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最新专利技术
  • 电池包和储能电池系统
    电池包和储能电池系统_浙江宇视科技有限公司_202311564392.X
    本发明提供一种电池包和储能电池系统，涉及储能电池技术领域，所述电池包包括：电芯模组；电池管理兼容模块，所述电池管理兼容模块与所述电芯模组连接；第一触点模块，所述第一触点模块与所述电池管理兼容模块连接；壳体，所述电芯模组、所述电池管理兼容模块...
    2025-06-21
  • 二次电池和装置
    二次电池和装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311580318.7
    本申请涉及二次电池和装置。本申请的二次电池包括正极极片、负极极片和电解液；正极极片包括正极活性材料，正极活性材料包括锂镍过渡金属氧化物；电解液包括含氟磺酰亚胺锂和如式1所示的烷氧基硼酸添加剂； 2025-06-21
  • 水性粘结剂在电池极片中的应用、电池极片及电池
    水性粘结剂在电池极片中的应用、电池极片及电池_中南大学_202311557159.9
    本发明属于电池材料技术领域，公开了有且仅有腐殖酸钠的水性粘结剂在电池极片中的应用。本发明也公开了以腐殖酸钠作为粘结剂的电池极片以及电池。电池极片中的水性粘结剂有且仅有腐殖酸钠，成分简单，成本低廉；用水即可作为溶剂，绿色环保；而且腐殖酸钠作为...
    2025-06-21
  • 一种改性正极活性材料、其制备方法和包含其的锂离子电池
    一种改性正极活性材料、其制备方法和包含其的锂离子电池_北京车和家汽车科技有限公司_202311562236.X
    本发明提供了一种改性正极活性材料、其制备方法和包含其的锂离子电池。所述改性正极活性材料包括内核，和包覆在所述内核表面局部区域的包覆层；所述内核包括位于所述内核内部的体相掺杂区和位于所述内核表层的界面掺杂区；所述内核的材料为掺杂了元素M的正极...
    2025-06-21
  • 正极活性材料颗粒及其制备方法、正极极片、电池单体、电池和用电装置
    正极活性材料颗粒及其制备方法、正极极片、电池单体、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311557925.1
    本申请公开了一种正极活性材料颗粒及其制备方法、正极极片、电池单体、电池和用电装置，正极活性材料颗粒具有聚合物包覆层，其中，聚合物包覆层中的聚合物包括式(1)所示的结构单元；
    2025-06-21
  • 正极极片、负极极片、二次电池及用电装置
    正极极片、负极极片、二次电池及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311557549.6
    本申请涉及一种正极极片、负极极片、二次电池及用电装置。该正极极片包括正极中涂区和位于所述正极中涂区至少一侧的正极边涂区，所述正极边涂区的膜层的电阻R1小于所述正极中涂区的膜层的电阻R2。该正极极片...
    2025-06-21
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202311567366.2
    本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何改善裸片互连封装技术中，裸片在封装基板上占用面积较大的问题。本公开实施例一种半导体封装结构，包括：封装基板和器件组件层。器件组件层位于封装基板的一侧，且与封装基...
    2025-06-21
  • 线路板组件和电子设备
    线路板组件和电子设备_华为技术有限公司_202311573218.1
    本申请实施例提供一种线路板组件和电子设备，用于改善芯片结构的散热效率较低的问题。线路板组件包括第一线路板、芯片结构以及导热结构。第一线路板包括相对的第一表面和第二表面。芯片结构安装于第一线路板的第一表面。导热结构位于第一线路板的第二表面所在...
    2025-06-21
  • 光学对准装置、光学对准方法及存储介质
    光学对准装置、光学对准方法及存储介质_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202311562652.X
    本发明提供了一种光学对准装置、一种光学对准方法及一种计算机可读存储介质。所述光学对准装置包括显微物镜、第一相机、第二相机、红外光源及控制器。所述显微物镜的第一端朝向待对准的第一样本及第二样本。所述第一相机经由第一半反半透镜对准所述显微物镜的...
    2025-06-21
  • 基片承载装置及基片处理设备
    基片承载装置及基片处理设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202311560424.9
    本发明公开了一种基片承载装置及基片处理设备，涉及半导体设备领域。一种基片承载装置，包括：连接件，包括沿竖直方向延伸的连接主体；承载件，连接于所述连接件，所述承载件沿水平方向延伸，以多个基片平行于所述竖直方向的方式承载所述多个基片，其中，多个...
    2025-06-21
  • 一种半导体处理设备及其间距测量装置和间距测量方法
    一种半导体处理设备及其间距测量装置和间距测量方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311562465.1
    一种半导体处理设备及其间距测量装置和间距测量方法，间距测量装置包含弹性元件，连接弹性元件的压力传感器，连接压力传感器的控制器。将间距测量装置安装至半导体处理设备的反应腔中，令间距测量装置的弹性单元的自由端悬空，且弹性单元的自由端在竖直方向上...
    2025-06-21
  • 分析PERC电池产生EL黑斑的方法和PERC电池的制备方法
    分析PERC电池产生EL黑斑的方法和PERC电池的制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202311557371.5
    本发明涉及一种分析PERC电池产生EL黑斑的方法和PERC电池的制备方法。该方法包括以下步骤：提供检测到带有EL黑斑的PERC电池；去除PERC电池的表面镀层，回收带有PN结的硅片，更换设备重新进行镀膜印刷以及PL测试，若EL黑斑消失，则E...
    2025-06-21
  • 工作台自调平方法、系统及半导体器件加工设备
    工作台自调平方法、系统及半导体器件加工设备_江苏京创先进电子科技有限公司_202311556260.2
    本发明揭示了工作台自调平方法、系统及半导体器件加工设备，其中工作台自调平方法通过三个台面高度检测传感器直接检测工作台的台面的不同点的高度，能够更直接、准确地反应出工作台的台面的水平状态，提高了检测的精度，因此，能够更及时、准确的进行调平，同...
    2025-06-21
  • 一种半导体封装模具和封装工艺
    一种半导体封装模具和封装工艺_无锡佰恒光电科技有限公司_202311556846.9
    本发明公开了一种半导体封装模具和封装工艺，属于半导体封装技术领域，包括上模板和下模板，上模板下表面至少开有一个模具型腔；有耐高温层镶入下模板的下模凹槽且稍微高于下模板上表面，耐高温层上表面覆盖有薄片，上模板和下模板之间放置有PCB板。本发明...
    2025-06-21
  • 用于多晶硅刻蚀过程中减少缺陷产生的方法
    用于多晶硅刻蚀过程中减少缺陷产生的方法_格科半导体(上海)有限公司_202311561201.4
    本发明公开了一种用于多晶硅刻蚀过程中减少缺陷产生的方法，至少包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层和多晶硅层；在所述多晶硅层上形成图形化的第一光阻层；对所述多晶硅层进行至少两次F离子的注入；通过控制每次F离子注入的工艺参数，以减少在所述...
    2025-06-21
  • 一种基于水凝胶吸附剂的硅晶圆清洗方法
    一种基于水凝胶吸附剂的硅晶圆清洗方法_万华化学集团电子材料有限公司_202311552421.0
    本发明提供一种基于水凝胶吸附剂的硅晶圆清洗方法，包括：1)臭氧水处理单元：将硅晶圆垂直浸入溢流的臭氧水处理槽，再用纯水冲洗硅晶圆的表面；2)水凝胶吸附剂吸附单元：在纯水的喷淋下，处于硅晶圆两侧的水凝胶吸附剂同时向中心夹紧硅晶圆，保持一段时间...
    2025-06-21
  • 半导体零部件及其涂层形成方法
    半导体零部件及其涂层形成方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311559819.7
    本发明公开了一种半导体零部件及其涂层形成方法，所述半导体零部件包括：零部件本体；第一耐蚀刻涂层，位于零部件本体表面；第二耐蚀刻涂层，沉积于第一耐蚀刻涂层的表面上，所述第二耐蚀刻涂层与第一耐蚀刻涂层化学键合连接；其中，第二耐蚀刻涂层为结晶态氟...
    2025-06-21
  • 一种细胞类型划分的推断方法
    一种细胞类型划分的推断方法_东北林业大学_202311554149.X
    本发明公开提供一种细胞类型划分的推断方法，属于生物信息学领域，该方法利用零膨胀负二项(ZINB)模型对scRNA‑seq数据进行降噪。随后，该方法采用自适应图对比表示学习方法，使用近似个性化传播的神经预测图卷积作为图对比学习的编码器。这确保...
    2025-06-21
  • 一种与细胞通讯相关高度可变基因的识别方法
    一种与细胞通讯相关高度可变基因的识别方法_东北林业大学_202311550340.7
    本发明公开提供一种与细胞通讯相关高度可变基因的识别方法，属于生物信息学领域，该方法对单细胞RNA测序(scRNA‑seq)数据和空间转录组学(ST)数据进行特征提取，然后使用Seurat的函数对scRNA‑seq数据中的基因表达信息和ST数...
    2025-06-21
  • 存储器及其操作方法、存储器系统
    存储器及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202311567047.1
    本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统，该存储器包括存储阵列和与存储阵列耦接的外围电路。存储阵列包括多个存储单元。该外围电路被配置为：对目标态为最高态的待编程存储单元耦接的字线施加N个编程电压，进行第一编程操作，以使目标态为最...
    2025-06-21
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