国立大学法人京都大学;斯坦雷电气株式会社野田进获国家专利权
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龙图腾网获悉国立大学法人京都大学;斯坦雷电气株式会社申请的专利面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021422.5，技术领域涉及：H01S5/18；该发明授权面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法是由野田进;井上卓也;小泉朋朗;江本渓设计研发完成，并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法在说明书摘要公布了：面发射激光元件具有：第一引导层，其具有光子晶体层和嵌入层，该光子晶体层形成在第三族氮化物半导体的c面上，且具有在与层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔，该嵌入层形成在该光子晶体层上并封闭上述气孔；有源层，其形成在第一引导层上；以及第二引导层，其形成在有源层上，在与上述光子晶体层平行的面内的各方形晶格点处配置有气孔组，该气孔组至少包括主气孔和尺寸比主气孔小的副气孔，主气孔具有长轴与11‑20轴平行的正六棱柱形状、扁六棱柱形状或椭圆柱形状。
本发明授权面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种面发射激光元件，其由第三族氮化物半导体构成，并具有： 第一引导层，其具有光子晶体层和嵌入层，该光子晶体层形成在第三族氮化物半导体的c面上，且具有在与层平行的面内具有二维周期性地配置的气孔，该嵌入层形成在所述光子晶体层上并封闭所述气孔； 有源层，其形成在所述第一引导层上；以及 第二引导层，其形成在所述有源层上， 在与所述光子晶体层平行的面内的各方形晶格点处配置有气孔组，所述气孔组至少包括主气孔以及气孔直径和深度比所述主气孔小的副气孔， 所述主气孔和所述副气孔的嵌入封闭面在所述光子晶体层中位于靠近所述有源层的一侧， 所述主气孔具有长轴与11-20轴平行的正六棱柱形状、扁六棱柱形状或椭圆柱形状。
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