买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011400976.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件是由南善娥;姜秉柱;金柄成;金慧林;朴圣镐;钱钰博设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括第一外部虚设区域和第二外部虚设区域以及位于所述第一外部虚设区域和所述第二外部虚设区域之间的电路区域。所述电路区域包括电路有源区和电路栅极线。每个外部虚设区域包括外部虚设有源区和与所述外部虚设有源区交叠并且与所述电路栅极线间隔开的外部虚设栅极线。所述外部虚设有源区具有在第一水平方向上延伸的线形形状，或包括隔离成彼此不直接接触并且在所述第一水平方向上顺序地延伸的有源部分的形状。所述电路有源区位于所述第一外部虚设有源区和所述第二外部虚设有源区之间，并且包括在所述第一水平方向上顺序地延伸的第一多个电路有源区以及在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上顺序地延伸的第二多个电路有源区。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 第一外部虚设区域； 第二外部虚设区域；和 电路区域，所述电路区域位于所述第一外部虚设区域和所述第二外部虚设区域之间， 其中，所述电路区域包括电路有源区和电路栅极线， 其中，所述第一外部虚设区域包括第一外部虚设有源区和在竖直方向上与所述第一外部虚设有源区交叠的第一外部虚设栅极线，所述第一外部虚设栅极线隔离成与所述电路栅极线不直接接触， 其中，所述第二外部虚设区域包括第二外部虚设有源区和在所述竖直方向上与所述第二外部虚设有源区交叠的第二外部虚设栅极线，所述第二外部虚设栅极线隔离成与所述电路栅极线不直接接触， 其中，所述第一外部虚设有源区和所述第二外部虚设有源区中的每个虚设有源区具有： 在第一水平方向上延伸的线形形状，或 包括隔离成彼此不直接接触并且在所述第一水平方向上顺序地延伸的有源部分的形状， 其中，所述电路栅极线均在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸，并且 其中，所述电路有源区在所述第二水平方向上位于所述第一外部虚设有源区和所述第二外部虚设有源区之间，并且所述电路有源区包括： 在所述第一水平方向上顺序地延伸的第一多个电路有源区，以及 在所述第二水平方向上顺序地延伸的第二多个电路有源区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。