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龙图腾网恭喜中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司申请的专利宽带抗弯多模光纤获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111257994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811457678.7，技术领域涉及：G02B6/028；该发明授权宽带抗弯多模光纤是由蒋新力;沈一春;许维维;成煜;钱本华;王见青设计研发完成，并于2018-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽带抗弯多模光纤在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO2，P2O5和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述基管的宽度为R2‑R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述下陷包层的宽度为R3‑R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述外包层的宽度为Rmax‑R3，所述芯层中的P2O5和F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化。本发明提供的宽带抗弯多模光纤，降低了所制造的抗弯多模光纤的成本并且具有良好的抗弯性能。

本发明授权宽带抗弯多模光纤在权利要求书中公布了：1.一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO2，P2O5和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述芯层中心到所述基管边界的距离为R2，所述基管的宽度为R2-R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述芯层中心到所述下陷包层边界的距离为R3，所述下陷包层的宽度为R3-R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述芯层中心到所述外包层边界的距离为Rmax，所述外包层的宽度为Rmax-R3，所述芯层中的F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式： 其中，MF0为所述芯层中心的F的摩尔浓度，βF的取值范围为6-10，所述MFr表示所述F在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度；所述芯层中的P2O5的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式： 其中，MP0为纤芯层中心P2O5的摩尔浓度，βp取值范围为2.0-4.5，所述MPr表示所述P2O5在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度；所述芯层中心掺杂有摩尔浓度为9.6%~10.8%的GeO2以及摩尔浓度为0.4%~1.5%的F和3.2%~3.5%的P2O5，所述渐变区的边界掺杂有摩尔浓度为8%~9%的GeO2以及摩尔浓度为4.5%~5%的F和1.2%的P2O5。

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