恭喜索尼半导体解决方案公司平松克规获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像器件和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111226318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880066968.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权摄像器件和电子设备是由平松克规设计研发完成，并于2018-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像器件和电子设备在说明书摘要公布了：本技术涉及能够抑制暗电流的摄像器件和电子设备。它们包括：被构造成执行光电转换的光电转换单元；在半导体基板中挖出的沟槽；在所述沟槽的侧壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜构成的负固定电荷膜；以及形成在所述固定电荷膜内的电极膜。用于构成所述固定电荷膜的所述氧化物膜包括SiO一氧化硅，用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括SiN氮化硅。用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜也可以包括多晶硅膜或高k膜高介电常数膜。本技术可以应用于例如背面照射型CMOS图像传感器。
本发明授权摄像器件和电子设备在权利要求书中公布了：1.摄像器件，包括：被构造成执行光电转换的光电转换单元；在半导体基板中挖出的沟槽；在所述沟槽的侧壁上由第一氧化物膜、氮膜和第二氧化物膜构成的负固定电荷膜；和在所述固定电荷膜内形成的电极膜，所述电极膜与所述固定电荷膜接触，其中，所述氮膜夹在所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜之间，并且，所述第一氧化物膜设置为最靠近所述沟槽的所述侧壁，所述第二氧化物膜设置为最靠近所述电极膜，其中，所述第一氧化物膜的厚度比所述第二氧化物膜的厚度更薄。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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