厦门乾照光电股份有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110177793.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片是由林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;程伟设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为：包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；进一步地，沿所述生长方向的最后一层势阱层包括P型掺杂且沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层；可在有源区的边缘储存一定的空穴，从而有利于后续空穴往有源区的迁移，从而提高电子与空穴在有源区空间内的复合效率。
本发明授权一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，包括衬底、N型半导体层、有源区及P型半导体层，其特征在于： 所述有源区包括交替堆叠的势垒层和势阱层，且靠近所述P型半导体层的势阱层包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1； 其中，最靠近所述P型半导体层的势阱层为最后一层势阱层，且最后一层势阱层包括P型掺杂且沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层；在所述势阱层中，每一In组分值对应一子AlxGayInzN材料层，且各所述子AlxGayInzN材料层的厚度沿所述生长方向逐渐加厚； 最靠近所述P型半导体层的势垒层为最后一层势垒层，所述最后一层势垒层包括非掺且沿所述生长方向Al组分渐变的AlaGabN材料层，其中，0≤a≤1，0≤b≤1。
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