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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114467171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005704.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法是由岩屋涉;佐藤阳辅设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具备半导体芯片与设置在其背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，该制造方法中，使用具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的、通过在基材上依次层叠粘着剂层、中间层及膜状粘合剂而构成且中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分的半导体装置制造用片，该制造方法具有：将半导体装置制造用片的膜状粘合剂与半导体芯片的背面贴合，制作半导体装置制造用片与半导体芯片的层叠体的工序；及从层叠体的层叠有半导体芯片的一侧，沿半导体芯片外周对层叠体照射激光，以不切入至粘着剂层的方式切断膜状粘合剂，得到带膜状粘合剂的半导体芯片的工序。

本发明授权带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述制造方法中， 使用半导体装置制造用片， 所述半导体装置制造用片具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂， 所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成， 所述中间层含有相对于所述中间层的总质量为50质量％以上的重均分子量为100000以下的乙烯乙酸乙烯酯共聚物， 利用X射线光电子能谱法对所述中间层的所述膜状粘合剂侧的面进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例为1～20％， 所述制造方法具有： 通过将所述半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂与所述半导体芯片的背面贴合，制作所述半导体装置制造用片与所述半导体芯片的层叠体的工序；及 通过自所述层叠体的层叠有所述半导体芯片的一侧，沿所述半导体芯片的外周对所述层叠体照射激光，以不切入至所述粘着剂层的方式切断所述膜状粘合剂，得到带膜状粘合剂的半导体芯片的工序。

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