英特尔公司J.B.哈尔伯特获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利具有错误校验和清除模式的存储器装置、系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113808658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111091173.5，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权具有错误校验和清除模式的存储器装置、系统及方法是由J.B.哈尔伯特;K.S.拜因斯设计研发完成，并于2016-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有错误校验和清除模式的存储器装置、系统及方法在说明书摘要公布了：错误校验和清除（ECS）模式使存储器装置能够执行错误校验和纠正（ECC）并对错误计数。关联的存储器控制器用发送到存储器装置的触发器触发ECS模式。存储器装置包含多个可寻址存储器位置，其能被组织成段（诸如字线）。存储器位置存储数据并且具有关联的ECC信息。在ECS模式中，存储器装置读一个或更多存储器位置，并且基于ECC信息对于所述一个或更多存储器位置执行ECC。存储器装置对错误信息进行计数，错误信息包含指示具有至少阈值数量的错误的段的数量的段计数以及指示在任何段中的最大数量的错误的最大计数。
本发明授权具有错误校验和清除模式的存储器装置、系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器DRAM装置，包括： 包含多个存储器行的存储器阵列，所述存储器行包括多个存储器位置，用来存储数据和与所述数据关联的错误校验和纠正ECC信息； 输入输出IO电路，耦合到关联的存储器控制器，所述输入输出IO电路配置为当耦合到所述关联的存储器控制器时接收对于错误校验和清除ECS模式的触发；以及 所述动态随机存取存储器DRAM装置上的内部控制器，所述内部控制器配置成响应于对于所述错误校验和清除ECS模式的所述触发，读取一个或多个存储器位置，基于所述错误校验和纠正ECC信息执行对于所述一个或多个存储器位置的错误校验和纠正ECC，以及对错误信息进行计数，所述错误信息包括行计数以及最大值计数，所述行计数指示具有N个或更多错误的行的数量，所述最大值计数指示所述存储器阵列的行中具有在所述错误校验和清除ECS模式中检测到的最大数量的码字错误的行的地址。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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