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信息存储应用技术
  • 公开了存储器设备及其操作方法。一种存储器设备可以包括多个存储器单元,每个存储器单元包括单元晶体管,该单元晶体管具有通过背栅线与相邻存储器单元的相邻单元晶体管共享的背栅、连接到对应的字线的顶栅和连接到单元晶体管的第一电极的单元电容器;子字线驱...
  • 其中公开了利用高和低操作温度存储器和基于非易失性的存储器管芯的混合的堆叠存储器管芯以及包括其的芯片封装件。高温存储器管芯(诸如使用非易失性存储器(NVM)技术的那些高温存储器管芯)位于具有低温存储器管芯(诸如具有易失性存储器技术的那些低温存...
  • 本公开涉及用于控制供应给字线驱动器的操作电力的半导体装置。半导体装置可以包括:电力控制信号生成电路,其配置为在加电时段开始和测试模式操作被执行的至少一个时生成被激活的电力控制信号;以及操作电力生成电路,其配置为响应于电力控制信号而将供应给字...
  • 本实用新型涉及刀具加工检测技术领域,尤其涉及一种新型PCB铣刀全尺寸抽检设备,包括机架以及设置于机架的检测机构,所述检测机构包括装夹台、与装夹台驱动连接的驱动件以及设置于装夹台外部的径向检测组件、轴向检测组件、清洁组件,所述径向检测组件、轴...
  • 本公开实施例提供了一种刷新方法与装置,涉及半导体技术领域,方法包括:获取存储器当前激活的行地址在预设时长内的激活计数值;若该激活计数值属于超出行锤阈值的多个计数区间中的任意一个计数区间,则确定预设队列是否已满;其中,该队列用于存储需要执行行...
  • 一种运用于非易失性存储器的写入电压产生器。该写入电压产生器连接于一磁阻式随机存取存储器。在一写入动作时,该写入电压产生器提供一写入电压。而根据写入电压,该磁阻式随机存取存储器中一写入路径内一选定存储器胞的存储状态可对应地改变。该写入电压产生...
  • 本发明涉及DRAM电路设计技术领域,具体涉及基于位线开关和电容耦合的灵敏放大器、读取电路、模块。本发明公开了基于位线开关和电容耦合的DRAM灵敏放大器,包括:9个NMOS管N1~N9、2个PMOS管P1~P2、2个电容Cc1~Cc2。本发明...
  • 本发明公开了一种业务演练控制方法、系统、终端及介质,所述方法包括:获取目标演练场景,并确定所述目标演练场景所对应的若干目标演练节点,其中,每一个目标演练节点对应业务进程中的演练项目;获取与所述目标演练场景所对应的目标演练模板,并基于所述目标...
  • 本发明涉及DRAM电路设计技术领域,具体涉及基于电容及翻转点补偿的灵敏放大器、读取电路、模块。本发明公开了一种基于电容及翻转点补偿的灵敏放大器,包括:9个NMOS管M1~M9、2个PMOS管P1~P2、2个电容C1~C2。本发明设计了CSC...
  • 本发明公开了一种锂离子电解液及其制备方法和锂离子电容器。该锂离子电解液,由锂盐和溶剂组成,所述锂盐的锂离子与所述溶剂中的羰基的摩尔比小于1:3,且所述溶剂至多为两种溶剂。低温锂离子电解液应用于锂离子电容器,器件在‑40℃下发挥更高的比容量、...
  • 本申请涉及一种石墨相氮化碳掺杂氧化铋复合电极材料及其制备方法和应用,属于电容去离子脱盐技术领域。本申请的石墨相氮化碳掺杂氧化铋复合电极材料的制备方法,包括以下步骤:将g‑C3N4与Bi2...
  • 本发明提供了一种可擦除可编程只读存储器及编程方法,包括:位于衬底内并且相邻设置的P型阱区和N型阱区;位于P型阱区表面的第一栅氧化层和栅极;位于N型阱区表面的第二栅氧化层和浮栅;位于P型阱区内的间隔设置的第一N型杂质区、第二N型杂质区和第一P...
  • 本发明涉及一种机械硬盘故障智能诊断方法及系统,包括以下内容:S1、将待测机械硬盘插入机械硬盘故障检测设备并通电;S2、智能诊断检测平台实时检测并记录通电硬盘的电流波动轨迹、寄存器状态信息及信号参数信息;S3、将检测的数据信息自动匹配硬盘故障...
  • 本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统、计算机可读存储介质,该存储器包括存储单元阵列和耦接存储单元阵列的外围电路,存储单元阵列包括多个存储单元,多个存储单元具有2N个数据态,N为大于等于1的整数;外围电路...
  • 本发明涉及超级电容器技术领域,具体而言,尤其涉及一种核壳结构五氧化二钒复合炭材料的制备方法及其应用。本发明以钒基醇盐为前驱体,表面生长小尺寸的金属有机骨架(Zn‑MI)颗粒,随后通过炭化过程的控制实现核壳结构V2O
  • 本发明属于激光切割技术领域,公开了一种激光切割质量检测方法以及检测装置。激光切割质量检测方法包括:将光线通过分光件分离出激光波段光束和可见光波段光束;通过激光能量计检测激光波段光束的能量,以判断工件是否已被激光穿透;通过成像设备并根据该图像...
  • 本申请公开了一种可抑制编程干扰的flash型FPGA的配置控制电路,涉及flash型FPGA领域,该配置控制电路相比于常规配置控制电路增加编程选择电路,在对位于目标行、目标列的flash存储单元执行编程操作时,编程选择电路控制编程位线电压与...
  • 本公开提供一种感测放大器及其操作方法、存储器。该感测放大器包括:感测放大电路,包括第一节点、第二节点、第三节点和第四节点,被配置为处于放大阶段时,进行信号放大处理;偏移消除电路,耦接至第一节点和第二节点,被配置为处于偏移消除阶段时,进行偏移...
  • 本申请公开一种存储器件的测试设备,涉及存储器件技术领域,旨在解决如何延长测试主板使用寿命的问题。测试设备包括控制面板、温箱、测试模块、电源模块及控制电路。其中,温箱和测试模块之间设置有隔热板。测试模块提供待测存储器件的插槽。插槽贯穿隔热板,...
  • 本申请公开了一种服务器的测试系统、方法和装置、存储介质及电子设备,该服务器的测试系统包括:测试设备和远程终端,测试设备包括:转接器和光电转换器,待测服务器包括:部件接口、处理器和指示灯;光电转换器,用于采集指示灯发出的参考光信号;将参考光信...
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