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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 滤波器设计方法、装置及相关设备
    滤波器设计方法、装置及相关设备_北京芯溪半导体科技有限公司_202310171577.8
    本发明实施例提供一种滤波器设计方法、装置及相关设备，滤波器包括输入端和输出端，以及位于两者之间的多个谐振单元，方法包括：获取滤波器的预设结构中各谐振单元对应的用于指示谐振单元自输入端开始排序至输出端的电连接顺序的级别数；基于预设规则，选取一...
    2025-07-14
  • 功率放大器
    功率放大器_广州慧智微电子股份有限公司_202510250047.1
    本公开实施例提供一种功率放大器。功率放大器包括：输入模块，用于接收射频输入信号，并基于所述射频输入信号输出至少两路具有相位差的第一信号；放大模块，具有第一放大单元、第二放大单元，用于分别接收所述第一信号，并输出放大信号；调节模块，与所述放大...
    2025-07-14
  • 基座顶料及分脚平台机构
    基座顶料及分脚平台机构_吉林鼎辉电子科技有限公司_202421709713.0
    本实用新型公开一种基座顶料及分脚平台机构，包括支撑座、顶料座、分脚板、第一驱动装置、第二驱动装置，顶料座与支撑座上下活动连接，顶料座上并排设有多个容置槽，每个容置槽的一侧均连通有进料槽，容置槽的上端向上敞开形成有开口，分脚板与顶料座活动连接...
    2025-07-14
  • 功率放大器
    功率放大器_广州慧智微电子股份有限公司_202510250461.2
    本公开实施例提供一种功率放大器。功率放大器包括：放大模块，具有至少一个放大单元，用于接收射频输入信号，并输出放大信号；调节模块，与所述放大模块耦接，所述调节模块基于所述射频输入信号输出调节信号，与所述放大信号叠加得到第一输出信号，以减小所述...
    2025-07-14
  • 体声波谐振结构
    体声波谐振结构_武汉衍熙微器件有限公司_202421874166.1
    本申请实施例提供一种体声波谐振结构，该体声波谐振结构包括：衬底；设置于衬底上的第一电极层、压电层和第二电极层；插入层，设置于压电层内，至少部分插入层位于体声波谐振结构的有源区内；其中，插入层的厚度小于压电层的厚度；插入层的材料与压电层的材料...
    2025-07-14
  • 具有用于机械和工艺补偿的反啁啾叉指换能器（IDT）的横向激发薄膜体声波谐振器
    具有用于机械和工艺补偿的反啁啾叉指换能器（IDT）的横向激发薄膜体声波谐振器_株式会社村田制作所_202510275925.5
    声波谐振器具有压电板，该压电板具有第一表面和第二表面，第二表面面对基板，并且压电板的振膜跨越空腔。导体图案形成在第一表面和第二表面中的至少一个表面上并且具有叉指换能器（IDT），该叉指换能器在压电板的振膜部分上具有交错指。交错IDT指的间距...
    2025-07-14
  • 一种星载抗辐照反射型移相器
    一种星载抗辐照反射型移相器_鲸鹏芯海微电子科技(上海)有限公司_202510351948.X
    本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于星载无线通信系统的抗辐照反射型移相器。本发明移相器的电路结构包括：抗辐照移相器核心电路、相位检测电路、模数转换器以及控制模块电路；输入信号输入至抗辐照移相器核心电路，产生移相信号输出至相位检测电路...
    2025-07-14
  • 一种基于双耦合反馈网络的超宽带大功率负载芯片
    一种基于双耦合反馈网络的超宽带大功率负载芯片_电子科技大学_202510757792.5
    本发明属于单片式微波集成电路领域，具体为一种基于双耦合反馈网络的超宽带大功率负载芯片，包括第一耦合反馈网络和第二耦合反馈网络、四个并联设置的电阻，以及两条匹配传输线；四个并联设置的电阻和两条匹配传输线设于第一耦合反馈网络和第二耦合反馈网络之...
    2025-07-14
  • 逐次逼近型模数转换器的亚稳态错误现场校正电路
    逐次逼近型模数转换器的亚稳态错误现场校正电路_上海交通大学_202510345768.0
    一种逐次逼近型模数转换器的亚稳态错误现场校正电路，包括：构成错误校正模块的一个或非门以及一个与非门以及构成错误检测模块的一个或非门、一个触发器以及延时单元，其中：错误校正模块的或非门和与非门的逻辑输入端与待测模数转换器的比较器的输出端相连，...
    2025-07-14
  • 一种栅极驱动电路
    一种栅极驱动电路_中国科学院微电子研究所_202510178131.7
    本申请涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种栅极驱动电路，包括：电平位移模块、高侧缓冲模块、低侧缓冲模块、下拉模块和推挽模块；电平位移模块、高侧缓冲模块、低侧缓冲模块、下拉模块和推挽模块均包括4H‑SiC增强型NMOS管；电平位移模块的一端...
    2025-07-14
  • 取样装置及其时钟调整电路
    取样装置及其时钟调整电路_瑞昱半导体股份有限公司_202410025998.4
    本发明公开了一种取样装置及其时钟调整电路。取样装置包含：一时钟产生电路、一时钟调整电路以及一取样电路。时钟产生电路用来根据一参考时钟产生一第一时钟及一第二时钟。时钟调整电路用来调整该第一时钟与该第二时钟的其中一者的一直流电平，以产生一第三时...
    2025-07-14
  • 具有记忆初次感应磁场极性功能的控制电路
    具有记忆初次感应磁场极性功能的控制电路_九祐(西安)微电子有限公司_202411705087.2
    本发明公开了具有记忆初次感应磁场极性功能的控制电路，包括全极转南极单极控制电路，全极转南极单极控制电路的输入端连接有南极感应同步控制电路，全极转南极单极控制电路的输出端连接有北极感应同步控制电路，北极感应同步控制电路输出端分别连接有全极转北...
    2025-07-14
  • 输入级电路及放大器
    输入级电路及放大器_思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司_202210232358.1
    本发明公开了一种输入级电路及放大器，输入级电路包括：相连的输入ESD保护电路、直流钳位电路和交流钳位电路，交流钳位电路包括与输入ESD保护电路和直流钳位电路连接的辅助source follow电路和高通滤波电路，直流钳位电路、辅助sourc...
    2025-07-14
  • 一种超宽带低噪声放大电路
    一种超宽带低噪声放大电路_成都嘉纳海威科技有限责任公司_202111177326.8
    本发明公开了一种超宽带低噪声放大电路，包括依次连接的输入匹配网络、共源共栅及负反馈网络、改进型行波网络以及输出匹配网络；改进型行波网络包括四路晶体管，每路晶体管的栅压端均通过一个电阻连接一个微带线，每路晶体管的输出端均通过一个微带线与一个电...
    2025-07-14
  • 数字时钟数据恢复装置
    数字时钟数据恢复装置_LX半导体科技有限公司_202510022212.8
    本公开涉及数字时钟数据恢复装置。根据本公开的一个实施例的数字时钟数据恢复装置是从数据信号中恢复时钟和数据的数字时钟数据恢复装置，其可以包括：相位差补偿部，其根据依据相位差值的范围的条件，选择性输出第一输入信号和第二输入信号的相位差值中的高位...
    2025-07-14
  • 一种射频电源发生器
    一种射频电源发生器_天津大学_202510337654.1
    本发明提供了一种射频电源发生器，涉及射频技术领域。该射频电源发生器包括：反相器模块的第一输入端与振荡模块的第二输出端连接；反相器模块的第一输出端与振荡模块的第二输入端连接；稳压电路的电源输出端与反相器模块的供电电压输入端连接；稳压电路的电源...
    2025-07-14
  • 流水线ADC中错误锁定环路的优化校准方法
    流水线ADC中错误锁定环路的优化校准方法_上海交通大学_202510362287.0
    一种流水线ADC中错误锁定环路的优化校准方法，通过在待校准的主电路外部设置参考电路并将参考电路离线设置后单独校准后，选择性地将校准后的参考电路与主电路共享输入后，提取参考电路与主电路输出之间的误差并通过调整调节电路的方式使得主电路的输出值逼...
    2025-07-14
  • 基于稳压二极管反向击穿特性的压控脉冲占空比电路
    基于稳压二极管反向击穿特性的压控脉冲占空比电路_山西工程技术学院_202510524891.9
    本发明公开了一种基于稳压二极管反向击穿特性的压控脉冲占空比电路，输入直流控制电压Ui连接NE555电路的5脚，NE555电路的7脚连接工作地，供电Vcc电路同时连接NE555电路的4脚和8脚，NE555电路的3脚依次通过正向开关二极管D1、...
    2025-07-14
  • 双向电平转换器及电子设备
    双向电平转换器及电子设备_成都市易冲半导体有限公司_202510779514.X
    本发明提供了一种双向电平转换器及电子设备，涉及模拟集成电路的技术领域，双向电平转换器包括：第一端口、第二端口，以及，设置于第一端口和第二端口之间的转换电路；第一端口包括第一输入输出端口和第一参考电平端口；第二端口包括第二输入输出端口和第二参...
    2025-07-14
  • 带有衬底偏置的传输门开关采样电路
    带有衬底偏置的传输门开关采样电路_湖南融创微电子股份有限公司_202510394972.1
    本发明涉及带有衬底偏置的传输门开关采样电路，通过对晶体管NMOS1和晶体管PMOS1采用衬底偏置技术来减小采样管的体效应同时，利用NMOS管栅压自举电路和PMOS管栅压自举电路来确保采样管的VGS在整个输入范围内为一恒定值，并且采样管结构形...
    2025-07-14
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