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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110504265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910202048.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件是由前田茂伸;朴成哲;朴哲弘;原田义直;康诚敃;权智旭;金夏永;平野裕一设计研发完成，并于2019-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：顺序设置在衬底上的第一单元至第四单元；第一扩散中断结构至第三扩散中断结构；配置为从衬底突出的第一鳍结构，第一鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第一鳍至第四鳍；第二鳍结构，配置为从衬底突出，与第一鳍结构间隔开，第二鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第五鳍至第八鳍；第一栅电极至第四栅电极，分别设置在第一单元至第四单元中，并且第一单元、第二单元和第四单元中的每一个中的鳍的数量是两个。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一单元、第二单元、第三单元和第四单元，在第一方向上顺序设置在衬底上；第一扩散中断结构、第二扩散中断结构和第三扩散中断结构，被配置为使所述第一单元至所述第四单元彼此分开，所述第一扩散中断结构插入在所述第一单元与所述第二单元之间，所述第二扩散中断结构插入在所述第二单元与所述第三单元之间，并且所述第三扩散中断结构插入在所述第三单元与所述第四单元之间；第一鳍结构，被配置为从所述衬底突出并在所述第一方向上延伸，所述第一鳍结构包括由所述第一扩散中断结构、所述第二扩散中断结构和所述第三扩散中断结构彼此分开的第一鳍至第四鳍；第二鳍结构，被配置为从所述衬底突出，在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一鳍结构间隔开并在所述第一方向上延伸，所述第二鳍结构包括由所述第一扩散中断结构、所述第二扩散中断结构和所述第三扩散中断结构彼此分开的第五鳍至第八鳍；以及第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极，被配置为在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上在所述第二方向上延伸，所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极分别设置在所述第一单元、所述第二单元、所述第三单元和所述第四单元中，其中，所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极中的每一个在所述衬底的n区域处与所述第一鳍结构相交，在所述衬底的p区域处与所述第二鳍结构相交，并且所述第一单元、所述第二单元和所述第四单元中的每一个中的鳍的数量是两个。

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