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恭喜朗姆研究公司苏尼尔·卡普尔获国家专利权

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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利不断开高功率电路的电容测量获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111771269B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980015041.9,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权不断开高功率电路的电容测量是由苏尼尔·卡普尔;托马斯·弗雷德里克设计研发完成,并于2019-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

不断开高功率电路的电容测量在说明书摘要公布了:提供了一种用于等离子体辅助的半导体处理的方法和装置。该方法包括:a在所述多个站中的每个站处提供衬底;b将包括第一目标频率的RF功率分配给多个站,从而在所述站内产生等离子体,其中,根据配置为减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述RF功率;c调谐用于被包括在所述多个站中的第一站的阻抗匹配电路,同时通过以下方式将RF功率分配给所述第一站:i在不将电容器与所述阻抗匹配电路断开的情况下,测量所述阻抗匹配电路中的所述电容器的电容;以及ii根据i中所测得的所述电容和所述RF功率参数,调节所述电容器的电容;以及d在每个站处在所述衬底上执行半导体处理操作。

本发明授权不断开高功率电路的电容测量在权利要求书中公布了:1.一种在处理室中的多个站中进行等离子体辅助的半导体处理的方法,该方法包括:a在所述多个站中的每个站处提供衬底;b将包括第一目标频率的RF功率分配给多个站,从而在所述站内产生等离子体,其中,根据配置为减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述RF功率;c调谐用于被包括在所述多个站中的第一站的阻抗匹配电路,同时通过以下方式将RF功率分配给所述第一站:i在不将电容器与所述阻抗匹配电路断开的情况下,测量所述阻抗匹配电路中的所述电容器的电容;以及ii根据i中所测得的所述电容和所述RF功率参数,调节所述电容器的电容;以及d在每个站处在所述衬底上执行半导体处理操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司,其通讯地址为:美国加利福尼亚州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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