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信息存储应用技术
  • 一种命令时序控制电路和存储器
    一种命令时序控制电路和存储器_长鑫科技集团股份有限公司_202311659153.2
    本公开实施例提供了一种命令时序控制电路和存储器，该命令时序控制电路包括译码电路和移位电路，译码电路用于根据频率指示信号和写前导码信号进行译码处理，生成控制信号；控制信号指示将读修改写命令信号进行移位的第一时长；移位电路用于根据控制信号将读修...
    2025-05-31
  • 终端电阻的使能控制电路及存储设备
    终端电阻的使能控制电路及存储设备_西安芯存半导体有限公司_202411933010.0
    本申请公开了使能控制电路及存储设备，该使能控制电路包括：获取模块，获取模块被配置为检测终端电阻引脚以输出终端电阻使能信号；检测模块，检测模块连接获取模块，检测模块被配置为响应于检测到终端电阻使能信号的触发沿，则输出沿检测信号；控制模块，控制...
    2025-05-31
  • 感测放大结构和存储器架构
    感测放大结构和存储器架构_长鑫存储技术有限公司_202110998262.1
    本申请涉及半导体电路设计领域，涉及一种感测放大结构和存储器架构，包括：第一PMOS管，栅极连接第二互补读出位线，源极连接第一信号端；第一NMOS管，栅极连接初始位线；第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接第一互补读出位线；第二PMO...
    2025-05-31
  • 一种减少ESD面积的DDR主驱动电路
    一种减少ESD面积的DDR主驱动电路_灿芯半导体(成都)有限公司_202510534332.6
    本发明公开了一种减少ESD面积的DDR主驱动电路，属于电路设计技术领域；本发明包括输入信号Din，输入信号Din经电容C3的Net3接Pmos和Nmos的栅极，Pmos和Nmos的漏极连接信号输出PAD，Pmos源极经电阻R1接VDDQ电源...
    2025-05-31
  • 数据处理电路及设备
    数据处理电路及设备_长鑫存储技术有限公司_202110296073.X
    本申请实施例提供一种数据处理电路及设备，该电路包括：第一存储组201和第二存储组202，写入电路203，通过其包括的一个写入输入缓存电路2031从写入总线206接收存储数据，通过第一读写总线207向第一存储组201写入存储数据，通过第二读写...
    2025-05-31
  • 存储器的刷新电路、刷新方法和存储器
    存储器的刷新电路、刷新方法和存储器_浙江力积存储科技有限公司_202510158375.9
    本公开的实施例提供存储器的刷新电路、刷新方法和存储器。该刷新电路包括地址生成模块和地址译码模块，地址生成模块根据刷新命令，生成地址信号并确定字线控制信号，地址译码模块根据地址信号和字线控制信号，确定M个地址选择信号，其中，每个地址选择信号包...
    2025-05-31
  • 数据处理电路及设备
    数据处理电路及设备_长鑫存储技术有限公司_202110295118.1
    本申请实施例提供一种数据处理电路及设备，该电路包括：第一存储组301、第二存储组302、包括一个写入输入缓存电路3031的写入电路303、包括一个写入输入缓存电路3041的写入电路304，两个写入电路303、304分别通过写入输入缓存电路3...
    2025-05-31
  • 一种锤击刷新方法、锤击刷新电路及半导体存储器
    一种锤击刷新方法、锤击刷新电路及半导体存储器_长鑫存储技术有限公司_202111399125.2
    本申请实施例提供了一种锤击刷新方法、锤击刷新电路及半导体存储器，该方法包括：确定针对目标字线的锤击刷新指令；根据锤击刷新指令，将预设锤击刷新信号置为有效状态；其中，预设锤击刷新信号的有效状态指示在第一刷新周期中执行锤击刷新指令；若检测到在第...
    2025-05-31
  • 用于多模式双倍数据速率同步动态随机存取存储器的DDR PHY功率崩溃电路
    用于多模式双倍数据速率同步动态随机存取存储器的DDR PHY功率崩溃电路_高通股份有限公司_202380073008.8
    一种发送器电路包括第一驱动器电路，该第一驱动器电路被配置为驱动集成电路设备中的输入/输出焊盘，该第一驱动器电路包括薄氧化物晶体管，该薄氧化物晶体管被配置为当该发送器电路在第一模式下操作时将该输入/输出焊盘耦合到第一电压轨；栅极上拉晶体管，该...
    2025-05-31
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202311616336.6
    一种半导体器件及其制造方法以及电子设备，所述半导体器件包括：第一读取晶体管，包括与电容器连接的第一电极、与输入信号端连接的第二电极和与第一写入晶体管连接的第一栅电极；第二读取晶体管，包括与电容器连接的第三电极、与接地信号端连接的第四电极和与...
    2025-05-31
  • 用于控制器用信号发送刷新操作的设备和方法
    用于控制器用信号发送刷新操作的设备和方法_美光科技公司_202411030909.1
    本申请涉及用于控制器用信号发送刷新操作的设备和方法。存储器可接收第一或第二类型的刷新命令。响应于所述第一类型的刷新命令，可执行第一类型的刷新操作(例如，顺序刷新操作)。响应于所述第二类型的刷新操作，可执行第二类型的刷新操作(例如，目标刷新操...
    2025-05-31
  • 基于自旋轨道矩磁性随机存储器的读伴随写电路
    基于自旋轨道矩磁性随机存储器的读伴随写电路_东南大学_202510124876.5
    本发明公开了一种基于自旋轨道矩磁性随机存储器的读伴随写电路，属于集成电路领域，包括预充电容后产生电压差的读伴随写电路、用于差分放大电容电压差的读取放大电路以及锁存数据并输出的锁存电路。该电路具有双工作模式：正常数据读写模式和读伴随写工作模式...
    2025-05-31
  • 字线驱动电路以及动态随机存储器
    字线驱动电路以及动态随机存储器_长鑫存储技术有限公司_202110314168.X
    本发明提供了一种字线驱动电路以及动态随机存储器。所述字线驱动电路包括驱动模块及控制模块，所述控制模块包括：控制单元；第一开关单元，具有控制端、第一端及第二端，所述控制端与所述控制单元电连接，所述第一端与第一供电电压电连接，所述第二端与所述驱...
    2025-05-31
  • 用于未分配的行地址的处理的存储器设备
    用于未分配的行地址的处理的存储器设备_美光科技公司_202110665740.7
    本申请涉及对存储器中的未分配的行地址的处理。公开了半导体装置，所述半导体装置包含用于响应于接收未分配的行地址来减少逻辑电路中的不稳定状态或亚稳状态的电路系统。所述半导体装置可以包含一或多个逻辑电路，所述一或多个逻辑电路被配置成基于所述未分配...
    2025-05-31
  • NOR存储器及其编程、擦除方法
    NOR存储器及其编程、擦除方法_中天弘宇集成电路有限责任公司_202411962423.1
    本发明提供一种NOR存储器及其编程、擦除方法，包括：N个最小数据存储模块沿存储单元的行方向依次排布，且共用字线行驱动电路；各数据存储模块均包括独立的存储单元阵列、开关选择单元、共源极、阱及其对应的切换单元，开关选择单元及切换单元设置于存储单...
    2025-05-31
  • 写数据的方法、数据读取装置、存储器及数据写入装置
    写数据的方法、数据读取装置、存储器及数据写入装置_华为技术有限公司_202311637473.8
    本申请公开了一种写数据的方法、数据读取装置、存储器及数据写入装置，属于数据存储技术领域。在利用激光脉冲串写数据的过程中，通过调整记录材料中的激光聚焦位置，以使调整后与调整前的激光聚焦位置之间的相对距离小于激光衍射极限，进而使得当前产生的体素...
    2025-05-31
  • 半导体装置和使用该半导体装置的操作方法
    半导体装置和使用该半导体装置的操作方法_爱思开海力士有限公司_202410576650.4
    本公开涉及一种半导体装置及使用该半导体装置的操作方法，该半导体装置可以包括：第一源极线驱动电路，驱动第一源极线；第二源极线驱动电路，驱动第二源极线；第一存储块，包括分别联接在第一源极线和多条位线之间的多个第一存储串；以及第二存储块，包括分别...
    2025-05-31
  • 存储器装置和操作该存储器装置的方法
    存储器装置和操作该存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411092456.5
    本技术涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：多个存储块，其各自包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对多个存储块中的所选存储块执行后台操作和重写操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路执行后台操作和重写操作，并且...
    2025-05-31
  • 存储器、存储器系统
    存储器、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202311647048.7
    本公开实施例公开了一种存储器以及存储器系统，该存储器包括：多个存储体组，每个存储体组包括至少一个存储体；外围电路，包括：多个第一全局读取数据寄存器、多条第一数据连接通路、多条第一信号连接通路、第一读取数据寄存器、多条第二数据连接通路。每个存...
    2025-05-31
  • 一种超级电容器电解质及其制备方法和应用
    一种超级电容器电解质及其制备方法和应用_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202510227256.4
    本发明公开了一种超级电容器电解质及其制备方法和应用，所述电解质的制备方法包括用溴化锂水溶液使溶解浆溶解；加入丙烯酰胺溶液；加入交联剂和引发剂，引发聚合反应，形成纤维素和聚丙烯酰胺分子的互穿网络结构的膜材料。本发明得到了纤维素和聚丙烯酰胺的复...
    2025-05-31
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