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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明提供碳系膜的成膜方法和成膜装置,在有选择地在沟槽、孔等图案的顶部形成碳系膜时,抑制碳系膜的悬突的产生,并且提高生产率。在成膜装置中,使晶片(W)的温度至少高于200℃,将仅由乙炔气体、氩气和氢气构成的成膜气体中的氢气的添加率设定为3%...
  • 本实用新型提供一种射频等离子体增强化学气相沉积设备,具体涉及医用丝材表面处理技术领域。针对反应气体在反应腔体内分布不均匀、温度控制系统大多难以在整个反应腔体内保持均匀的温度分布、设备的反应气体利用率较低等问题,本实用新型提供了一种射频等离子...
  • 本实用新型涉及一种焊带生产用组合镀锡模具,包括基体及与其配合的上盖,所述基体内腔设置有若干聚晶条,所述聚晶条的数量≥3,所述聚晶条依次连接围成镀锡孔,前一个所述聚晶条的前端与后一个相邻聚晶条的前部接触,本实用新型镀锡模具镀锡孔加工难度小,镀...
  • 本发明涉及紧凑型卷材等离子镀膜设备,包括底架、真空箱、真空发生机构、收放卷机构、电极机构以及若干化学单体汽化单元,真空发生机构中的抽气组件设置在真空箱内部的上端,真空箱的底部开设有若干第一通孔,每个第一通孔连接有一化学单体汽化单元,电极机构...
  • 本实用新型涉及光伏技术领域,提供一种调节装置。调节装置包括下极板加热组件、多个调节组件和多个传输组件,下极板加热组件内部具有腔体,腔体用于容纳载板;多个传输组件间隔设于腔体的侧壁,传输组件用于输送载板;多个调节组件间隔设于腔体的侧壁,且与传...
  • 本发明属于轧钢辊环技术领域,具体涉及一种在轧钢辊环上涂敷纳米复合涂层的方法,包括以下步骤:S1、预处理;S2、真空加热处理;S3、一次刻蚀处理:对基体进行离子源轰击刻蚀处理30‑120min;S4、一次镀膜处理;S5、二次刻蚀处理;S6、二...
  • 提出了一种衬底预加热模块。根据本公开的实施例,该模块包括:室,其配置成从设备前端模块(EFEM)接收一个以上衬底;第一开口,其设置在邻近EFEM的室的壁上;气体入口,其配置为将第一气体从外气体源输送到室中;第一阀,其设置在气体入口处,并配置...
  • 本实用新型涉及遮阳板镜片镀膜领域,公开了一种适用于汽车遮阳板镜片的磁控溅射镀膜装置,包括真空罐,所述真空罐顶部设置有高压阳极棒,所述真空罐底端内壁设置有磁控离子激发器,所述磁控离子激发器外周滑动连接有固定底座,所述固定底座内部开设有滑动槽,...
  • 本申请公开了一种复合镀层及其制备方法,所述复合镀层沉积在基材上,依次为基材、镱锆银合金层和碳氮锆银合金层。为了克服工艺控制难度大、与基材结合力较差、镀层颜色不可控、表面粗糙、抗病毒效果差等缺点,本文提出一种利用复合靶材,通过多弧离子镀的方式...
  • 本发明提供一种二次电池电极制造设备辊用纳米复合涂覆材料及其制备系统。本发明的目的在于,提供一种应用于母材,并具有耐热性、耐粘附性、耐久性、耐化学性、耐摩擦性、脱模性的新型涂覆材料,以及该涂覆材料的制备方法以及制备系统。本发明提供一种应用于母...
  • 本申请公开了一种引发式分子层沉积方法及区域选择性沉积调控方法。该引发式分子层沉积方法包括如下步骤:表面激活:将基板置于反应腔体中,利用等离子体在基板表面形成反应位点;沉积:向反应腔体中通入单体,单体与反应位点作用并在基板表面沉积形成膜层;其...
  • 本申请涉及光伏和半导体技术领域,尤其涉及一种沉积设备,解决了沉积设备无法对腔体的内壁进行镀膜的问题。该沉积设备被配置为对腔体的内壁进行镀膜,内壁围合形成腔室,腔体具有连通腔室与外界的至少一个开口。该沉积设备包括至少一个密封件、至少一个靶台和...
  • 本发明提供了一种半导体溅镀方法及系统,在原设计的上料/下料平台中间增设可上下升降结构(快门)以及另一组溅镀载体,实现两组相互穿梭。这一设计允许设备同时进行上料、下料以及溅镀操作。当第一组固定座在溅镀腔体中进行溅镀时,第二组固定座能在该时间内...
  • 一示例提供一种沉积工具。该沉积工具包含处理室和真空系统。该真空系统包含真空管线,其配置成运载来自该处理室的排气流。该真空系统还包含阀,其定位在该真空管线内。该真空系统还包含清扫气体入口,其沿着该真空管线而设置。
  • 本发明涉及材料表面改性技术领域,具体涉及一种自适应减摩WS2‑DLC/DLC多层涂层及其制备方法和应用,包括以下步骤:在基底表面沉积中间层Cr层,在中间层Cr层上沉积WS2‑DLC复合层,在WS<...
  • 本发明提供一种能够抑制基板的破损发生地保持基板的基板支架。基板支架(30)使基板(2)的被处理区域(21a)露出地保持基板(2),其特征在于,具备:夹持部(310、320),所述夹持部(310、320)与基板(2)的角部(24)不接触地夹持...
  • 本发明一种半导体碳化硅涂层装置、系统、方法及可读存储介质,属于半导体涂层领域;解决了现有碳化硅涂层装备操作复杂且分解后生成的多种副产物严重影响碳化硅涂层质量的问题;为解决该技术问题采用的技术方案是:包括涂覆腔和控制系统,涂覆腔内的MTS分解...
  • 本实用新型提供了一种用于控制薄膜沉积分布的装置及化学气相沉积设备,装置设于化学气相沉积设备上,化学气相沉积设备包括上腔壳及具有通孔的喷淋板,上腔壳和喷淋板围合形成有上腔室,装置包括:扩散器,可竖向移动调节地设于上腔室内且位于喷淋板的上方;驱...
  • 本发明提出了一种可调控温度的化学气相沉积金刚石反应器及调控方法,包括:微波等离子体反应器腔室,用于耦合微波能量并激发等离子体;水冷台,设置在微波等离子体反应器腔室内用于支撑和冷却金刚石生长基材;金刚石生长基材,设置在水冷台上作为金刚石生长的...
  • 本实用新型涉及显示装置制造技术领域,公开一种化学气相沉积装置,具有反应腔室,化学气相沉积装置包括:下电极和多个支撑销,下电极安装于反应腔室底部,支撑销穿设于下电极,下电极可沿支撑销长度方向运动;矫正组件,反应腔室内对应玻璃基板每个侧面分别设...
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