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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有与读出放大器区域相邻的竖直电力和控制信号连接的接合组件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081487.4，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权具有与读出放大器区域相邻的竖直电力和控制信号连接的接合组件及其形成方法是由金吉妍;水谷祐树;外山史晃设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有与读出放大器区域相邻的竖直电力和控制信号连接的接合组件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种接合组件，该接合组件包括：包含存储器器件和多条位线的存储器管芯，以及接合到存储器管芯的逻辑管芯。该逻辑管芯包括被配置成控制存储器器件的操作的控制电路。该控制电路包含外围电路区域、读出放大器区域以及电力和控制信号区域，该电力和控制信号区域被定位成与读出放大器区域相邻并且包括被配置成向外围电路区域或从外围电路区域提供电力或控制信号的至少一个电力和控制信号互连结构。

本发明授权具有与读出放大器区域相邻的竖直电力和控制信号连接的接合组件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种接合组件，所述接合组件包括： 存储器管芯，所述存储器管芯包括存储器器件和多条位线；和 逻辑管芯，所述逻辑管芯接合到所述存储器管芯； 其中： 所述逻辑管芯包含被配置成控制所述存储器器件的操作的控制电路； 所述控制电路包括外围电路区域、读出放大器区域以及电力和控制信号区域，所述电力和控制信号区域被定位成与所述读出放大器区域相邻并且包含至少一个电力和控制信号互连结构，所述至少一个电力和控制信号互连结构被配置成向所述外围电路区域或从所述外围电路区域提供电力或控制信号； 所述存储器器件包括三维存储器器件； 所述三维存储器器件包括：包含围绕竖直半导体沟道的二维阵列布置的多个存储器元件的存储器阵列区域、位于相应半导体沟道的顶部部分处的漏极区域，以及在第二水平方向上延伸的多条字线； 所述位线在第一水平方向上延伸并且电连接到相应漏极区域； 在沿垂直于所述存储器管芯与所述逻辑管芯之间的接合界面的方向的平面图中，所述外围电路区域位于与所述存储器阵列区域的面积重叠的面积内； 所述读出放大器区域沿所述第一水平方向从所述外围电路区域横向偏移并且具有小于存储器阵列区域宽度的读出放大器区域宽度； 所述电力和控制信号区域沿所述第一水平方向从所述外围电路区域横向偏移并且沿所述第二水平方向从所述读出放大器区域横向偏移； 接合垫的子集位于所述存储器管芯与所述逻辑管芯之间的接合界面处并且被配置成通过所述电力和控制信号互连结构在所述存储器管芯与所述外围电路区域之间传输所述电力或控制信号；并且 所述外围电路区域沿所述第二水平方向的宽度与所述读出放大器区域沿所述第二水平方向的宽度与所述电力和控制信号区域沿所述第二水平方向的宽度之和相同。

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