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果汁的制备方法及使用该方法制备的果汁
本发明涉及一种果汁的制备方法及使用该方法制备的果汁,具体地,涉及一种经过筛选步骤、洗涤步骤、榨汁步骤、杀菌步骤制备卫生、风味好、糖度高、易于服用的果汁的制备方法及其果汁。
载人式割草机、载人式割草机控制方法及户外行走设备
本申请公开一种载人式割草机、载人式割草机控制方法及户外行走设备。该载人式割草机包括:车架,以及,安装至车架的用于支撑用户的支撑部;行走轮组,连接并支撑车架,行走轮组由行走电机驱动;割草元件,由割草电机驱动;控制器,被配置为向驱动电路施加驱动...
载人式割草机
本申请公开一种载人式割草机。该载人式割草机包括:车架,以及安装至所述车架的用于支撑操作者的支撑部;行走轮组;割草元件,由割草电机驱动;控制器,被配置为输出控制信号以控制行走电机或割草电机的运行;无线通信模组,能够与外部设备进行通信,以至少接...
载人式割草机及户外行走设备
本申请公开一种载人式割草机及户外行走设备。该载人式割草机包括:车架,以及安装至车架的用于支撑用户的支撑部;行走轮组,连接并支撑车架,由行走电机驱动;割草元件,由割草电机驱动;电源组件,包括至少一个电池包,用于向割草电机或行走电机供电;控制装...
对毛细管限制型氧气传感器的询问和输出校正
一种操作毛细管限制型电化学气体检测装置的方法,包括:将电信号施加到气体检测装置的电化学传感器,以生成经由电化学气体传感器的电解质在电化学气体传感器的工作电极与对电极之间的电流流动;测量电化学传感器对电信号的响应的参数;将所测量的参数与参数的...
钢纤维用线材、混凝土增强用钢纤维、及其制造方法
本发明涉及钢纤维用线材、混凝土增强用钢纤维、及其制造方法,所述线材基于重量%包含:0.010%至0.040%的碳(C)、大于0%且小于或等于0.10%的硅(Si)、0.10%至1.50%的锰(Mn)、0.50%至1.50%的镍(Ni)、0....
船舶
一种船舶,其具备:船体,具有一对舷侧及船底;机关区域,设置于船体内的一部分;车辆搭载部,与机关区域隔开并且设置于船体内的机关区域的船头侧,且具有能够搭载多台车辆的车辆甲板;及储罐舱,设置于车辆搭载部的一部分,并且从一对舷侧分开设置,且在内部...
显示模组和显示装置
本申请公开了一种显示模组和显示装置,显示模组包括第一区域和第二区域,且包括显示面板和触控层,显示面板包括层叠设置的基板和隔离结构,隔离结构包括多个隔离开口和透光开口,至少部分的透光开口位于第一区域,至少部分的隔离开口位于第二区域内,还包括至...
钙钛矿电池、钙钛矿电池的电子传输层的制备方法以及钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置
本申请提供了一种钙钛矿电池、钙钛矿电池的电子传输层的制备方法以及钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置。钙钛矿电池,包括叠层设置的如下结构:钙钛矿层,包括钙钛矿晶粒;电子传输层,其中,电子传输层的平均粗糙度为8nm~20nm。本申请实...
显示面板、显示装置以及显示面板制备方法
本申请提供了一种显示面板、显示装置以及显示面板制备方法,涉及显示技术领域。由于多个色转层,间隔设置于多个发光器件的远离衬底基板的一侧,且每个色转层对应一个发光器件。彩膜层设置于多个色转层的远离衬底基板的一侧,且彩膜层与所述多个色转层存在间隙...
一种显示面板及其制备方法、显示装置
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,包括:相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板包括设置在靠近所述第二基板的一侧的公共电极层,所述第二基板包括设置在靠近所述第一基板的一侧的驱动层;设置在所述第一基板与所述第二基板之间的发光层...
太阳能电池及其制备方法和用电装置
本申请提供一种太阳能电池及其制备方法和用电装置,制备方法包括以下步骤:提供衬底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面;在第一表面上制备P型材料层,在P型材料层上预设P型掺杂区制备掩膜层;向第一表面扩散N型材料,制备共掺杂层,进行第一次清洗...
具有存储功能的成像阵列及其制备方法、电子器件
本发明公开了一种具有存储功能的成像阵列及其制备方法、电子器件。该阵列包括:多个光电存储元器件,所述多个光电存储元器件呈阵列排布;其中,所述光电存储元器件包括衬底、源极、漏极、沟道层、绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅极,所述光敏介质层在暗...
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底,衬底包括第一区以及与其相邻的第二区;鳍部,凸立于第一区和第二区的衬底顶部;第一栅极结构,位于第一区的鳍部的一侧且覆盖所述鳍部的侧壁;第二栅极结构,位于第一区的鳍部的另一侧且覆盖所述鳍部的侧壁,所述...
半导体结构的形成方法
一种半导体结构的形成方法,方法包括:提供基底,基底包括器件区以及与其相邻的伪器件区,器件区和伪器件区的基底的顶部形成有叠层栅极结构,叠层栅极结构包括第一栅极结构以及位于第一栅极结构上方的第二栅极结构;在器件区和伪器件区的基底上形成覆盖叠层栅...
半导体器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括:漂移区,具有第一导电类型;阱区,靠近漂移区的顶部设置,具有第二导电类型;第一沟槽栅;第二沟槽栅;多个有源区,具有第一导电类型,部分有源区在第一沟槽栅的侧面靠近第一沟槽栅设置,部分有源...
半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备
一种半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备,旨在解决离化正反馈晶体管漏电电流大的技术问题。该半导体结构,重掺杂漏极结构、本征区、源极结构以及沟道结构均设置在衬底上,沟道结构位于本征区和源极结构之间,本征区与重掺杂漏极结构和沟道结构均接...
半导体器件结构的制备方法
本发明提供一种半导体器件结构的制备方法,包括:在基底中形成间隔排布的沟槽;在沟槽表面形成保护衬垫;在基底上形成掩膜层,在掩膜层中设置定义LDD区的注入窗口,注入窗口至少显露有源区和靠近有源区的沟槽侧壁;通过注入窗口以预定的倾斜角度对有源区进...
半导体结构及其制造方法
本申请涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括:衬底,其具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面;第一沟槽结构,穿越所述第一表面往所述第二表面延伸,其中所述第一沟槽结构包括第一多晶硅结构以及围绕所述第一多晶硅结构的第一氧化层屏蔽金属层...
一种二极管的制造方法和二极管
本申请实施例提供了一种二极管的制造方法和二极管。所述制造方法包括:提供衬底,所述衬底包括背离设置的第一侧和第二侧;在衬底的第一侧形成第一氧化层,在所述衬底的第二侧形成第二氧化层;依次采用干法蚀刻和湿法蚀刻的方式去除预设掺杂区域的所述第一氧化...
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