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电解或电泳工艺的制造及其应用技术
  • 本发明公开了一种钛多孔基底复合电极及其制备方法,包括如下具体步骤:步骤一、对钛多孔基底进行处理并去除其表面的氧化层;步骤二、通过化学气相沉积法在钛多孔基底的一侧表面上生长碳纳米管并形成碳纳米管阵列层;碳纳米管的生长方向与钛多孔基底一侧表面垂...
  • 本发明提供了一种低载量负载型TiO2@IrO2催化剂及其制备方法和应用,先将TiO2分散于乙二醇溶液中,随后通过加入盐酸多巴胺与铱原料反应,生成稳定的含铱离子的聚多巴胺包覆层...
  • 本发明公开了适用于新一代AI及通信产业的电解铜箔,本发明还公开了上述铜箔的制造方法,包括:将原料铜加入硫酸中,搅拌溶解后过滤,然后与添加剂混合,得到电解液,将电解液转移至生箔机的电解槽中;制备Cr防锈液,过滤,然后将其转移至生箔机的铬防氧化...
  • 本发明提供了一种降低原生缺陷的碳化硅外延生长方法。在步骤S1所限定的不低于1500℃的预定温度及不低于50 mbar的预定压力条件下,通过步骤S2通入氢气对掺杂碳化硅衬底进行刻蚀;在该步骤通入不低于氢气流量0.06%的掺杂源气,调节氢气分子...
  • 本实用新型涉及制冰技术领域,尤其涉及制冰机及冰箱,制冰机包括:壳体,壳体设有朝向水平方向的敞口;制冰装置,制冰装置位于壳体内,且制冰装置与敞口相对设置,制冰装置可由敞口进出壳体,制冰装置包括支撑座和冰模,支撑座设有通水部,冰模设置于支撑座,...
  • 本发明提供了一种反应装置与气相外延生长设备,该反应装置包括具有至少一个第一反应腔室的第一反应器;第一反应腔室被构造出至少一圈第一阻挡片,第一阻挡片将第一反应腔室限定出第一中转区域和第一环形通道,第一环形通道沿径向设置第一隔断片,第一阻挡片开...
  • 本实用新型提供一种制冰机,包括制冰盒、制冷装置、集冰篮以及驱动机构,制冰盒具有制冰腔;制冷装置包括至少部分伸入到制冰腔内的制冰柱;集冰篮具有与制冰柱相配合的制冰位置以及与制冰柱脱离配合的集冰位置;所述驱动机构用于驱使集冰篮相对于制冰盒平行移...
  • 本实用新型提供一种制冰机,包括制冰盒、制冷装置、加热件以及安装座,制冰盒具有制冰腔;制冷装置包括至少部分伸入到制冰腔内的制冰柱以及连接制冰柱的制冷剂管;所述加热件与制冷剂管相接触;安装座具有容纳加热件的安装腔;所述安装腔内设置有发泡层。将加...
  • 本实用新型提供一种制冰机,包括储水件、制冰盒以及制冷装置,储水件具有储水腔以及暴露储水腔的进气口;制冰盒具有制冰腔以及暴露制冰腔的制冰口;制冷装置包括至少部分伸入到制冰腔内的制冰柱;所述制冰机还包括供水管,所述供水管导通储水腔与制冰腔,以使...
  • 本实用新型涉及制冰领域,提供一种冰箱,包括:冰箱本体,冰箱本体包括冷冻腔室和冷藏腔室;制冰机,制冰机包括壳体以及位于壳体内的导冷装置和制冰装置,壳体设有朝向水平方向的敞口,制冰装置与敞口相对设置,导冷装置设置于制冰装置的底部,且制冰装置与导...
  • 本实用新型涉及复合材料加工系统领域,公开了一种低烛芯效应的阻燃复合材料加工系统,包括依次设置的玻纤氨基化改性单元、DOPO‑PH处理单元、拉挤单元和切割单元,玻纤氨基化改性单元包括氨基化改性池,DOPO‑PH处理单元包括DOPO‑PH池。本...
  • 本实用新型公开了一种铜电解净液脱铜脱杂槽槽面冲洗系统,包括旋转喷头、输水管、进水管道、玻璃钢罩、三通球阀、快接式接头,玻璃钢罩盖于脱铜脱杂槽之上,玻璃钢罩内沿直线均匀平行设置有多排输水管,输水管上沿直线均匀设有多个垂直于输水管设置的“L”型...
  • 本实用新型涉及制冰技术领域,尤其涉及冰箱,包括:冰箱本体,冰箱本体包括冷冻腔室和冷藏腔室;制冰机,制冰机包括壳体、盖板、供水装置、导冷装置和冰模,壳体具有水平朝向的敞口,盖板盖设于敞口,盖板与壳体活动连接,并与壳体围设出容置空间;供水装置包...
  • 本发明提供一种电解分离池及应用其的电化学氮气发生器,该电解分离池包括膜电极;膜电极包含依次层叠设置的阳极气体扩散层、阳极催化剂层、离子交换膜、阴极催化层、阴极气体扩散层;其中,阴极气体扩散层的接触角>90°,阴极气体扩散层的孔隙率为2...
  • 本申请公开了一种亲水耐磨防腐的复合结构及其制备方法、应用,涉及模具技术领域,包括如下步骤:步骤1、选材:选取不锈钢作为待用胚料;步骤2、粗化:将待用胚料进行底层喷砂处理,获得处理工料;步骤3、镀层:将处理工料投入至恒温的电镀液中,控制电镀温...
  • 本发明提供一种氮气发生器电解池及其活化方法,该活化方法为对氮气发生器电解池进行活化,本申请通过利用恒压活化处理,不仅使膜充分活化,而且自外而内(气体经流道‑气体扩散层进入内部的催化层参与反应)打通气体传输通道。在S4中在停止通入空气并进行析...
  • 本发明公开了一种半导体器件用双层厚膜高阻单晶外延片的制备方法。通过综合设计区别于传统外延工艺的生长温度及其波动范围、生长速率、升降温时间、基座转速以及加速度等关键工艺参数,克服了双层厚膜高阻外延工艺容易生成边缘多晶颗粒、滑移线甚至裂纹诱生缺...
  • 本申请涉及螺纹接箍电镀的领域,尤其是涉及一种螺纹接箍用电镀镍钨合金工艺。一种螺纹接箍用电镀镍钨合金工艺,包括以下步骤:S1、活化处理;S2、预镀镍处理;S3、镀铜处理;S4、镀镍钨合金处理;S5、镀锡铜处理;S6、钝化处理。本申请技术方案针...
  • 本发明属于气动工具技术领域,具体涉及一种带有缓冲功能的气钉枪,包括壳体、弹夹、活塞和撞针;缓冲垫,所述缓冲垫连接在壳体内的气缸下端,并抵靠在壳体上的枪嘴上,所述缓冲垫内还开设有两个空腔;缓冲垫由固定块和橡胶垫组成,橡胶垫连接在固定块的上端,...
  • 本发明涉及电镀技术领域,具体公开了一种钛合金电镀装置,包括:电镀池,电镀池上设有输送模块,输送模块包括输送单元,输送单元包括沿前后方向延伸轴线转动于电镀池的驱动轮,驱动轮上传动安装有输送链条,输送模块还包括夹持单元与升降驱动单元;夹持单元包...
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