台湾积体电路制造股份有限公司詹佳玲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利在鳍式场效晶体管中形成外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110212029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810972337.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权在鳍式场效晶体管中形成外延结构是由詹佳玲;陈子涵;陈亮吟;郭建亿设计研发完成，并于2018-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本在鳍式场效晶体管中形成外延结构在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了在鳍式场效晶体管中形成外延结构。在一实施例中，一种在FinFET装置中形成源极漏极构件的方法包含：提供形成于衬底上方的鳍片和形成于鳍片上方的栅极结构；在所述鳍片中相邻于所述栅极结构形成凹槽；在所述凹槽中形成第一外延层；在所述第一外延层上方形成第二外延层；和在所述第二外延层上方形成第三外延层。所述第二外延层可掺杂有第一元素，而所述第一外延层和所述第三外延层的一者或两者包含不同于所述第一元素的第二元素。所述第一外延层和所述第三外延层的一者或两者可通过等离子体沉积程序形成。
本发明授权在鳍式场效晶体管中形成外延结构在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 在衬底上方形成鳍片； 在所述鳍片上方形成栅极结构；去除相邻于所述栅极结构的所述鳍片的一部分以形成凹槽； 在所述凹槽中形成源极漏极构件，其中所述形成所述源极漏极构件包含： 在所述凹槽中沉积包含第一元素的膜，其中所述膜的一部分中的所述第一元素穿透所述凹槽的底部和侧壁表面以形成扩散层； 去除所述膜的顶部部分以暴露所述凹槽的所述底部和侧壁表面； 此后，对所述扩散层执行第一退火程序，进而形成第一外延层； 在所述第一外延层上方形成第二外延层，使得所述第二外延层与所述凹槽的所述底部和侧壁表面接触；和 在所述第二外延层上方形成第三外延层，其中所述第二外延层和所述第三外延层包含不同于所述第一元素的第二元素，其中所述第一元素和所述第二元素两者具有相同的导电类型且均为n型掺杂剂，其中所述第二外延层中的所述第二元素的浓度大于所述第三外延层中的所述第二元素的浓度；和 对所述源极漏极构件执行第二退火程序。
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