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思特威(上海)电子科技股份有限公司戴顺麒获国家专利权

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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利测距像素结构及TOF图像传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114335033B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011063250.1,技术领域涉及:H10F39/12;该发明授权测距像素结构及TOF图像传感器是由戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑设计研发完成,并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

测距像素结构及TOF图像传感器在说明书摘要公布了:本发明属于图像传感器技术领域,涉及一种TOF图像传感器的测距像素结构及TOF图像传感器。其中,TOF图像传感器的测距像素结构,包括衬底、第一收集节点、第二收集节点及两个门电极。第一收集节点和第二收集节点并列设置于衬底中,均用于收集周围的光生电荷。两个门电极并列设置于衬底中,且位于第一收集节点和第二收集节点之间,用于在衬底中产生导流电场,以将导流电场内的光生电荷导向第一收集节点或第二收集节点。其中,两个门电极的外壁上均包覆有氧化层。因此,本实施例提供的测距像素结构的静态功耗很低,使得应用本发明提供的测距像素结构的TOF图像传感器能够具有功耗低的优点。

本发明授权测距像素结构及TOF图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种TOF图像传感器的测距像素结构,其特征在于,包括衬底、第一收集节点、第二收集节点、第一门电极和第二门电极; 所述第一收集节点和所述第二收集节点并列设置于所述衬底中,均用于收集周围的光生电荷,所述第一收集节点通过第三连接金属层与像素电路连接,所述第二收集节点通过第四连接金属层与所述像素电路连接,所述像素电路用于交替读出所述第一收集节点和所述第二收集节点对应的电荷信息; 所述第一门电极和所述第二门电极并列设置并且部分嵌入于所述衬底中,且位于所述第一收集节点和所述第二收集节点之间,用于在所述衬底中产生导流电场,以将所述导流电场内的所述光生电荷导向所述第一收集节点或所述第二收集节点; 其中,所述第一门电极和所述第二门电极嵌入在所述衬底中的部分的外壁上均包覆有氧化层;所述第一门电极设有第一连接金属层,且所述第一门电极通过所述第一连接金属层接收第一电压信号;所述第二门电极设有第二连接金属层,且所述第二门电极通过所述第二连接金属层接收第二电压信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人思特威(上海)电子科技股份有限公司,其通讯地址为:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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