台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910758142.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件和制造方法是由李欣怡;童宣瑜;许经佑;洪正隆设计研发完成，并于2019-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，使用钝化工艺以减少栅极堆叠内的功函数层内的悬空键和缺陷。钝化工艺引入钝化元素，该钝化元素将与悬空键反应以钝化悬空键。另外，在一些实施例中，钝化元素将捕获其他元素，并减少或防止它们扩散到结构的其他部分中。
本发明授权半导体器件和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在半导体鳍上方沉积栅极电介质； 在所述栅极电介质上方沉积第一p金属功函数层； 在所述第一p金属功函数层上方沉积第一n金属功函数层；以及 将所述第一n金属功函数层暴露于含氟气体中，其中，在将所述第一n金属功函数层暴露于所述含氟气体之后，所述第一n金属功函数层包括具有非零钨浓度的区域， 其中，铝位于所述第一p金属功函数层和所述第一n金属功函数层两者内，并且其中，所述铝的浓度梯度从所述第一n金属功函数层和所述第一p金属功函数层延伸，但在延伸到所述栅极电介质之前结束。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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