山东华光光电子股份有限公司刘飞获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114976873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212603.8，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法是由刘飞;邓桃;张新;赵凯迪设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、Al1‑x6Gax6y4In1‑y4P线性渐变限制层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层。本发明提供的激光器通过优化渐变限制层结构设计，利用低Al组分Al1‑x6Gax6y4In1‑y4P结合初始Mg掺杂25cc的较高流量，抑制Mg掺杂记忆效应造成的掺杂滞后，实现Mg掺杂渐变稳定至14cc，消除掺杂“塌肩”现象，从而提高电光转换效率，降低阈值电流，实现高可靠性工作。
本发明授权一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器，所述激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、（Al1-x6Gax6）y4In1-y4P线性渐变限制层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层； 其中，上波导层是（Al1-x5Gax5）y3In1-y3P上波导层，0.3≤x5≤0.7，0.4≤y3≤0.6； 第一上限制层是Al0.5In0.5P第一上限制层； （Al1-x6Gax6）y4In1-y4P线性渐变限制层中Al组分线性渐变，0.05≤x6≤0.3，0.55≤y4≤0.65，厚度为0.01-0.05μm，掺杂剂为Mg，Mg掺杂流量由25cc渐变至14cc，掺杂浓度稳定在5E17个原子cm3。
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