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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本发明公开了一种低失调电压低噪声高精度的轨到轨运算放大电路,涉及集成电路技术领域。所述放大电路包括输入级电路、中间级电路、补偿电路以及输出级电路;所述输入级电路用于通过一组PMOS和NMOS差分对来实现轨到轨的输入,所述中间级电路用于通过一...
  • 一种集成电路(IC)器件包括第一和第二管芯。第一管芯包括第一发送电路、第一接收电路和第一电路。第一发送电路发送对应于第一时钟信号的输出时钟信号。第一接收电路接收输入时钟信号和输入信号,并基于输入时钟信号输出对应于输入信号的第一信号。第一电路...
  • 本发明公开了一种涉及电路测试技术领域的模拟比较器和芯片,所述模拟比较器包括模拟测试总线、比较器、第一信号接口、第二信号接口和模数转换器信号接口;所述模拟测试总线包括感知总线,用于将待测模拟电路模块的待测模拟信号传输至所述第一信号接口或所述模...
  • 本发明公开了一种支持电流调节的超过60%线性带宽的功率放大器宽带线性化偏置电路,包括多层基板、控制芯片和宽带高线性功率放大器;宽带高线性功率放大器包括两个结构相同的偏置电路,以及相互级联的第一级射频放大器和第二级射频放大器,两个偏置电路分别...
  • 本发明公开了一种基于两步式补偿的高精度电荷平衡刺激器电路,包括高压电流输出级电路、电流数模转换器、粗电荷平衡检测补偿电路、细电荷平衡检测电路以及数字电路,高压电流输出级电路用于输出双极性恒流脉冲,电流数模转换器用于提供参考电流;粗电荷平衡检...
  • 本申请公开了一种具有输出可重构网络的宽带功率放大器,涉及微电子技术领域,该具有输出可重构网络的宽带功率放大器采用栅宽比为1:2:8的三级放大电路,通过前两级放大器实现信号预放大与增益提升,末级八管胞并联结构高压供电下输出饱和功率并实现功率附...
  • 本申请实施例提供了一种高功率处理能力的非对称单刀双掷开关,属于无线通信技术领域。该开关包括:第一耦合线圈,设有第一端口和第四端口,第一端口为开路状态,第四端口与信号接收单元连接;第二耦合线圈,设有第二端口和第三端口,第二端口与天线单元连接,...
  • 本发明的课题在于应对输入的范围较广的直流电压。电流感测放大器(100)被输入电流检测电阻(1)的上侧电压与下侧电压,并获得与所述上侧电压和所述下侧电压的差对应的输出。共同电压抑制器(12)包含:电压分割电阻(R6a、R6b),两端被供给所述...
  • 本发明提供了一种声表面波滤波器的优化方法及声表面波滤波器,该优化方法包括以下步骤:以声表面波滤波器的插损作为第一优化目标,对双模声表面波滤波器进行优化,得到第一优化结果;以声表面波滤波器的带外抑制作为第二优化目标,对叉指换能器的几何参数进行...
  • 本发明公开一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器,应用于单片式微波集成电路领域,针对现有移相器Lange桥尺寸较大的问题,本发明采用平面螺旋宽带耦合网络和宽带相位补偿网络,实现移相电路紧凑布局;平面螺旋宽带耦合网络采用一级线圈和次级线圈组成的两...
  • 本发明涉及滤波电路技术领域,公开了一种大负载无人驾驶工程车辆滤波电路,包括:N‑MOS管,其漏极连接信号输入端,其源极连接信号输出端;滤波电容,其一端连接所述N‑MOS管的源极,其另一端接地;ADC采样单元,其输入端连接信号输出端,采样输出...
  • 本申请公开了一种射频功率放大器、射频前端模组及电子设备,该射频功率放大器包括M个第一晶体管、N个第二晶体管、第一电容和第二电容。其中,M个第一晶体管相并联,N个第二晶体管相并联。第一电容包括相间隔的第一极板和第二极板;M个第一晶体管的输出端...
  • 本申请涉及射频微波领域,为一种基于瞬态响应优化的改善射频放大器动态矢量幅度误差的偏置电路及方法。该电路包括提供偏置电流的第一供电通路(Ibias_e)和提供分压电流的第二供电通路(Ibias_r),在射频放大器激活瞬间,通过第一供电通路(I...
  • 本实用新型涉及一种晶体垫片组装装置,包括:工作台、压紧板和两个折弯杆,通过在工作台上开设有放置槽,压紧板滑动设置在工作台上,配合放置槽的底部开设有折弯腔,折弯腔的侧壁上相对开设有两个导向腔,两个折弯杆分别在两个导向腔内做相向或相背运动,两个...
  • 本发明提供的低通滤波器,包括中层板和位于中层板上下两侧的外层板,中层板上下表面和外层板相向侧的表面均敷有铜层,通过在外层板所敷铜层的中部设置环条形裸露区域,能够利用环条形裸露区域内的铜层构成信号铜层,通过在中层板中部开设避让信号铜层的通槽,...
  • 一种单端输入差分输出射频有源移相器,涉及射频收发、相控阵等电子系统,尤其适用于宽带有源、高精度相控阵领域。本发明由耦合线构成正交耦合器;由共栅极NMOS晶体管阵列构成幅度调整模块,通过数字控制单元阵列实现移相功能;由共栅极NMOS晶体管阵列...
  • 本实用新型涉及晶体滤波器领域,具体涉及一种复合式晶体滤波器,包括滤波器壳体,用于为内部组件提供防护能力,固定卡槽,开设于滤波器壳体的内部,用于和上壳盖进行连接,所述固定卡槽的内部活动连接有固定卡块。本实用新型设置有固定卡槽、固定卡块、上壳盖...
  • 一种发光器件、发光器件的模板及其制备方法,通过在衬底(1)上设置GaN基半导体层(2)和掩膜层(3),其中掩膜层(3)包括多个间隔设置的掩膜开孔,且使用GaN基半导体层(2)填充掩膜开孔;并且在多个间隔设置的掩膜开孔内的GaN基半导体层(2...
  • 本申请涉及数据处理技术领域,特别是涉及到一种模拟量信号滤波自动调整方法、系统、设备及介质,其中方法包括:接收当前模拟量信号值;计算当前模拟量信号值前连续K次模拟量信号值的标准差,其中K为大于1的自然数;利用所述标准差设定置信区间;判断当前模...
  • 本发明公开了一种石英晶体谐振器基座循环再利用的工艺及装置,具体涉及石英晶体谐振器技术领域,包括如下步骤:步骤一、将石英晶体谐振器基座和脱胶剂同时倒入盒子内,进行水浴加热60分钟,将导电胶溶解,使晶片和基座分离;步骤二、将脱胶剂倒入备用盒子,...
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