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最新专利技术
  • 船舶
    船舶_三菱造船株式会社_202380076523.1
    一种船舶，其具备：船体，具有一对舷侧及船底；机关区域，设置于船体内的一部分；车辆搭载部，与机关区域隔开并且设置于船体内的机关区域的船头侧，且具有能够搭载多台车辆的车辆甲板；及储罐舱，设置于车辆搭载部的一部分，并且从一对舷侧分开设置，且在内部...
    2025-06-29
  • 显示模组和显示装置
    显示模组和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202311606731.6
    本申请公开了一种显示模组和显示装置，显示模组包括第一区域和第二区域，且包括显示面板和触控层，显示面板包括层叠设置的基板和隔离结构，隔离结构包括多个隔离开口和透光开口，至少部分的透光开口位于第一区域，至少部分的隔离开口位于第二区域内，还包括至...
    2025-06-29
  • 钙钛矿电池、钙钛矿电池的电子传输层的制备方法以及钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置
    钙钛矿电池、钙钛矿电池的电子传输层的制备方法以及钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311580405.2
    本申请提供了一种钙钛矿电池、钙钛矿电池的电子传输层的制备方法以及钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置。钙钛矿电池，包括叠层设置的如下结构：钙钛矿层，包括钙钛矿晶粒；电子传输层，其中，电子传输层的平均粗糙度为8nm～20nm。本申请实...
    2025-06-29
  • 显示面板、显示装置以及显示面板制备方法
    显示面板、显示装置以及显示面板制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202311586126.7
    本申请提供了一种显示面板、显示装置以及显示面板制备方法，涉及显示技术领域。由于多个色转层，间隔设置于多个发光器件的远离衬底基板的一侧，且每个色转层对应一个发光器件。彩膜层设置于多个色转层的远离衬底基板的一侧，且彩膜层与所述多个色转层存在间隙...
    2025-06-29
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202311585359.5
    本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板包括设置在靠近所述第二基板的一侧的公共电极层，所述第二基板包括设置在靠近所述第一基板的一侧的驱动层；设置在所述第一基板与所述第二基板之间的发光层...
    2025-06-29
  • 太阳能电池及其制备方法和用电装置
    太阳能电池及其制备方法和用电装置_横店集团东磁股份有限公司_202311586922.0
    本申请提供一种太阳能电池及其制备方法和用电装置，制备方法包括以下步骤：提供衬底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在第一表面上制备P型材料层，在P型材料层上预设P型掺杂区制备掩膜层；向第一表面扩散N型材料，制备共掺杂层，进行第一次清洗...
    2025-06-29
  • 具有存储功能的成像阵列及其制备方法、电子器件
    具有存储功能的成像阵列及其制备方法、电子器件_松山湖材料实验室_202311583846.8
    本发明公开了一种具有存储功能的成像阵列及其制备方法、电子器件。该阵列包括：多个光电存储元器件，所述多个光电存储元器件呈阵列排布；其中，所述光电存储元器件包括衬底、源极、漏极、沟道层、绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅极，所述光敏介质层在暗...
    2025-06-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311589695.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底包括第一区以及与其相邻的第二区；鳍部，凸立于第一区和第二区的衬底顶部；第一栅极结构，位于第一区的鳍部的一侧且覆盖所述鳍部的侧壁；第二栅极结构，位于第一区的鳍部的另一侧且覆盖所述鳍部的侧壁，所述...
    2025-06-29
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311586941.3
    一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括器件区以及与其相邻的伪器件区，器件区和伪器件区的基底的顶部形成有叠层栅极结构，叠层栅极结构包括第一栅极结构以及位于第一栅极结构上方的第二栅极结构；在器件区和伪器件区的基底上形成覆盖叠层栅...
    2025-06-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202311585504.X
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；阱区，靠近漂移区的顶部设置，具有第二导电类型；第一沟槽栅；第二沟槽栅；多个有源区，具有第一导电类型，部分有源区在第一沟槽栅的侧面靠近第一沟槽栅设置，部分有源...
    2025-06-29
  • 半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备
    半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备_华为技术有限公司_202311590824.4
    一种半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备，旨在解决离化正反馈晶体管漏电电流大的技术问题。该半导体结构，重掺杂漏极结构、本征区、源极结构以及沟道结构均设置在衬底上，沟道结构位于本征区和源极结构之间，本征区与重掺杂漏极结构和沟道结构均接...
    2025-06-29
  • 半导体器件结构的制备方法
    半导体器件结构的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311593525.6
    本发明提供一种半导体器件结构的制备方法，包括：在基底中形成间隔排布的沟槽；在沟槽表面形成保护衬垫；在基底上形成掩膜层，在掩膜层中设置定义LDD区的注入窗口，注入窗口至少显露有源区和靠近有源区的沟槽侧壁；通过注入窗口以预定的倾斜角度对有源区进...
    2025-06-29
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202311595150.7
    本申请涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底，其具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面；第一沟槽结构，穿越所述第一表面往所述第二表面延伸，其中所述第一沟槽结构包括第一多晶硅结构以及围绕所述第一多晶硅结构的第一氧化层屏蔽金属层...
    2025-06-29
  • 一种二极管的制造方法和二极管
    一种二极管的制造方法和二极管_比亚迪半导体股份有限公司_202311600495.7
    本申请实施例提供了一种二极管的制造方法和二极管。所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底包括背离设置的第一侧和第二侧；在衬底的第一侧形成第一氧化层，在所述衬底的第二侧形成第二氧化层；依次采用干法蚀刻和湿法蚀刻的方式去除预设掺杂区域的所述第一氧化...
    2025-06-29
  • 硼扩散方法、TOPCon太阳能电池及其制备方法
    硼扩散方法、TOPCon太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202311583102.6
    本发明涉及硼扩散方法、TOPCon太阳能电池及其制备方法，硼扩散方法包括：设置扩散炉口到炉尾的温度依次为T1、T2、T3、T4、T5、T6；沉积的步骤中，T1至T6分别独立的选自780℃‑900℃，任意两个相邻温度相差≤20℃，当扩散源由炉...
    2025-06-29
  • 基于GPT模型的信息处理方法、装置、存储介质及电子装置
    基于GPT模型的信息处理方法、装置、存储介质及电子装置_青岛海尔科技有限公司_202311584777.2
    本申请公开了一种基于GPT模型的信息处理方法、装置、存储介质及电子装置，涉及智能家居/智慧家庭技术领域，所述方法包括：获取当前时间周期内的多个文本文档，基于预置的第一GPT模型对文本文档中的趋势热词进行抽取处理；基于多个趋势热词，构建当前时...
    2025-06-29
  • 一种信息查询方法、装置及系统
    一种信息查询方法、装置及系统_华为技术有限公司_202311591589.2
    本申请公开了一种信息查询方法、装置及系统，涉及人工智能技术领域，可以通过响应于查询请求，从知识库中获取与查询请求中携带的知识信息匹配的第一知识信息，第一知识信息为与查询请求相关的知识信息，根据第一知识信息生成所述查询请求相关的提示信息，提示...
    2025-06-29
  • 一种系统检测方法及相关装置
    一种系统检测方法及相关装置_腾讯科技(深圳)有限公司_202311594210.3
    本申请实施例公开了一种系统检测方法及相关装置，其中该方法包括：创建针对目标系统的检测任务；确定用于参与检测任务的测试用例及其对应的标准处理结果；确定检测任务对应的任务配置信息，任务配置信息用于指示检测任务的相关执行属性；当检测任务满足任务开...
    2025-06-29
  • 数据处理方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质
    数据处理方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质_OPPO广东移动通信有限公司_202311592013.8
    本申请涉及一种数据处理方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：基于目标服务对应的节点生成调用链；在识别到所述调用链为异常调用链的情况下，获取所述异常调用链对应的调用链信息；基于所述调用链信息获取所述异常调用链对应的调...
    2025-06-29
  • 体外选择性扩增自然杀伤T细胞的方法、自然杀伤T细胞及其用途
    体外选择性扩增自然杀伤T细胞的方法、自然杀伤T细胞及其用途_上海鑫湾生物科技有限公司_202311585998.1
    本发明提供了一种体外选择性扩增自然杀伤T细胞的方法，包括：(1)从外周血获得外周血单个核细胞；(2)使用细胞培养基将外周血单个核细胞配制成第一细胞悬液，采用贴壁法进行处理，处理完成后收集未贴壁细胞悬液；(3)从未贴壁细胞悬液离心收集未贴壁细...
    2025-06-29
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