恭喜超威半导体公司凯达尔纳特·巴拉里斯南获国家专利权
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龙图腾网恭喜超威半导体公司申请的专利从动态随机存取存储器排的掉电模式的推测性退出获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113227938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980081986.0，技术领域涉及：G06F1/3228；该发明授权从动态随机存取存储器排的掉电模式的推测性退出是由凯达尔纳特·巴拉里斯南设计研发完成，并于2019-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本从动态随机存取存储器排的掉电模式的推测性退出在说明书摘要公布了：一种处理系统100，包括存储器控制器110，所述存储器控制器基于所述存储器控制器将接收到对访问动态随机存取存储器DRAM集成电路排115的请求102的预测时间来使所述DRAM排从诸如掉电模式的低功率模式抢先地退出。所述存储器控制器跟踪在DRAM排进入所述低功率模式之后多久才由所述存储器控制器接收到对访问所述DRAM排的请求。基于访问请求的定时的历史，所述存储器控制器针对每个DRAM排预测反映在进入低功率模式之后多久预期将接收到对访问每个DRAM排的请求的预测时间。所述存储器控制器基于所述预测时间并且在接收到对访问所述DRAMIC排的请求之前使所述DRAM排从所述低功率模式推测性地退出。
本发明授权从动态随机存取存储器排的掉电模式的推测性退出在权利要求书中公布了：1.一种用于退出低功率模式的方法，所述方法包括：在存储器控制器110处预测406预期将在所述存储器控制器处接收到对访问处于低功率模式的动态随机存取存储器DRAM集成电路的第一排120的访问请求102的时间，其中预测包括：基于在所述第一排进入所述低功率模式的第一时间与所述存储器控制器接收到对访问所述第一排的访问请求的第二时间之间的时钟周期数量的历史来存储所述第一排的低功率模式持续时间实例的计数，以及基于低功率模式持续时间实例的所述计数预测所述第一排的所述低功率模式的持续时间；以及在所述时间之前使所述第一排从所述低功率模式退出410。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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