恭喜日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体设备封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910653302.1，技术领域涉及：H01L23/66；该发明授权半导体设备封装和其制造方法是由黄文宏;黄敏龙;苏育贤设计研发完成，并于2019-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备封装和其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体设备封装包含第一衬底、天线、支撑层、介电层和第二衬底。所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述天线元件安置于所述第一衬底的所述第二表面上。所述支撑层安置于所述第一衬底的所述第一表面上和所述第一衬底的所述第一表面的外围处。所述支撑层具有背对所述第一衬底的第一表面。所述介电层安置于所述支撑层的所述第一表面上并且与所述第一衬底间隔开。所述介电层以化学方式键合到所述支撑层。所述第二衬底安置于所述介电层的背对所述支撑层的第一表面上。
本发明授权半导体设备封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备封装，其包括： 第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 天线元件，其安置于所述第一衬底的所述第二表面上，所述天线元件穿透所述第一衬底； 支撑层，其安置于所述第一衬底的所述第一表面上和所述第一衬底的所述第一表面的外围处，所述支撑层具有背对所述第一衬底的第一表面和内表面，所述支撑层整体为介电材料； 介电层，其安置于所述支撑层的所述第一表面上并且与所述第一衬底间隔开，其中所述介电层以化学方式键合到所述支撑层且所述介电层包含与所述支撑层的所述第一表面相对的第二表面，所述支撑层的所述内表面、所述介电层的所述第二表面和所述第一衬底的所述第一表面界定腔； 导电元件，其穿透所述腔且电连接到所述天线元件；和 第二衬底，其安置于所述介电层的背对所述支撑层的第一表面上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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