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信息存储应用技术
  • 子字线驱动器
    子字线驱动器_美光科技公司_202510431126.2
    本申请涉及子字线驱动器。存储器阵列可包含多个子阵列，所述多个子阵列之间布置有间隙。字线可跨越多个子阵列布置，且驱动用于选择性地存取所述子阵列内的行(例如，存储器单元行)的存取晶体管。在一些实例中，施加到驱动所述字线的选择装置的信号可能在所述...
    2025-08-01
  • 存储装置及其操作方法
    存储装置及其操作方法_三星电子株式会社_202411880391.0
    提供一种存储器装置，其包括被配置为输出第一内部芯片选择信号的芯片选择CS缓冲器、被配置为输出内部时钟信号的命令时钟CK缓冲器、被配置为输出第一内部命令/地址信号的命令/地址CA缓冲器、CA缓冲器控制器，其被配置为基于第一内部芯片选择信号控制...
    2025-08-01
  • 译码驱动电路及存储芯片
    译码驱动电路及存储芯片_长鑫存储技术有限公司_202110981627.X
    本申请涉及一种译码驱动电路及存储芯片，译码驱动电路包括多个子驱动单元及译码控制模块，所述子驱动单元用于根据电源电压信号、第一译码输入信号和中间译码输出信号生成主字线驱动信号；所述译码控制模块与多个所述子驱动单元连接，用于根据使能控制信号及第...
    2025-08-01
  • 相变存储器升压电路的控制方法
    相变存储器升压电路的控制方法_北京时代全芯存储技术股份有限公司_202510409085.7
    本发明提供一种相变存储器升压电路的控制方法，属于集成电路领域。本发明的控制方法包括：判定步骤：第一比较器比较电源电压和第一预设电压；第一电压控制步骤：当电源电压小于第一预设电压时，电荷泵对输入的电压进行升压处理，当第一电压大于或等于第一预设...
    2025-08-01
  • 相变存储器升压电路
    相变存储器升压电路_北京时代全芯存储技术股份有限公司_202510408943.6
    本发明提供一种相变存储器升压电路，属于集成电路领域。本发明的相变存储器升压电路包括：第一比较器，其输入端外接电源电压；第一切换电路和第二切换电路，其输入端分别外接电源电压，并且分别与第一比较器电连接；电荷泵，其输入端与第一切换电路电连接；时...
    2025-08-01
  • 带有升压电路的相变存储器
    带有升压电路的相变存储器_北京时代全芯存储技术股份有限公司_202510409738.1
    本发明提供一种带有升压电路的相变存储器，属于集成电路领域。本发明的相变存储器包括：存储阵列；字线电路和位线电路，其分别与存储阵列电连接；升压电路，其与字线电路和位线电路电连接，升压电路包括：第一比较器，其输入端外接电源电压；第一切换电路和第...
    2025-08-01
  • 译码驱动电路及其方法、字线译码电路及半导体存储器
    译码驱动电路及其方法、字线译码电路及半导体存储器_长鑫存储技术有限公司_202110972631.X
    本申请实施例提供了一种译码驱动电路及其方法、字线译码电路及半导体存储器，该译码驱动电路包括至少一个译码驱动单元，译码驱动单元包括第一级驱动电路和第二级驱动电路；其中，第一级驱动电路，用于接收使能控制信号、译码输入信号和驱动控制信号，并根据使...
    2025-08-01
  • 一种原位化学合成的双材料复合正极材料及其制备方法、应用
    一种原位化学合成的双材料复合正极材料及其制备方法、应用_贵州梅岭电源有限公司_202510658780.7
    本方案公开了电容器用正极材料领域的一种原位化学合成的双材料复合正极材料及其制备方法、应用。所述复合正极材料的制备方法首先采用水热法利用硝酸钴、硝酸镍、2‑甲基咪唑制备CoNi‑MOF催化剂；采用化学气相沉积法利用所述CoNi‑MOF催化剂制...
    2025-08-01
  • 存储装置和数据处理方法
    存储装置和数据处理方法_三星电子株式会社_202510047872.1
    公开了一种存储装置和数据处理方法。所述存储装置包括：非易失性存储装置，存储或读取用户数据；以及控制器，控制非易失性存储装置，非易失性存储装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元存储与用户数据对应的数据位；压缩电路，对...
    2025-08-01
  • 碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法
    碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202510630780.6
    本发明提供了一种碳基MRAM存储单元、存算阵列及其工作方法，碳基MRAM存储单元包括：第一碳基晶体管、第二碳基晶体管、第三碳基晶体管和磁隧道结；第一碳基晶体管的栅极连接至WWL，第一端连接至WBL，第二端连接至磁隧道结的第一端；第二碳基晶体...
    2025-08-01
  • 多态单元及其制备方法、阵列和忆阻器
    多态单元及其制备方法、阵列和忆阻器_浙江大学_202380081883.0
    一种多态单元，包括第一导电层、第二导电层和铁电层，铁电层位于第一导电层和第二导电层之间；铁电层包括第一平面；铁电层在第一状态下在第一平面形成带电畴壁；以及在第二状态下不在第一平面内形成带电畴壁。还公开了一种多态单元阵列，包括多个多态单元、选...
    2025-08-01
  • 具有可变存取粒度的存储器
    具有可变存取粒度的存储器_拉姆伯斯公司_202510444874.4
    公开了具有可变存取粒度的存储器。集成电路存储器组件接收标识第一量的数据的第一列存取命令和标识第二量的数据的第二列读命令，作为相应的第一存储器读取事务和第二存储器读取事务的一部分，第二量的数据由不超过第一量的数据一半的数据比特构成。响应于接收...
    2025-08-01
  • 一种数据采样电路及半导体存储器
    一种数据采样电路及半导体存储器_长鑫存储技术有限公司_202111133806.4
    本申请实施例提供了一种数据采样电路及半导体存储器，该数据采样电路包括：分频电路，用于接收第一数据采样信号，并对第一数据采样信号进行分频处理，得到与相位关联的若干个第二数据采样信号；采样电路，用于接收若干个第二数据采样信号和第一数据信号，并根...
    2025-08-01
  • 一种信号屏蔽电路以及半导体存储器
    一种信号屏蔽电路以及半导体存储器_长鑫存储技术有限公司_202111064019.9
    本申请实施例提供了一种信号屏蔽电路以及半导体存储器，该信号屏蔽电路包括接收电路、延时控制电路和逻辑运算电路；其中，接收电路，用于接收待处理信号和片选信号，输出初始处理信号和初始片选信号；延时控制电路，用于对所述初始片选信号进行延时以及逻辑控...
    2025-08-01
  • 存储装置、电子设备和控制存储装置的方法
    存储装置、电子设备和控制存储装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480005563.1
    根据本公开的一个实施方式的存储装置设置有：磁阻元件，具有相对于/从第一状态至/从第二状态可变的磁化方向；选择元件，与磁阻元件连接；以及写入单元，在将磁阻元件的磁化方向改变为第一状态的第一电流与将磁阻元件的磁化方向改变为第二状态的第二电流之间...
    2025-08-01
  • 刷新电路、刷新方法及半导体存储器
    刷新电路、刷新方法及半导体存储器_长鑫存储技术有限公司_202111210522.0
    本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种刷新电路、刷新方法及半导体存储器，包括：信号生成模块，被配置为基于刷新命令生成翻转信号和进位信号；调整单元被配置为，若基于刷新命令产生第一刷新信号和第二刷新信号，则根据翻转信号生成翻转调整信号...
    2025-08-01
  • 用于读取电压产生电路的分压电路、芯片、设备和方法
    用于读取电压产生电路的分压电路、芯片、设备和方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410095643.2
    本发明提供了一种用于读取电压产生电路的分压电路、存储芯片、电子设备和方法。该分压电路包括多个分压点的分压主电路以及检测保护电路；检测保护电路的第一端配置为接收使能信号，检测保护电路的第二端配置为耦接读取电压，检测保护电路的第三端接地，检测保...
    2025-08-01
  • 磁阻式随机存取存储器及其操作方法
    磁阻式随机存取存储器及其操作方法_珠海南北极科技有限公司_202010842743.9
    本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器，所述磁阻式随机存取存储器包括多个输入输出单元，每个输入输出单元可以同时读写多个存储单元，因此该磁阻式随机存取存储器读写列到列延迟时间tCCD(Column to Column Delay)可以相当于或快于...
    2025-08-01
  • 用于将数据复制至存储器件中的方法、及存储和电子器件
    用于将数据复制至存储器件中的方法、及存储和电子器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202110240532.2
    本文描述一种存储器件，包括命令解码器，配置为接收复制命令以将存储在第一存储位置中的数据直接复制到第二存储位置，而无需将数据传输至外部控制器；存储器阵列，电连接至命令解码器并且包括多个存储位置，多个存储位置包括第一存储位置和第二存储位置；数据...
    2025-08-01
  • 测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法
    测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202210745905.6
    本发明提供一种测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法，提供静态随机存储器电路并选择其中的第一、二测量点；分别以第一、二测量点的电压值为横坐标与纵坐标，在第一测量区间内分别改变第一、二测量点的电压值，分别测量其对应另一个测量点的电压值，得到相...
    2025-08-01
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