三星电子株式会社李奎沃获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有金属氧化物半导体结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112825334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011308208.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有金属氧化物半导体结构的半导体装置是由李奎沃;俞在炫;金贞敬;宋周泫;赵秀娟;洪元杓设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有金属氧化物半导体结构的半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括半导体衬底。漂移区设置在半导体衬底中。漂移区具有第一导电类型。主体区设置在半导体衬底中，邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区设置在漂移区中，与主体区相对。漏极隔离绝缘膜设置在邻近于漏极区的漂移区的一部分中。栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，并且在主体区的一部分和漂移区的一部分上方延伸。栅电极设置在栅极绝缘膜上，并且栅电极具有至少一个闭合类型的开口。
本发明授权具有金属氧化物半导体结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 半导体衬底； 漂移区，其设置在所述半导体衬底中，所述漂移区具有第一导电类型； 主体区，其设置在所述半导体衬底中，邻近于所述漂移区，所述主体区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型； 漏极区，其设置在所述漂移区中，与所述主体区相对； 漏极隔离绝缘膜，其设置在所述漂移区的邻近于所述漏极区的一部分中； 栅极绝缘膜，其设置在所述半导体衬底上，并且在所述主体区的一部分和所述漂移区的一部分上方延伸；以及 栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，并且具有在平面图中由所述栅电极完全围绕的至少一个开口， 其中，所述至少一个开口的面积与所述栅电极的面积之比在2:8至8:2的范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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