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最新专利技术
  • 全彩Micro-LED器件及制备方法、头戴显示设备
    全彩Micro-LED器件及制备方法、头戴显示设备_歌尔科技有限公司_202311851838.7
    本发明公开了一种全彩Micro‑LED器件及其制备方法、头戴显示设备，该全彩Micro‑LED器件包括：依次堆叠设置的驱动背板、蓝光LED外延片、第一光转换层和第二光转换层；第一光转换层和第二光转换层均为完整结构层；在第二光转换层背离第一光...
    2025-08-02
  • 一种微型LED显示模组及其制作方法、显示设备
    一种微型LED显示模组及其制作方法、显示设备_歌尔科技有限公司_202311851851.2
    本发明公开了一种微型LED显示模组及其制作方法、显示设备，通过在微型LED晶圆背板上制备多个遮光组件，在微型LED晶圆背板上制备整面的膜层形成牺牲层，针对每种待设QD层位置将当前待设QD层位置处的牺牲层去除，再涂覆对应颜色的非光敏QD材料在...
    2025-08-02
  • 一种显示屏及其制备方法、头戴显示设备
    一种显示屏及其制备方法、头戴显示设备_歌尔科技有限公司_202311851798.6
    本发明公开了一种显示屏及其制备方法、头戴显示设备，显示屏包括屏本体和光控制层，屏本体设置有发光单元，光控制层设置于屏本体的出光一侧，其设置有与发光单元对应的出光口，使得发光单元发出的光通过出光口出射，发光单元发出的光至少部分被出光口的断面反...
    2025-08-02
  • 一种微型LED显示模组及其制作方法、显示设备
    一种微型LED显示模组及其制作方法、显示设备_歌尔科技有限公司_202311840159.X
    本发明公开了一种微型LED显示模组及其制作方法、显示设备，通过在微型LED晶圆背板上制备多个遮光组件，时针对每种待设QD层位置，将具有流动性的有机材料整面涂覆在微型LED晶圆背板上利用该有机材料的自流平特性使有机材料填充至遮光槽形成牺牲层，...
    2025-08-02
  • 一种透明显示屏及其制备方法、头戴显示设备
    一种透明显示屏及其制备方法、头戴显示设备_歌尔科技有限公司_202311839981.4
    本发明公开了一种透明显示屏及其制备方法、头戴显示设备，方法包括：在第一基板一侧面形成驱动单元及第一透光层，第一透光层填充于驱动单元之间，形成驱动背板，在第二基板一侧面形成发光单元及第二透光层，第二透光层填充于发光单元之间，形成显示背板，将驱...
    2025-08-02
  • Micro-LED器件及其制备方法、头戴显示设备
    Micro-LED器件及其制备方法、头戴显示设备_歌尔科技有限公司_202311840059.7
    本发明公开了一种Micro‑LED器件及其制备方法、头戴显示设备，该Micro‑LED器件包括依次堆叠设置的衬底、n型GaN层、多量子阱有源区层、p型GaN层以及p型电极层；贯穿衬底，延伸至n型GaN层的n型电极；其中，p型电极层包括在p型...
    2025-08-02
  • Micro-LED器件及其制备方法、头戴显示设备
    Micro-LED器件及其制备方法、头戴显示设备_歌尔科技有限公司_202311840028.1
    本发明公开了一种Micro‑LED器件及其制备方法、头戴显示设备，该Micro‑LED器件包括：衬底层、n型GaN层、多量子阱有源区层、p型GaN层依次堆叠形成的发光单元；贯穿衬底层并延伸至n型GaN层的n型电极；其中，p型GaN层背离多量...
    2025-08-02
  • 一种复合电极及其制备方法、光电器件
    一种复合电极及其制备方法、光电器件_广东聚华印刷显示技术有限公司_202311848922.3
    本申请属于光电器件技术领域，具体涉及一种复合电极及其制备方法、光电器件。所述复合电极的制备方法包括以下步骤：采用原子层沉积法形成第一种子层；在所述第一种子层上沉积导电层，得到复合电极。本申请提供的复合电极的导电层的连续性好，透过率高且方阻较...
    2025-08-02
  • 一种复合电极及其制备方法及光电器件
    一种复合电极及其制备方法及光电器件_广东聚华印刷显示技术有限公司_202311848877.1
    本申请涉及光电技术领域，尤其涉及一种复合电极及其制备方法及光电器件，其中，所述复合电极包括层叠设置的种子层以及导电层；种子层包括第一子种子层，第一子种子层为非连续种子层。本申请提供的复合电极中导电层的连续性好，透过率高且方阻较低。
    2025-08-02
  • 一种正面具有选择性钝化减反膜的光伏电池及其制备方法
    一种正面具有选择性钝化减反膜的光伏电池及其制备方法_泰州中来光电科技有限公司_202311846068.7
    本发明涉及光伏电池技术领域，公开一种正面具有选择性钝化减反膜的光伏电池及其制备方法。光伏电池的制备方法包括：在硅基底正面的金字塔绒面制备第一钝化减反膜；选择性去除非栅线区域的第一钝化减反膜；在硅基底正面制备第二钝化减反膜，以增加正面栅线区域...
    2025-08-02
  • 一种电池的制备工艺
    一种电池的制备工艺_隆基绿能科技股份有限公司_202311843518.7
    本申请提供了一种氧化亚铜薄膜电池及其制备方法。所述制备方法包括衬底制备，电子传输层制备，氧化亚铜吸光层制备，吸光层掺杂，空穴传输层制备及电极制备等步骤。其中，所述吸光层掺杂为自氧化亚铜薄膜远离电子传输层一侧的表面进行Ⅴ族元素掺杂，具体的，所...
    2025-08-02
  • 一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器
    一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器_兆易创新科技集团股份有限公司_202311842280.6
    本申请提供一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器，单光子雪崩二极管包括：第一类型二维半导体层，其第一表面包括第一区域和第二区域；第二类型二维半导体层，设置在第一表面的一侧，并位于第二区域；第一金属触点，设置在第一表面的一侧，并与第一类...
    2025-08-02
  • 一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器
    一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器_兆易创新科技集团股份有限公司_202311840585.3
    本申请提供一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器，单光子雪崩二极管包括：N型衬底层，具有入光侧和背光侧；器件结构层，嵌设于N型衬底层内；器件结构层包括在入光侧朝向背光侧的方向上依次设置的N型掺杂雪崩倍增区和P型重掺杂光吸收区，且N型掺...
    2025-08-02
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_苏州能讯高能半导体有限公司_202311842261.3
    本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底以及位于衬底一侧的外延结构；源极和漏极位于外延结构远离衬底一侧，且源极和漏极均沿第一方向延伸，沿第二方向排列；背面电极位于衬底远离外延结构的一侧，且背面电极通过位于衬底和外延结构中的连接结构...
    2025-08-02
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311842988.1
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；外延结构，位于衬底一侧；外延结构中形成有二维电子气；凹槽，位于外延结构中，且至少贯穿二维电子气；凹槽内设置有接触介质；接触介质的电子浓度大于外延结构的电子浓度；欧姆接触电极，欧...
    2025-08-02
  • 半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法
    半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法_华为技术有限公司_202311847458.6
    本申请实施例提供了一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。其中，半导体器件包括衬底、鳍结构和栅极。其中，鳍结构设于衬底上，鳍结构包括沿第一方向交替设置的导电部和沟道部，沟道部包括沿远离衬底的方向层叠且间隔设置的...
    2025-08-02
  • 散热翅片、散热器及电子设备
    散热翅片、散热器及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202311850794.6
    本申请公开了一种散热翅片、散热器及电子设备，属于电子设备散热技术领域。散热翅片包括：翅片板体，翅片板体具有进风端和出风端；协同角改善组件，协同角改善组件设置在翅片板体的第一侧，协同角改善组件包括协同角改善部；协同角改善部包括多个协同角改善结...
    2025-08-02
  • 电子设备的控制方法、装置、终端和存储介质
    电子设备的控制方法、装置、终端和存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202311837325.0
    本公开提供电子设备的控制方法及装置、终端和存储介质。电子设备的控制方法包括：获取电子设备的镜筒的第一温度；确定第一温度是否大于第一预设阈值；当确定第一温度大于第一预设阈值时，调整电子设备的第一冷却机构的工作状态，以降低镜筒的温度。通过比较镜...
    2025-08-02
  • 电子设备
    电子设备_荣耀终端股份有限公司_202311849803.X
    本申请实施例涉及电子设备技术领域，提供一种电子设备，所述电子设备包括辐射体、导电件和磁性损耗结构；所述导电件包括导电结构；所述辐射体和所述导电结构相邻设置，所述辐射体辐射出的电磁波可在所述导电结构上激励起沿第一方向传播的驻波，所述驻波具有多...
    2025-08-02
  • 一种高精度独立对位的刚挠结合板制作方法
    一种高精度独立对位的刚挠结合板制作方法_深圳市实锐泰科技有限公司_202311825991.2
    本发明公开了一种高精度独立对位的刚挠结合板制作方法，包括叠层方向上的刚性板板层、柔性板层、半固化片层，步骤为：制作假性覆盖膜层；对刚性板层及半固化片层制作刚性板开窗区，将各层依次叠排、压合，形成层压板；制作第一干膜图形，露出假性覆盖膜层，制...
    2025-08-02
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