荣芯半导体(宁波)有限公司杨文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510487669.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置是由杨文杰;李志伟;苏延洪设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、电子装置在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括光电转换区和晶体管区，所述晶体管区的所述半导体衬底上形成有栅电极；在所述半导体衬底和所述栅电极的表面形成介质层；在位于所述光电转换区以及所述栅电极的侧壁上的所述介质层表面形成图案化的硬掩膜层；基于所述硬掩膜层对所述介质层进行刻蚀，以去除所述晶体管区中形成在所述栅电极顶部以及所述半导体衬底表面上的介质层，得到由形成在所述栅电极侧壁上的所述介质层所构成的偏移侧墙，以及由形成在所述光电转换区的所述介质层所构成的保护层。本发明能够避免在形成偏移侧墙的过程中对半导体衬底造成损伤。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括光电转换区和晶体管区，所述晶体管区的所述半导体衬底上形成有栅电极； 在所述半导体衬底和所述栅电极的表面形成介质层； 在位于所述光电转换区以及所述栅电极的侧壁上的所述介质层表面形成图案化的硬掩膜层； 采用湿法刻蚀工艺，基于所述图案化的硬掩膜层对所述介质层进行刻蚀，以去除所述晶体管区中形成在所述栅电极顶部以及所述半导体衬底表面上的介质层，得到由形成在所述栅电极侧壁上的所述介质层所构成的偏移侧墙，以及由形成在所述光电转换区的所述介质层所构成的保护层； 在基于所述图案化的硬掩膜层对所述介质层进行刻蚀之后，所述方法还包括：采用湿法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。
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