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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种独立双腔室电子枪蒸发镀膜设备
    一种独立双腔室电子枪蒸发镀膜设备_蒙城繁枫真空科技有限公司_202510514276.X
    本发明公开了一种独立双腔室电子枪蒸发镀膜设备，涉及镀膜设备技术领域。包括设备底板，所述设备底板上固定安装有上腔室与下腔室，所述设备底板的侧端面固定安装有真空泵，所述真空泵的输入端固定连通有排出管，所述排出管远离真空泵的一端固定连通有双通管，...
    2025-07-25
  • 热敏片镀膜工装治具
    热敏片镀膜工装治具_湖南纳洣小芯半导体有限公司_202422360219.4
    本实用新型提供了一种热敏片镀膜工装治具，涉及热敏片镀膜技术领域。该热敏片镀膜工装治具包括固定基板以及两个固定压盖，固定基板上设有并排设置的多个倾斜定位槽，一一对应放置于多个倾斜定位槽中的多个热敏片呈倾斜堆叠状态，且设置电路的热敏片部分上表面...
    2025-07-25
  • 一种铜钛共掺杂的非晶碳涂层及高通量制备方法
    一种铜钛共掺杂的非晶碳涂层及高通量制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202510638605.1
    本发明属于涂层材料制备技术领域，具体涉及一种铜钛共掺杂的非晶碳涂层及高通量制备方法。本发明首先提供了一种高通量的制备方法，该方法无需制备多个不同金属含量的靶材，通过基体样品位置的巧妙排布和特定的质控指标要求，仅进行一次多个的基体制备，即可获...
    2025-07-25
  • 一种中子发射管用复合储氘涂层及其制备方法
    一种中子发射管用复合储氘涂层及其制备方法_有研工程技术研究院有限公司_202211273586.X
    本发明提出一种中子发射管用复合储氘涂层材料及其制备方法，通过采用气相沉积的方法，在基材表面上沉积金属过渡层来进一步增强涂层与基底间结合强度。在金属过渡层表面沉积制备金属氘化物薄膜，通过控制溅射过程中通入氘气的百分比来调控沉积涂层中的储氘量，...
    2025-07-25
  • 一种用于光伏焊带镀锡的装置及其系统和工艺方法
    一种用于光伏焊带镀锡的装置及其系统和工艺方法_西安泰力松新材料股份有限公司_202411892406.5
    本发明属于焊带制造技术领域，涉及一种用于光伏焊带镀锡的装置及其系统和工艺方法。包括用于一次定径的浮动模具和用于二次定径的环形风刀，所述压线板在竖直方向的第一切点与环形风刀的环形风口聚焦点位于同一竖直线上，所述浮动模具位于第一切点与环形风口聚...
    2025-07-25
  • 装饰薄膜及其制备方法
    装饰薄膜及其制备方法_维达力实业(深圳)有限公司_202211686211.6
    本发明涉及一种装饰薄膜及其制备方法。装饰薄膜包括金属打底层、第一过渡层以及颜色层。第一过渡层设置在～金属打底层上，～第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种。颜色层设置在～第一过渡层远离～金属打底层的一侧，～颜色层...
    2025-07-25
  • 酸洗液除铁再生设备和方法
    酸洗液除铁再生设备和方法_中山市华锌工材料科技有限公司_202110150132.2
    本发明涉及一种酸洗液除铁再生设备和方法，包括：酸洗装置，包括酸洗池和酸洗换热器；反应罐，其进料口与酸洗池连通；过滤罐，其进料口与反应罐的出料口连通；过滤罐的出液口与酸洗池连通，以用于将过滤液返回至酸洗池；热处理装置，用于将来自过滤罐的固体进...
    2025-07-25
  • 一种锌合金或铝合金免水镀打底的表面处理方法
    一种锌合金或铝合金免水镀打底的表面处理方法_深圳市金钛锆科技有限公司_202510481081.X
    本发明提供一种锌合金或铝合金免水镀打底的表面处理方法，具体步骤包括：(1)将压铸成型的锌合金或铝合金工件进行去毛刺、去披锋处理；(2)表面进行精细拉丝处理；(3)将(2)中处理好的锌合金或铝合金工件进行清洗以及烘干；(4)将(3)清洗以及烘...
    2025-07-25
  • 掩模组件、制造显示装置的设备及制造显示装置的方法
    掩模组件、制造显示装置的设备及制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202010986810.4
    提供了掩模组件、用于制造显示装置的设备和制造显示装置的方法。掩模组件包括掩模框架和多个掩模片，其中：掩模框架包括框架本体部分和多个分隔件，框架本体部分布置在掩模框架的外部处，并且多个分隔件将框架本体部分的内部划分成多个开口，多个分隔件中的在...
    2025-07-25
  • 无膦酸盐的水性酸浸组合物及其用途
    无膦酸盐的水性酸浸组合物及其用途_凯密特尔有限责任公司_202180041965.3
    本发明涉及一种具有在55℃下为5‑9的pH值的无膦酸盐的水性酸浸组合物，其包含至少一种选自聚乙烯吡咯烷酮的水溶性或水分散性共聚物；水的含量为95.0‑99.9重量％，基于组合物的总重量。本发明进一步涉及一种用于制备该组合物的浓缩物、一种使用...
    2025-07-25
  • 一种基于选区活化的低应力钎焊结构及其制备方法和应用
    一种基于选区活化的低应力钎焊结构及其制备方法和应用_华北电力大学(保定)_202510735309.3
    本发明涉及陶瓷/金属钎焊技术领域，特别是涉及一种基于选区活化的低应力钎焊结构及其制备方法和应用，包括陶瓷、金属以及设置于陶瓷与金属之间的钎焊层，陶瓷表面与钎焊层之间还具有图案化的活性金属层，活性金属层为高强度活化区与低强度未活化区交替分布的...
    2025-07-25
  • 高效热镀锌工艺
    高效热镀锌工艺_上海聚丰热镀锌有限公司_202510547552.2
    本发明涉及化学领域，公开了高效热镀锌工艺，包括以下步骤：脱脂：用脱脂剂对工件在40‑50℃下进行脱脂处理，同时采用超声波振动或机械搅拌辅助脱脂；酸洗：将脱脂后的工件，使用含15%‑25%盐酸且添加0.5%‑1%水凝胶酸雾抑制剂的酸洗液，在2...
    2025-07-25
  • 显示模组及其制备方法、掩膜板组件
    显示模组及其制备方法、掩膜板组件_京东方科技集团股份有限公司_202210343650.0
    本申请实施例提供了一种显示模组，包括：基板、以及层叠的第一标记组层和第二标记组层；第一标记组层设置于基板的一侧，第二标记组层用于朝向对位装置并与对位装置具有第一识别距离，层叠的第一标记组层和第二标记组层用于供对位装置识别并对位。本申请实施例...
    2025-07-25
  • 一种复合微合金化的抗腐蚀ZG40Cr25Ni20Si2母合金及其制备方法
    一种复合微合金化的抗腐蚀ZG40Cr25Ni20Si2母合金及其制备方法_兴化市精密铸钢有限公司_202510485037.6
    本发明属于抗腐蚀钢技术领域，提供了一种复合微合金化的抗腐蚀ZG40Cr25Ni20Si2母合金及其制备方法，包括：熔炼精炼、微合金化、浇注成型、调质热处理、渗氮处理和气相沉积。本发明对母合金进行合金化，引入钼元素、钴元素和钨元素后可以对基体...
    2025-07-25
  • 防着板表面的钼去除工艺
    防着板表面的钼去除工艺_深圳仕上电子科技股份有限公司_202410472281.4
    本发明公开了一种防着板表面的钼去除工艺，包括如下步骤：提供附着有钼层的防着板；将防着板放置在烤架上，推入高温烤箱；开启高温烤箱，使得高温烤箱内的温度维持在350℃～600℃，并同时向高温烤箱内鼓入氧化性气体，充分反应使得防着板上的钼层被氧化...
    2025-07-25
  • 耐蚀性优异的镀覆钢板及其制造方法
    耐蚀性优异的镀覆钢板及其制造方法_浦项股份有限公司_202380086953.1
    本发明提供一种即使在复合腐蚀环境中也具有优异的耐蚀性的镀覆钢板及其制造方法。
    2025-07-25
  • 制备涂层粉末成分的工艺
    制备涂层粉末成分的工艺_应用材料公司_202380084598.4
    本公开的实施例一般涉及蒸汽涂层工艺，用于制备涂层粉末成分。在一或多种实施例中，提供了一种制备涂层粉末成分的方法，所述方法包括将多个粉末颗粒放置在处理区域，其中每个粉末颗粒包含一或多种有机材料、一或多种无机材料，或它们的组合，并在循环蒸汽涂层...
    2025-07-25
  • 一种雷达外壳镀膜用治具
    一种雷达外壳镀膜用治具_东莞市锐乐精密科技有限公司_202421933984.4
    本实用新型涉及雷达外壳加工技术领域，尤其是指一种雷达外壳镀膜用治具，包括固定组件、安装座和翻转组件，固定组件包括圆弧件、滑动块和活动块，圆弧件的两末端均开设有安装槽，滑动块可活动的与安装槽进行连接，活动块可活动的设置在滑动块远离安装槽的一侧...
    2025-07-25
  • 一种吸附式石墨舟
    一种吸附式石墨舟_泰州中来光电科技有限公司_202422363211.3
    一种吸附式石墨舟，包括多个连接在一起的石墨舟片，所述石墨舟片上设有吸附槽、卡点结构和气流通道，吸附槽与气流通道连通；所述卡点结构包括壳体、可活动的限位块以及与限位块连接的弹性件，壳体内设有负压腔，负压腔与气流通道连通，限位块的一端设于负压腔...
    2025-07-25
  • 一种显示器件硬掩膜平坦化的方法
    一种显示器件硬掩膜平坦化的方法_安徽熙泰智能科技有限公司_202510508636.5
    本发明公开了一种显示器件硬掩膜平坦化的方法，包括以下步骤：步骤1：使用CMOS Wafer作为衬底，依次在衬底上沉积阳极、ITO层、硬掩膜层；步骤2：进行黄光涂胶曝光显影三个步骤，留下PR掩膜版，刻蚀后进行PR去除，之后会留下PR遮盖区域底...
    2025-07-25
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