暨南大学张军获国家专利权
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龙图腾网获悉暨南大学申请的专利一种可见光通信的三色PIN光电二极管阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111129050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911228375.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种可见光通信的三色PIN光电二极管阵列及其制备方法是由张军;高丹设计研发完成，并于2019-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可见光通信的三色PIN光电二极管阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可见光通信的三色PIN光电二极管阵列及其制备方法，所述可见光通信的三色PIN光电二极管阵列包括芯片和集成在芯片中SiO2层上的3×3红绿蓝三色PIN光电二极管阵列，所述红绿蓝三色PIN光电二极管阵列y轴方向依次按照绿光光电二极管、红光光电二极管、蓝光光电二极管排列，x轴方向为单色光电二极管。本发明所述的可见光通信的三色PIN光电二极管阵列通过将三种颜色的光电二极管集成在同一芯片上，同时三色PIN光电二极管的厚度一致且很薄，本发明的结构增强了器件的集成度，减小了器件体积；提高了器件的响应带宽及量子效率。
本发明授权一种可见光通信的三色PIN光电二极管阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可见光通信的三色PIN光电二极管阵列，其特征在于，包括芯片和集成在芯片中SiO2层上的3×3红绿蓝三色PIN光电二极管阵列，所述红绿蓝三色PIN光电二极管阵列y轴方向依次按照绿光光电二极管、红光光电二极管、蓝光光电二极管排列，x轴方向为单色光电二极管； 所述单色光电二极管包括衬底硅层、位于衬底硅层上的SiO2层、位于SiO2层上的顶层硅层、位于顶层硅层中的p型Si、i型Si和n型Si、位于i型Si中的空气孔阵列，以及位于p型Si和n型Si上的电极； 所述绿光光电二极管与所述红光光电二极管之间、所述红光光电二极管与所述蓝光光电二极管之间设有隔离区，隔离区宽度为5μm-50μm，隔离区深度与顶层硅厚度一致； 所述芯片为SOI芯片。
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