台湾积体电路制造股份有限公司江国诚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210065994.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由江国诚;王志豪;蔡庆威;程冠伦设计研发完成，并于2017-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：根据本发明的方面，在制造半导体器件的方法中，形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的鳍结构。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构上方形成第一覆盖层并且在第一覆盖层上方形成第二覆盖层。形成源极漏极外延层。在形成源极漏极外延层之后，去除第二覆盖层，从而在源极漏极外延层和第一覆盖层之间形成间隙，从间隙暴露鳍结构的一部分。去除间隙中的第一半导体层的一部分，从而在第二半导体层之间形成间隔。用第一绝缘材料填充间隔。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一半导体线，设置在衬底上方； 第一源极漏极区域，与所述第一半导体线的端部接触； 栅极介电层，设置在所述第一半导体线的每个沟道区域上并且包裹环绕所述第一半导体线的每个沟道区域； 栅电极层，设置在所述栅极介电层上并且包裹环绕所述每个沟道区域；以及 第一绝缘间隔件，分别设置在间隔中，所述间隔由邻近的第一半导体线、所述栅电极层和所述第一源极漏极区域限定， 其中，与所述第一源极漏极区域接触的所述第一绝缘间隔件的端面垂直对准，其中，所述第一绝缘间隔件的与所述端面相对的表面是朝向所述栅电极层凸出的表面， 覆盖层，设置在所述第一半导体线上方的所述栅电极层的侧壁上，并且所述覆盖层的垂直侧壁与低k介电层直接接触，其中，所述低k介电层设置在所述第一源极漏极区域上方的层间介电层和所述栅电极层之间， 所述低k介电层的位于所述第一源极漏极区域与所述栅电极层之间的底部的侧壁，与所述端面垂直对准。
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