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最新专利技术
  • 一种锂二次电池和用电装置
    一种锂二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311582292.X
    本申请提供了一种锂二次电池和用电装置，所述电池包括电解液，所述电解液包含羧酸酯类化合物，且以所述电解液的质量为基础计，所述羧酸酯类化合物的质量百分比A不小于30％且不大于70％；所述电池满足：0.7≤A*(T+L)/H≤7.7，其中，A为以...
    2025-07-16
  • 一种具有修饰层的固态电解质及其制备方法
    一种具有修饰层的固态电解质及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202311569031.4
    本发明涉及一种具有修饰层的固态电解质及其制备方法。所述具有修饰层的固态电解质，包括：固态电解质和涂覆在固态电解质上的修饰层，所述固态电解质和所述修饰层通过氢键连接；所述修饰层包括酸处理的碳基质和修饰在碳基质上的银纳米颗粒。
    2025-07-16
  • 二次电池及其应用
    二次电池及其应用_株式会社AESC日本_202311575950.2
    本发明提出了一种二次电池及其应用，所述二次电池至少包括：壳体；以及卷绕电芯，设置在所述壳体内，所述卷绕电芯包括负极极片、正极极片和隔膜；其中，在100％荷电状态下，所述卷绕电芯满足： 2025-07-16
  • 一种燃料电池阳极杂质气体浓度在线计算方法
    一种燃料电池阳极杂质气体浓度在线计算方法_武汉雄韬氢雄燃料电池科技有限公司_202311570334.8
    本发明涉及一种燃料电池阳极杂质气体浓度在线计算方法，包括如下步骤：设置燃料电池氢路子系统的阳极杂质气体浓度测试系统；在测试系统运行时，实时计算阳极杂质气体浓度α；将计算得出的阳极杂质气体浓度α与预警值αmax动态对比，...
    2025-07-16
  • 燃料电池系统的湿度控制方法和装置
    燃料电池系统的湿度控制方法和装置_未势能源科技有限公司_202311576288.2
    本发明提供了一种燃料电池系统的湿度控制方法和装置，涉及燃料电池能量管理的技术领域，包括：将燃料电池系统中燃料电池的质子交换膜的目标湿度范围和当前含水量进行比较，判断质子交换膜是否处于目标工作状态；若是，则根据质子交换膜的含水量和燃料电池的入...
    2025-07-16
  • 抗辊压集流体及其应用
    抗辊压集流体及其应用_江阴纳力新材料科技有限公司_202311573254.8
    本发明提供了一种抗辊压集流体及其应用。所提供的集流体包括抗辊压薄膜层和金属层，所述金属层位于所述抗辊压薄膜层的至少一个表面；所述抗辊压薄膜层通过氢键交联型光响应聚合物、交联剂以及高分子材料熔融而成。还提供了正极片、电池以及用电装置。
    2025-07-16
  • 集流板以及包括集流板的电池单元
    集流板以及包括集流板的电池单元_创科无线普通合伙_202311581686.3
    本发明涉及一种用于电池单元的正极的集流板，所述集流板包括：第一连接部分，所述第一连接部分形成为所述集流板的主体部，所述第一连接部分用于焊接到电池单元的正极；设置于所述主体部的中间的第二连接部分；以及连接所述第一连接部分和第二连接部分的狭窄部...
    2025-07-16
  • 一种磷酸锰铁锂电池
    一种磷酸锰铁锂电池_青岛乾运高科新材料股份有限公司_202311566337.4
    本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种磷酸锰铁锂电池。其包括以下组分：正极材料：磷酸锰铁锂；负极材料：石墨或硅复合材料；电解液：含有LiPF6的有机电解液；隔膜：聚丙烯或聚乙烯隔膜；电池外壳：金属壳或复合材料壳；所述的正极材料是通过以下方法制...
    2025-07-16
  • 硅基复合材料及其制备方法和二次电池
    硅基复合材料及其制备方法和二次电池_兰溪致德新能源材料有限公司_202311576142.8
    本发明提供了一种硅基复合材料及其制备方法和二次电池，具体涉及二次电池技术领域。所述硅基复合材料包括硅基活性材料颗粒和包覆在所述硅基活性材料颗粒表面的人工SEI膜；所述人工SEI膜的材质包括硼酸化合物。本发明提供的硅基复合材料中，硼酸化合物与...
    2025-07-16
  • 高安全性磷酸锰铁锂电池正极材料的加工方法
    高安全性磷酸锰铁锂电池正极材料的加工方法_青岛乾运高科新材料股份有限公司_202311566336.X
    本发明涉及一种高安全性磷酸锰铁锂电池正极材料的加工方法，属于于锂离子电池技术领域。包括正极片、负极片、隔离膜、电解液和电池外壳，所述的正极片包括正极集流体和涂布在正极集流体表面的正极活性物质层，按照重量百分比计，所述正极活性物质层成分如下：...
    2025-07-16
  • 正极极片及其制备方法、电池和用电装置
    正极极片及其制备方法、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311580592.4
    本申请公开了一种正极极片及其制备方法、电池和用电装置。正极极片包括正极集流体以及设置在正极集流体至少一个表面上的正极活性层，正极活性层包括第一活性层和第二活性层，第二活性层位于正极集流体和第一活性层之间；第一活性层包括第一正极活性材料，第二...
    2025-07-16
  • 集成基板及其制造方法
    集成基板及其制造方法_京东方科技集团股份有限公司_202311576360.1
    本公开提供一种集成基板及其制造方法，属于电子技术领域。本公开的集成基板包括：支撑层，其具有沿其厚度方向贯穿的第一连接过孔；第一导电层和第二导电层，分别设置在支撑层沿其厚度方向相对设置的两个侧面上；第一连接电极，设置在第一连接过孔内，第一导电...
    2025-07-16
  • 半导体器件隔离沟槽结构的制备方法
    半导体器件隔离沟槽结构的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311573628.6
    本发明提供一种半导体器件隔离沟槽结构的制备方法，采用具有可流动性的流动材料填充所述隔离材料层，基于该材料层的可流动性，在形成过程中可以填充表面不平坦的隔离材料层(即bump)且还能使得该层流动材料层的表面平坦，然后通过对流动材料层及隔离材料...
    2025-07-16
  • 校准方法、顶针装置及调平方法
    校准方法、顶针装置及调平方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202311579858.3
    本申请公开了一种校准方法、顶针装置及调平方法，涉及半导体领域。一种校准方法包括：计算所述顶针装置自所述最低位移动至所述加速段结束的第一时间和移动至匀速段结束的第三时间，检测所述顶针装置自所述最低位移动至与晶圆接触的第二时间；判断所述第二时间...
    2025-07-16
  • 用于制造半导体结构的模具及其制备方法
    用于制造半导体结构的模具及其制备方法_华润润安科技(重庆)有限公司_202311577416.5
    本申请提供一种用于制造半导体结构的模具及其制备方法。所述模具用于对半导体中间结构进行加工以得到半导体结构。半导体中间结构包括基板、引线框、芯片及塑封层，引脚露出所述塑封层。所述模具包括第一子模具和第二子模具。第一子模具包括第一安装座及安装在...
    2025-07-16
  • 清洗机台的清洗效果检测方法、装置、设备和存储介质
    清洗机台的清洗效果检测方法、装置、设备和存储介质_无锡华润上华科技有限公司_202311581743.8
    本申请涉及一种清洗机台的清洗效果检测方法、装置、设备和存储介质。所述方法包括：通过清洗机台对晶圆承载装置进行清洗；将测试晶圆放置于清洗后的晶圆承载装置中；对放置有测试晶圆的晶圆承载装置进行生产模拟操作，之后检测测试晶圆上的当前缺陷数量；其中...
    2025-07-16
  • 一种离子植入角度的监测方法、装置和半导体机台
    一种离子植入角度的监测方法、装置和半导体机台_武汉楚兴技术有限公司_202311580485.1
    本申请公开一种离子植入角度的监测方法、装置和半导体机台，该方法包括：在一监测晶圆上界定包含多个第一子区域的第一区域和包含多个第二子区域的第二区域；根据多个预设偏移角度对第一子区域依次进行第一次离子植入，并将第一次离子植入后的监测晶圆旋转第一...
    2025-07-16
  • 金属材料层平整化的制备方法
    金属材料层平整化的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311577282.7
    本发明提供一种金属材料层平整化的制备方法，通过在孔中形成金属材料层后，先对金属材料层进行预处理，以对其表面的不平坦进行第一步处理，降低其高低不平坦的锐度，然后采用干法刻蚀工艺刻蚀修整后的金属材料层，由于干法刻蚀对图形负载不敏感，再加之已对金...
    2025-07-16
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311575060.1
    本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括：提供半导体基底，包括有源区和栅极结构，半导体基底上形成有硅化物阻挡层；去除硅化物制备区域的部分硅化物阻挡层，在硅化物制备区域保留预定厚度的硅化物阻挡层；对硅化物制备区域进行预非晶化注入，以至少...
    2025-07-16
  • 半导体后端互连结构的制备方法
    半导体后端互连结构的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311577317.7
    本发明提供一种半导体后端互连结构的制备方法，通过在对低k介质层刻蚀时，在其上方形成由金属氮化物层/金属层构成金属硬掩膜叠层结构，压应力的金属氮化物层及张应力的金属层互相配合可有效调整金属硬掩膜叠层结构的应力方向，使其与低k介质层的应力方向一...
    2025-07-16
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