台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司杨秀丽获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利存储器器件的写入电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114255793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011311981.3，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权存储器器件的写入电路是由杨秀丽;程宽;万和舟;姜炜阳设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件的写入电路在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器器件的写入电路。一种器件包括存储器库、第一对写入数据布线、第二对写入数据布线和全局写入电路。第一对写入数据布线连接到存储器库中的第一组。第二对写入数据布线连接到存储器库中的第二组。响应于第一时钟信号，全局写入电路生成第一全局写入信号和第一补码全局写入信号，该第一全局写入信号和第一补码全局写入信号通过第一对写入数据布线发送到存储器库中的第一组。响应于第二时钟信号，全局写入电路生成第二全局写入信号和第二补码全局写入信号，该第二全局写入信号和第二补码全局写入信号通过第二对写入数据布线发送到存储器库中的第二组。
本发明授权存储器器件的写入电路在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 多个存储器库； 第一对写入数据布线，连接到所述存储器库中的第一组； 第二对写入数据布线，连接到所述存储器库中的第二组；以及 全局写入电路，被配置为接收第一时钟信号和第二时钟信号，其中： 响应于所述第一时钟信号，所述全局写入电路生成第一全局写入信号和第一补码全局写入信号，所述第一全局写入信号和所述第一补码全局写入信号通过所述第一对写入数据布线发送到所述存储器库中的第一组， 响应于所述第二时钟信号，所述全局写入电路生成第二全局写入信号和第二补码全局写入信号，所述第二全局写入信号和所述第二补码全局写入信号通过所述第二对写入数据布线发送到所述存储器库中的第二组。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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