恭喜朗姆研究公司约瑟夫·阿贝尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利监测室漂移的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111771271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980015547.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权监测室漂移的方法是由约瑟夫·阿贝尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊设计研发完成，并于2019-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本监测室漂移的方法在说明书摘要公布了：提供了一种用于监测等离子体处理室中的漂移以进行半导体处理的方法。提供多个循环，其中每个循环包括在等离子体处理室中的卡盘上方沉积沉积层，等离子体蚀刻所述沉积层以及测量用于等离子体蚀刻所述沉积层以蚀刻穿过所述沉积层的时间。所测得的用于等离子体蚀刻的时间用于确定等离子体处理室的漂移。
本发明授权监测室漂移的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于监测等离子体处理室中的漂移以进行半导体处理的方法，其包括：多个循环，其中每个循环包括：在所述等离子体处理室中的卡盘上沉积沉积层，在没有晶片的情况下执行所述沉积所述沉积层，并且其中，所述沉积所述沉积层直接在所述卡盘的表面上沉积所述沉积层；等离子体蚀刻所述沉积层；以及测量用于等离子体蚀刻所述沉积层以蚀刻穿过所述沉积层的时间；以及使用所测得的时间以确定等离子体处理室的漂移，其中，使用所测得的时间包括：产生用于等离子体蚀刻的时间相对于所述多个循环中的每个循环的曲线图；使用所述曲线图确定室的状况；以及使用所述曲线图来确定所述等离子体处理室是否需要维修；以及其中，使用所测得的时间还包括：使用所测得的时间来确定何时清洁所述等离子体处理室，其中在所述多个循环中的每个循环之间处理至少一个生产晶片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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