三星电子株式会社朴桭胡获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111883510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010294116.6，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权半导体器件是由朴桭胡;丁少锋;方镛胜;安正勋设计研发完成，并于2020-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板；第一电极，包括第一孔；第一电介质层，在第一电极的上表面上和在第一孔的内表面上；第二电极，在第一电介质层上；第二电介质层，在第二电极上；第三电极，在第二电介质层上并包括第二孔；以及第一接触插塞，延伸穿过第二电极和第二电介质层并延伸穿过第一孔和第二孔。第一接触插塞的侧壁脱离与第一孔的侧壁和第二孔的侧壁的直接接触，并具有与第二电极的上表面相邻定位的台阶部分。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基板； 第一电极，包括第一孔； 第一电介质层，在所述第一电极的上表面上并填充所述第一孔的至少一部分； 第二电极，在所述第一电介质层上； 第二电介质层，在所述第二电极上； 第三电极，在所述第二电介质层上，所述第三电极包括第二孔；以及 第一接触插塞，延伸穿过所述第一孔、所述第二电极、所述第二电介质层和所述第二孔， 其中所述第一接触插塞的侧壁脱离与所述第一电极和所述第三电极的直接接触，所述第一接触插塞的所述侧壁具有台阶部分，并且所述第一接触插塞的所述侧壁的所述台阶部分与所述第二电极的上表面相邻， 其中所述第二电极的一部分在所述第一电介质层和所述第一接触插塞之间，并至少部分地填充所述第一孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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