国际商业机器公司M.布林克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利垂直transmon量子位器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111902941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980021325.9，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权垂直transmon量子位器件是由M.布林克;S.罗森布拉特;R.O.托帕洛格卢设计研发完成，并于2019-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直transmon量子位器件在说明书摘要公布了：一种芯片表面基底器件结构300包括物理耦合到晶体衬底206A，206B的第一超导材料112，其中该晶体衬底物理耦合到第二超导材料304B，其中该第二超导材料物理耦合到第二晶体衬底102。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括位于该晶体衬底的通孔中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括该第一超导材料、隧道势垒以及该第二超导材料。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括transmon量子位，该transmon量子位包括该垂直约瑟夫逊结以及在该第一超导材料与该第二超导材料之间形成的电容器。
本发明授权垂直transmon量子位器件在权利要求书中公布了：1.一种芯片表面基底器件结构，包括： 物理耦合到晶体衬底的第一超导材料，其中该晶体衬底物理耦合到第二超导材料，并且其中该第二超导材料物理耦合到第二晶体衬底； 位于该晶体衬底的通孔中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括该第一超导材料、隧道势垒和该第二超导材料；以及 transmon量子位，包括该垂直约瑟夫逊结以及在该第一超导材料与该第二超导材料之间形成的电容器，所述电容器具有顶部电容器垫和底部电容器垫； 其中，所述顶部电容器垫是布置在所述晶体衬底上方的第一超导材料，所述底部电容器垫是布置在所述晶体衬底下方的第二超导材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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