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  • 本申请涉及一种星际化合物分子性质预测方法、装置、设备和介质,其中,星际化合物分子性质预测方法包括:通过获取星际分子的结构表征信息;基于所述星际分子的结构表征信息与所述星际分子的实际分子性质信息,对模型进行训练,获得性质预测模型;将待预测星际...
  • 本发明公开一种基于大语言模型的锂电池电解液配方预测平台,属于电池材料自动化预测技术领域,包括数据获取模块,用于获取目标电解液的性质参数;配方预测模块,用于基于第一大语言模型,输出电解液配方以及理论粘度值,将电解液配方存入电解液数据库;轨迹模...
  • 本发明涉及数据管理技术领域,具体为一种电子健康记录管理系统,系统包括:图像数据分析模块、病历信息分类模块、输入错误检测模块、数据访问管理模块。本发明中,通过识别和标注医疗图像中的器官和组织类型,结合图像的拍摄日期和设备类型,创建图像特征索引...
  • 本发明涉及数据处理技术领域,公开了一种基于智能感知的康养数据处理方法及系统。该方法包括构建健康状态动态模型,采集多模态生理数据与环境感知数据融合构建模型并动态更新;进行健康风险预测,利用基于时序注意力机制的模型输出未来健康风险等级;设计动态...
  • 本发明涉及院前分诊技术领域。本发明涉及一种用于急诊救护联动的院前分诊方法。其包括以下步骤:S1、采集救护车的图像数据和病人的检测数据,将图像数据结合检测数据进行检测身体特征分析;S2、根据检测身体特征对病人进行身份信息识别,根据识别的身份信...
  • 本发明公开了智能家居环境下的老年用户风险感知交互方法及系统,涉及数据处理技术领域,该方法包括:连接智能家居,解析各连接智能家居的数据特征,构建感知数据库;获得老年用户的风险感知需求,构建风险感知需求库,进行风险需求解析,按照风险需求的识别因...
  • 本发明公开了一种基于机器学习的胸科术后神经性疼痛风险预测方法及系统,其涉及医疗信息技术领域。本发明通过综合运用多种先进的机器学习模型和优化技术,显著提高了术后神经性疼痛风险预测的准确性;全面考虑了术前、术中和术后多个时间点的疼痛数据,能够动...
  • 本发明涉及电子医疗技术领域,具体涉及一种基于互联网医院的产妇院前健康信息管理与评估系统,包括:基于互联网医院根据医生开具的入院单,采用信息系统自动推送院前护理评估表,患者在线填写评估表;根据患者填写的院前护理评估表,自动匹配相应的入院准备资...
  • 脑疾病神经动力学仿真方法及调控方法、设备、介质,属于脑疾病神经动力学仿真与调控技术领域。仿真方法包括:S1、获取脑疾病患者的多模态影像数据;S2、构建用于反映大脑结构连接情况的人脑结构连接矩阵SC和用于反映大脑功能活动情况的人脑功能连接矩阵...
  • 本发明属于医疗信息技术领域,本发明公开了一种基于循证医学的知识图谱自动构建方法;方法包括:收集多源医学数据;对多源医学数据进行预处理,并标记为多源处理数据;对多源处理数据进行实体识别,识别出医学实体;对多源处理数据进行关系提取,提取出医学实...
  • 本发明公开了一种导电浆料,包括以下质量百分比的原料:60~90%的抗氧化铜粉、1~30%热固性树脂、0.1~5%固化剂、0.5~5%添加剂、0.1~10%稀释剂;抗氧化铜粉为水热法有机包覆的微纳米片状或类球状铜粉的一种或多种组合,平均粒径为...
  • 本发明涉及电感线圈技术领域,具体涉及一种电感线圈缠绕装置。位调组件包括设置在空心板上的导向环,导向环上沿周向滑动有立杆,立杆上安装有与齿圈相啮合的电动齿轮一,在立杆顶端设置有下夹板,下夹板上安装有驱动气缸,驱动气缸的伸缩端上连接有上夹板。通...
  • 本发明涉及陶瓷电容器技术领域,具体涉及一种正温度系数的组合陶瓷电容器,包括高压导电杆,高压导电杆为圆柱体结构,高压导电杆的外侧同轴安装支撑法兰,支撑法兰上并联安装陶瓷电容元件。本发明通过在高压导电杆外侧的支撑法兰上并联安装陶瓷电容元件,在提...
  • 本申请公开了一种快速合闸机构及断路器,涉及断路器技术领域,该快速合闸机构包括:静触头和动触头,所述动触头通过第一弹性件预紧在背离所述静触头的方向。传动杆,设于所述静触头背离所述动触头的一侧,包括第一抵接部和承接部,所述第一抵接部用于抵接所述...
  • 本发明涉及高功率微波技术领域的微波源器件,尤其是一种基于腔体配合的高效率相对论返波管振荡器,属于高功率微波技术领域;本发明采用前置双间隙调制腔来抑制微波向二极管区域泄露;采用非均匀矩形慢波结构来提高微波转换效率;采用了双间隙提取腔结构来提高...
  • 本发明公开了一种晶圆对准装置,包括:承托件,包括吸盘部和承托主体,所述承托主体开设有连通的中心气道和导气分流槽,所述导气分流槽位于承托主体背离所述吸盘部的一端,所述吸盘部具有用于吸附晶圆的真空吸附区;驱动对准组件,用于驱动所述吸盘部与晶圆的...
  • 本公开是关于半导体技术领域,涉及一种半导体结构及其形成方法,该形成方法包括:提供衬底;对衬底进行蚀刻,以形成多个间隔分布的第一沟槽;形成第一填充层,第一填充层填充第一沟槽且覆盖蚀刻后的衬底的表面;对部分第一沟槽进行蚀刻,以形成多个第二沟槽,...
  • 本申请公开了一种高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构,方法包括:在第一空间中形成密度持续增大的等离子体;使等离子体在压力的自然作用下,通过第一空间的底部被分散并向下扩散至第二空间中,以在到达位于第二空间中的衬底的表面上时,在衬...
  • 本发明提供一种晶圆异常退出芯片异位的处理方法。所述晶圆异常退出芯片异位的处理方法为将胶膜靠边缘一圈从崩膜环上揭起并重新粘贴于崩膜环上。或从胶膜的无胶面,对胶膜位于崩膜环与晶圆之间的环形区域施加压力。本发明提供的所述晶圆异常退出芯片异位的处理...
  • 本发明涉及微电子封装陶瓷技术领域,尤其为一种大功率高集成陶瓷管壳,包括:陶瓷外壳,陶瓷外壳设置有若干个腔室,腔室顶部设置有金属盖板,腔室底部设置有热沉;温度检测组件,温度检测组件用于对各个腔室中的温度进行检测;风冷组件,风冷组件包括散热片、...
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