的电化学装置用隔膜及其制备方法和应用
    一种耐撕裂的电化学装置用隔膜及其制备方法和应用_中材锂膜有限公司_202311690167.0
    本发明公开了一种耐撕裂的电化学装置用隔膜，通过长支链组分聚乙烯和短支链高分子量高密度聚乙烯的共混，并控制整体的粘均分子量，调控了聚烯烃膜的长程分子链缠结，经过热处理和二次定向拉伸成型后，发现不仅在垂直于膜表面方向的耐穿刺性能优异，在膜幅面的...
    2025-07-05
  • 电池包箱体、电池包和车辆
    电池包箱体、电池包和车辆_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311694017.7
    本发明涉及一种电池包箱体、电池包和车辆。本发明的一种电池包箱体包括：边框，所述边框的转角处设置有容置槽，所述容置槽通过侧抽芯方式形成；吸能件，所述吸能件设置在所述容置槽内。本发明在电池包箱体受到外力撞击时，尤其是在偏置碰撞的情况下，能够将外...
    2025-07-05
  • 一种电池、电池生产装置及电池生产方法
    一种电池、电池生产装置及电池生产方法_宁德时代(上海)智能科技有限公司_202311687561.9
    本申请提供了一种电池、电池生产装置及电池生产方法，该电池包括电池组和箱体，电池组包括多个沿第一方向布置的电池单体；箱体沿第二方向的一端具有开口，第二方向与第一方向相交，箱体包括沿第一方向相对设置两个箱壁，两个箱壁从两侧夹持多个电池单体，箱壁...
    2025-07-05
  • 支撑结构、电池包及车辆
    支撑结构、电池包及车辆_北京车和家汽车科技有限公司_202311685370.9
    本公开涉及电池制造领域，尤其涉及一种支撑结构、电池包及车辆，支撑结构，其用于设置在电池包的液冷板和底护板之间，液冷板上具有朝向底护板凸起设置的流道结构；支撑结构的两端分别与液冷板和底护板抵接，并且，支撑结构上形成有用于供流道结构伸入的镂空空...
    2025-07-05
  • 导流罩及电池化成设备
    导流罩及电池化成设备_致茂电子(苏州)有限公司_202311676557.2
    一种导流罩及电池化成设备，所述导流罩适于设置在机柜内且介于空调装置与承载托盘之间，所述承载托盘用以承载电池排。所述导流罩包括进气罩体，及出气罩体。所述进气罩体设置于所述空调装置一侧，用以供所述空调装置所形成的冷却气流流入。所述出气罩体连接于...
    2025-07-05
  • 一种用于动力电池的热管理控制方法和系统
    一种用于动力电池的热管理控制方法和系统_郑州深澜动力科技有限公司_202311686523.1
    本发明涉及一种用于动力电池的热管理控制方法和系统，属于动力电池热管理技术领域；动力电池充电时，获得环境温度和当前能达到的最大充电能力，根据预先获得的环境温度、最大充电能力与满足最大充电能力的需求电池温度的对应关系，得到对应的需求电池温度，控...
    2025-07-05
  • 储能装置
    储能装置_北京合康新能科技股份有限公司_202311682542.7
    本发明提供了一种储能装置，包括：电芯箱、电芯、冷却液和换热组件，电芯和冷却液位于电芯箱内，电芯浸泡于冷却液中，电芯的温度小于设定温度时，冷却液的聚集态为液态，冷却液的温度达到设定温度时，冷却液的聚集态由液态向气态转变。换热组件与电芯箱相连接...
    2025-07-05
  • 储能装置
    储能装置_北京合康新能科技股份有限公司_202311682412.3
    本发明提供了一种储能装置，储能装置包括电芯组件和逆变组件，电芯组件包括：壳体和多个电芯。壳体上设有进风口、出风口和导风通道，进风口与导风通道相连通。多个电芯位于壳体内，相邻两个电芯间隔设置，以在相邻两个电芯之间形成散热通道，散热通道与导风通...
    2025-07-05
  • 一种电芯的热失控触发方法、装置以及电芯
    一种电芯的热失控触发方法、装置以及电芯_深圳市比亚迪锂电池有限公司_202311692110.4
    本申请实施例提供了一种电芯的热失控触发方法、装置以及电芯。所述热失控触发方法包括：提供电芯，所述电芯包括电芯本体以及至少部分内置于所述电芯本体的测试电极；将电源的一端连接在所述电芯本体的引出电极上，并将所述电源的另一端连接在所述测试电极上，...
    2025-07-05
  • 一种卷芯组件、圆柱电池和动力电池包
    一种卷芯组件、圆柱电池和动力电池包_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311686360.7
    本发明提供一种卷芯组件、圆柱电池和动力电池包。卷芯组件包括：卷芯，所述卷芯的相对两端分别设置有多个正极极耳组和多个负极极耳组，每一所述正极极耳组均包括层叠设置的多个正极极耳，每一所述负极极耳组均包括层叠设置的多个负极极耳，且所述卷芯的相对两...
    2025-07-05
  • 石墨复合过渡金属氟化物正极材料及其制备方法和应用
    石墨复合过渡金属氟化物正极材料及其制备方法和应用_溧阳天目先导电池材料科技有限公司_202311689075.0
    本发明实施例涉及一种石墨复合过渡金属氟化物正极材料及其制备方法和应用。将过渡金属化合物溶解在溶剂中与石墨原料进行混合搅拌，得到含有过渡金属离子的混合物；将混合物进行处理使得混合物在热处理过程中形成具有渗碳体结构的材料，并且过渡金属离子逐步向...
    2025-07-05
  • 镍锰酸锂电池正极材料的加工方法
    镍锰酸锂电池正极材料的加工方法_青岛乾运高科新材料股份有限公司_202311678236.6
    本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及镍锰酸锂电池正极材料的加工方法。将86％‑97％的正极材料，1％‑5％的导电剂和2％‑9％的胶制成正极浆料；所述正极浆料的粘度为1000‑10000厘泊；利用挤压的方式，将所制成的正极浆料填充至泡沫铝集...
    2025-07-05
  • 具有MIM电容的中介层及其制作方法
    具有MIM电容的中介层及其制作方法_联华电子股份有限公司_202311687198.0
    本发明公开一种具有MIM电容的中介层及其制作方法，其中具有MIM电容的中介层包含一基板，一重分布线路层设置在基板上，一第一铜柱、一第二铜柱和一第三铜柱设置在重分布线路层上，第一铜柱和第三铜柱各自电连接重分布线路层，一MIM电容覆盖并接触第一...
    2025-07-05
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311686317.0
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，提供具有沟槽结构的基底；通过绝缘材料沉积在沟槽结构内形成衬垫层，衬垫层覆盖沟槽结构的内壁，且沿自沟槽结构的槽口向槽底延伸的第一方向，衬垫层的厚度逐渐变小；对衬垫层进行表面预清洗，形成沿第一方向的厚度逐...
    2025-07-05
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202311686529.9
    一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底内具有STI；使用第一气体吹拂去除所述STI表面的刻蚀副产物，其中，所述第一气体为不含氧原子的气体；采用清洗工艺去除所述STI表面的氧化物。通过本公开方案可以在浅沟道隔离刻蚀后，有效抑制线宽...
    2025-07-05
  • 一种浅沟槽隔离的填充方法
    一种浅沟槽隔离的填充方法_格科半导体(上海)有限公司_202311685963.5
    本发明提供一种浅沟槽隔离的填充方法，通过在浅沟槽的两次HDP‑CVD填充之间添加刻蚀工艺，并合理设置两次填充的等离子体轰击功率大小以降低其高宽比，从而降低在浅沟槽填充过程中因侧壁填充过快而封口产生空隙的几率，减小漏电流的同时降低了工艺成本，...
    2025-07-05
  • 晶圆承载盘的控制方法、装置、存储介质及电子设备
    晶圆承载盘的控制方法、装置、存储介质及电子设备_成都紫光半导体科技有限公司_202311700085.X
    本公开涉及一种晶圆承载盘的控制方法、装置、存储介质及电子设备；获取晶圆承载盘的运行时间；根据运行时间，调整晶圆承载盘的转速；通过上述技术方案，可以根据晶圆承载盘的运行时间，对该晶圆承载盘设置不同的转速，从而通过转速的变化提高对晶圆承载盘上晶...
    2025-07-05
  • 芯片共晶烧结的压接方法、装置及电子设备
    芯片共晶烧结的压接方法、装置及电子设备_苏州能讯高能半导体有限公司_202311679324.8
    本发明提供了一种芯片共晶烧结的压接方法、装置及电子设备，接收用户发出的第一指令和第二指令；根据第一指令拾取亲磁金属薄片，并将亲磁金属薄片放置在预组装基板的芯片上，得到组装后的基板；其中，预组装基板由下至上依次包括：预设基板、预成型焊片和芯片...
    2025-07-05
  • 一种介质结构、半导体器件结构及其制备方法
    一种介质结构、半导体器件结构及其制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311684792.4
    本公开提供了一种介质结构、半导体器件结构及其制备方法，介质结构的制备方法为在SiC衬底上生长单晶AlN层后同时氧化SiC衬底和单晶AlN层，形成包括SiO2层和单晶AlOX层的复合介质层。本公开在...
    2025-07-05
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