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龙图腾网恭喜金华职业技术大学申请的专利一种高压条件下的光谱测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109342334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811476393.8，技术领域涉及：G01N21/25；该发明授权一种高压条件下的光谱测量装置是由李凡;张向平;方晓华;赵永建设计研发完成，并于2018-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压条件下的光谱测量装置在说明书摘要公布了：本发明涉及材料研究领域，一种高压条件下的光谱测量装置，包括上压力盘、下压力盘、调平螺丝、压力螺丝、顶砧限位螺丝、上支撑盘、下支撑盘、上顶砧、下顶砧、环形垫圈、压力媒介、样品、限位螺杆、光收集系统和激光器，能够在高压条件下研究样品的光谱特性、尽可能抑制顶砧材料的信号，使得入射光和样品表面的反射光分别通过顶砧的冠部斜切面进入和离开顶砧，入射光从金刚石顶砧的冠部斜切面入射，在样品表面的入射角较大，从而能够更好地将金刚石的散射光及荧光与样品的散射光分离开来，压力装置无需导轨结构，避免了由于部件松弛而造成的压力偏差，无需将激光聚焦到样品上非常小的区域，能够减少激光导致的样品表面的局域热量。

本发明授权一种高压条件下的光谱测量装置在权利要求书中公布了：1.一种高压条件下的光谱测量装置，包括上压力盘1、下压力盘2、调平螺丝3、压力螺丝4、顶砧限位螺丝5、上支撑盘6、下支撑盘7、上顶砧8、下顶砧9、环形垫圈10、压力媒介11、样品12、限位螺杆13、光收集系统14和激光器15，xyz为三维空间坐标系，上顶砧8的底面向下，下顶砧9的底面向上，环形垫圈10位于上顶砧8的底面和下顶砧9的底面之间，环形垫圈10中具有压力媒介11，样品12位于压力媒介11内，对样品12施加高压时，上顶砧8和下顶砧9相互靠近，并通过压力媒介11将压力施加到样品12上，高压范围5GPa到30GPa，光收集系统14能够收集的光对应的区域称为光收集区域，其特征是：上压力盘1和下压力盘2均是外径为十厘米的钢制圆环形且具有弹性，上压力盘1与下压力盘2在竖直y方向同轴排列，上压力盘1距中心为三厘米的圆周上具有三个均布的M5螺孔，上压力盘1距中心为四厘米的圆周上具有三个均布的M4螺孔，每个所述M4螺孔的侧面均具有限位螺杆13，下压力盘2具有三个均布的M5螺孔、且与上压力盘1的所述M5螺孔对应，下压力盘2上面具有三个均布的圆锥形凹槽、且与上压力盘1的所述M4螺孔对应，压力螺丝4通过M5螺孔将下压力盘2与上压力盘1相连接，调平螺丝3的顶端为圆锥形，调平螺丝3通过上压力盘1的M4螺孔、且顶端位于下压力盘2的圆锥形凹槽内，在下压力盘2的上表面距中心为二厘米的圆周上安装有三个均布的顶砧限位螺丝5，上支撑盘6和下支撑盘7均是外径为三厘米的碳化硅圆环，光收集系统14位于上支撑盘6中心的正上方，上支撑盘6嵌套于上压力盘1内并连接固定，下支撑盘7嵌套于下压力盘2内，下支撑盘7能够通过三个顶砧限位螺丝5来微调，能够改变下支撑盘7与下压力盘2之间在水平面内的相对位置，上顶砧8和下顶砧9均采用金刚石标准切工加工而成、且具有台面8-1、冠部8-2、腰面8-3、亭部8-4和底面8-5，冠部斜切面与台面8-1的夹角为40度，上支撑盘6的内侧下部具有与水平方向呈40度的斜切面，上支撑盘6的内侧斜切面与上顶砧8的冠部斜切面接触，下支撑盘7的内侧上部具有与水平方向呈40度的斜切面，下支撑盘7的内侧斜切面与下顶砧9的冠部斜切面接触，激光器15发射的激光能够以法向入射上顶砧8冠部斜切面，并依次通过上顶砧8和压力媒介11入射到样品12。

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