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五金工具产品及配附件制造技术
  • 热镀锌的钝化方法、系统、设备及介质
    热镀锌的钝化方法、系统、设备及介质_山东钢铁集团日照有限公司_202510197923.9
    本发明提供一种热镀锌的钝化方法、系统、设备及介质，属于热镀锌领域。该方法包括：预先在钝化产线上设置至少两台辊涂机以及多个钝化循环罐，其中，每个钝化循环罐对应一种钝化介质；根据用户的钝化需求以及钝化介质的药剂特性，当带钢经过辊涂机时，根据辊涂...
    2025-05-23
  • 一种化学气相沉积装置及其方法
    一种化学气相沉积装置及其方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311568586.7
    本发明公开了一种化学气相沉积装置及其方法，该装置包含：反应腔室，由反应腔室顶壁、底壁围绕而成，所述顶壁包含一透明顶板和一设置在所述透明顶板外侧的金属顶板，所述金属顶板上设置有若干个第一凹槽，用于容纳复数个辐射热源，所述金属顶板和所述透明顶板...
    2025-05-23
  • 一种提高钕铁硼耐蚀性的复合涂层及其制备方法
    一种提高钕铁硼耐蚀性的复合涂层及其制备方法_华南理工大学_202510110582.7
    本发明涉及钕铁硼磁性材料腐蚀防护领域，公开一种提高钕铁硼耐蚀性的复合涂层及其制备方法。该方法为将钕铁硼磁性材料手工磨制、机械抛光，再进行超声清洗、干燥、预热和Cr离子轰击清洗，得到预处理的钕铁硼基体；采用铬靶在氮气气氛中通过电弧离子镀在预处...
    2025-05-23
  • 反应腔室
    反应腔室_湖北江城芯片中试服务有限公司_202510202343.4
    本申请实施例提供一种反应腔室，该反应腔室包括：腔室主体；支撑组件，设置在腔室主体的内部空间的底部，包括用于承载基板的支撑表面；靶材组件，设置在腔室主体的顶部，包括待沉积于基板上的源材料的靶材；靶材的表面与支撑表面相对设置；隔离环，围绕靶材的...
    2025-05-23
  • 一种独立双腔室电子枪蒸发镀膜设备
    一种独立双腔室电子枪蒸发镀膜设备_蒙城繁枫真空科技有限公司_202510514276.X
    本发明公开了一种独立双腔室电子枪蒸发镀膜设备，涉及镀膜设备技术领域。包括设备底板，所述设备底板上固定安装有上腔室与下腔室，所述设备底板的侧端面固定安装有真空泵，所述真空泵的输入端固定连通有排出管，所述排出管远离真空泵的一端固定连通有双通管，...
    2025-05-23
  • 一种玻璃基片镀膜用真空气相沉积装置
    一种玻璃基片镀膜用真空气相沉积装置_苏州晶生新材料有限公司_202421437233.3
    本实用新型提供一种玻璃基片镀膜用真空气相沉积装置，涉及玻璃镀膜领域，包括镀膜箱，所述镀膜箱的一侧设置有工作腔室，所述工作腔室的顶部设置有镀料喷头，所述工作腔室的底部设置有支撑柱，所述支撑柱的顶部安装有工作台，所述工作腔室的一侧内壁上对称设置...
    2025-05-23
  • 同步辐射光源用的椭圆形真空盒的吸气剂镀膜方法及装置
    同步辐射光源用的椭圆形真空盒的吸气剂镀膜方法及装置_中国科学技术大学_202411158905.1
    本发明公开一种同步辐射光源用的椭圆形真空盒的吸气剂镀膜方法及装置，其方法是通过制作表面呈螺旋丝段和陶瓷屏蔽段交替分布的阴极丝靶，使得其在真空盒内形成特定长度范围内的镀膜区域，同时通过将真空盒分为多段式的结构，将镀膜工艺分成两个阶段镀膜，将第...
    2025-05-23
  • 一种ZnO薄膜材料用的MOCVD反应器
    一种ZnO薄膜材料用的MOCVD反应器_贵州民族大学_202510181142.0
    本发明涉及半导体材料制备设备技术领域，公开了一种ZnO薄膜材料用的MOCVD反应器，包括反应容器，反应容器的内部设置有移动框，移动框的中心处贯穿并固定有分流盘，分流盘的下表面贯穿并固定有均匀分布的出气喷嘴，反应容器的顶部中心处设置有过渡加热...
    2025-05-23
  • 热镀锌气刀唇口清理系统及方法
    热镀锌气刀唇口清理系统及方法_武汉钢铁有限公司_202510232627.8
    本发明属于冷轧带钢生产技术领域，具体涉及热镀锌气刀唇口清理系统及方法。该系统包括气刀体、与气刀体的外侧滑动连接的驱动装置，驱动装置的一端连接有刮刀装置，驱动装置带动刮刀装置沿着气刀体中的气刀刀唇方向移动，气刀刀唇包括上刀唇和下刀唇；刮刀装置...
    2025-05-23
  • 半导体工艺腔室及其工艺套件
    半导体工艺腔室及其工艺套件_北京北方华创微电子装备有限公司_202311577266.8
    本申请提供一种半导体工艺腔室及其工艺套件，工艺套件包括防护件、屏蔽机构以及支撑机构，其中：防护件用于固定设置于半导体腔室的升降基座；屏蔽机构包括第一内衬和第二内衬，第一内衬用于与半导体腔室的腔体固定连接，第二内衬的一端与第一内衬至少部分叠置...
    2025-05-23
  • 溅射方法
    溅射方法_北京北方华创微电子装备有限公司_201910763676.9
    本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S...
    2025-05-23
  • 化学气相沉积室的清洁
    化学气相沉积室的清洁_朗姆研究公司_202380072642.X
    提供一种从处理工具的处理室清除沉积残留物的方法。该方法包含将通过远程等离子体所产生的反应性清洁物质引入该处理室中。当将由该远程等离子体所产生的该反应性清洁物质引入该处理室中时，原位等离子体于该处理室中的处理站处形成。
    2025-05-23
  • 一种热镀锌铝镁带钢冷却装置
    一种热镀锌铝镁带钢冷却装置_嘉祥科伦普重工有限公司_202421953870.6
    本实用新型公开了一种热镀锌铝镁带钢冷却装置，具体涉及镀锌铝镁带钢冷却技术领域，包括固定框和导风筒，所述固定框的一端固定连接有导风筒，用于进行冷却的热镀锌铝镁带钢贯穿固定框和导风筒的内部，固定框的顶部设置有顶板，固定框的内部靠近热镀锌铝镁带钢...
    2025-05-23
  • 一种改进原子层沉积技术中铟镓氧化物薄膜界面质量的方法
    一种改进原子层沉积技术中铟镓氧化物薄膜界面质量的方法_上海大学_202510394564.6
    本发明提供了一种改进原子层沉积技术中铟镓氧化物薄膜界面质量的方法，通过优化初始循环的前驱体比例，显著提升IGO薄膜晶体管迁移率。传统实验IGO沉积采用固定循环比(如In:Ga＝3:1)，存在界面缺陷多、载流子迁移率低的问题。本发明提出在首个...
    2025-05-23
  • 加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法
    加速器中子源靶复合过渡层及其水热-磁控溅射制备方法_华硼中子科技(杭州)有限公司_202510504986.4
    本发明涉及中子源靶领域，公开了一种加速器中子源靶复合过渡层及其水热‑磁控溅射制备方法。该复合过渡层位于基材与靶材层之间，包括通过水热法沉积并经酸洗焙烧附着于基材表面的TiO2层，以及沉积于TiO2...
    2025-05-23
  • 一种金刚石碳膜沉积装置
    一种金刚石碳膜沉积装置_杭州碳碳新材料科技有限公司_202421522372.6
    本实用新型公开了一种金刚石碳膜沉积装置，具体涉及沉淀镀膜领域，包括装置主体，装置主体的内部固定安装有电极，电极的顶部设置有靶材锅，靶材锅的内部插接有固定螺栓，固定螺栓通过螺纹连接在电极的内部，装置主体的内部开设有螺旋槽，螺旋槽的内部插接有弹...
    2025-05-23
  • 一种高承载耐磨的自润滑保护涂层及其制备方法和应用
    一种高承载耐磨的自润滑保护涂层及其制备方法和应用_广东省科学院新材料研究所_202510503114.6
    本发明属于自润滑保护涂层技术领域，具体涉及一种高承载耐磨的自润滑保护涂层及其制备方法和应用，包括依次设置的金属过渡层、陶瓷材料层，陶瓷材料层具有若干孔隙，陶瓷材料层的孔隙率沿自润滑保护涂层的表面法线方向由内向外呈梯度递增分布，且陶瓷材料层的...
    2025-05-23
  • 一种用于辐射制冷的光学窗口结构
    一种用于辐射制冷的光学窗口结构_哈尔滨理工大学_202510115817.1
    本发明提出了一种用于辐射制冷的光学窗口结构，属于辐射制冷器件技术领域，所述光学窗口的结构为金属层和电介质层交替堆叠；最下层和最上层均为金属层，保护内部电介质层的同时，通过自身的光学特性来阻挡太阳辐射，确保辐射制冷材料处在一个相对低温的环境；...
    2025-05-23
  • 自钝化金属的化学活化
    自钝化金属的化学活化_斯瓦戈洛克公司_202310479238.6
    本发明的发明名称为自钝化金属的化学活化。一种由自钝化金属制成并具有限定由于先前金属成形操作而产生的拜尔比层的一个或多个表面区域的工件被活化，以便通过将所述工件暴露于通过加热非聚合N/C/H化合物所产生的蒸气来进行后续低温气体硬化。
    2025-05-23
  • 半导体零部件及其涂层形成方法
    半导体零部件及其涂层形成方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311559819.7
    本发明公开了一种半导体零部件及其涂层形成方法，所述半导体零部件包括：零部件本体；第一耐蚀刻涂层，位于零部件本体表面；第二耐蚀刻涂层，沉积于第一耐蚀刻涂层的表面上，所述第二耐蚀刻涂层与第一耐蚀刻涂层化学键合连接；其中，第二耐蚀刻涂层为结晶态氟...
    2025-05-23
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